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题名GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较
被引量：6
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作者
郭向阳
常本康
乔建良
王晓晖
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机构
南京理工大学电子工程与光电技术学院
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出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2010年第2期117-120,共4页
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基金
国家自然科学基金项目
编号(60871012)
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文摘
利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,对激活后的反射式GaN及GaAs光电阴极进行了稳定性测试,获得了Cs/O激活一段时间后阴极随时间变化的光谱响应,通过计算得到量子效率曲线。结果表明:激活结束后GaN灵敏度可以在较长时间内保持稳定,而后缓慢衰减。而GaAs光电阴极的光电流随时间近似呈指数衰减。结合阴极表面双偶极层结构以及表面化学成分,分析原因主要是:两种阴极表面进行Cs/O激活后形成的双偶极子的结构不同、衰减过程中双偶极层化学成分变化方式不同决定。GaN光电阴极激活后Cs以复杂氧化物存在,更加稳定,灵敏度的衰减主要是由未分解的氧引起,而GaAs灵敏度下降的原因主要是表面双偶极层中的Cs极易脱附,影响其稳定性。
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关键词
光电发射
gannea光电阴极
稳定性
量子效率
表面结构
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Keywords
NEA, GaN, GaAs, stability, decay, double dipolelayerstructure
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分类号
TN219
[电子电信—物理电子学]
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