期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
毫米波二倍频器的研究与设计
被引量:
6
1
作者
张倩
孙玲玲
文进才
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2013年第6期17-20,共4页
利用砷化镓场效应管器件的非线性特性设计了一个单端毫米波段二倍频器,输入频率为2734 GHz,输出频率为54 68 GHz。该单端二倍频器包括了非线性器件、匹配电路和偏置电路3个部分。当输入基波功率为5 dBm时,二次谐波的输出功率为0 2.3 dBm...
利用砷化镓场效应管器件的非线性特性设计了一个单端毫米波段二倍频器,输入频率为2734 GHz,输出频率为54 68 GHz。该单端二倍频器包括了非线性器件、匹配电路和偏置电路3个部分。当输入基波功率为5 dBm时,二次谐波的输出功率为0 2.3 dBm,基波抑制大于15 dB,三次谐波抑制大于25 dB。芯片总面积(含pad)为1.068 mm×0.495 mm。
展开更多
关键词
砷化镓场效应管
毫米波
二倍频器
下载PDF
职称材料
题名
毫米波二倍频器的研究与设计
被引量:
6
1
作者
张倩
孙玲玲
文进才
机构
杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
出处
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2013年第6期17-20,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划资助项目(2010CB327403)
文摘
利用砷化镓场效应管器件的非线性特性设计了一个单端毫米波段二倍频器,输入频率为2734 GHz,输出频率为54 68 GHz。该单端二倍频器包括了非线性器件、匹配电路和偏置电路3个部分。当输入基波功率为5 dBm时,二次谐波的输出功率为0 2.3 dBm,基波抑制大于15 dB,三次谐波抑制大于25 dB。芯片总面积(含pad)为1.068 mm×0.495 mm。
关键词
砷化镓场效应管
毫米波
二倍频器
Keywords
galnumarsenide
field
effect
transistor
millimeter-wave
frequency
doubler
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
毫米波二倍频器的研究与设计
张倩
孙玲玲
文进才
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2013
6
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部