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应变量子阱中杂质态结合能的压力效应
被引量：
1
1
作者
温淑敏
赵春旺
王细军
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第A01期97-100,104,共5页
对应变闪锌矿(001)取向GaN-AlxGa1-xN量子阱系统,采用变分法讨论了流体静压力对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响。计算结果表明,考虑压力对单轴、双轴应变的调制及电子有效质量,材料介电常数及禁带宽度的影响,杂质态的结合能随压...
对应变闪锌矿(001)取向GaN-AlxGa1-xN量子阱系统,采用变分法讨论了流体静压力对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响。计算结果表明,考虑压力对单轴、双轴应变的调制及电子有效质量,材料介电常数及禁带宽度的影响,杂质态的结合能随压力呈线性变化。由简化相干势近似法讨论了垒材料AlxGa1-xN中Al组分对杂质态结合能的影响。结果表明,在阱宽和压力固定时,当Al组分增加时杂质态结合能会逐渐增加;且压力较大时结合能随组分的增加更加显著。Al组分的增加使电子的二维特性增强,从而使结合能增大。
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关键词
gan
-
alxga
1-
xn
量子
阱
杂质态
结合能
压力
应变
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职称材料
GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中的激子态
被引量：
1
2
作者
郑冬梅
戴宪起
《淮北煤炭师范学院学报（自然科学版）》
2006年第2期31-35,共5页
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;...
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定;随着杂质从量子点的上界面沿着z轴移至下界面,激子基态能和光跃迁能增大,结合能减小.
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关键词
类氢杂质
gan
/
alxga
1-
xn
量子
点
激子基态能
激子结合能
光跃迁能
下载PDF
职称材料
题名
应变量子阱中杂质态结合能的压力效应
被引量：
1
1
作者
温淑敏
赵春旺
王细军
机构
内蒙古工业大学理学院物理系
内蒙古乌兰察布电视台
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第A01期97-100,104,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(10862002)
内蒙古工业大学校基金资助项目(X200834)
文摘
对应变闪锌矿(001)取向GaN-AlxGa1-xN量子阱系统,采用变分法讨论了流体静压力对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响。计算结果表明,考虑压力对单轴、双轴应变的调制及电子有效质量,材料介电常数及禁带宽度的影响,杂质态的结合能随压力呈线性变化。由简化相干势近似法讨论了垒材料AlxGa1-xN中Al组分对杂质态结合能的影响。结果表明,在阱宽和压力固定时,当Al组分增加时杂质态结合能会逐渐增加;且压力较大时结合能随组分的增加更加显著。Al组分的增加使电子的二维特性增强,从而使结合能增大。
关键词
gan
-
alxga
1-
xn
量子
阱
杂质态
结合能
压力
应变
Keywords
impurity state
quantum well
hydrostatic pressure
binding energy
strained
分类号
O471.3 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中的激子态
被引量：
1
2
作者
郑冬梅
戴宪起
机构
三明学院物理与机电工程系
河南师范大学物理与信息工程学院
出处
《淮北煤炭师范学院学报（自然科学版）》
2006年第2期31-35,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60476047)
文摘
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定;随着杂质从量子点的上界面沿着z轴移至下界面,激子基态能和光跃迁能增大,结合能减小.
关键词
类氢杂质
gan
/
alxga
1-
xn
量子
点
激子基态能
激子结合能
光跃迁能
Keywords
hydrogenic- like impurity
gan
/
alxga
1-
xn
quantum dots
exciton ground- state energy
exciton binding energy
photoluminescence energy
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
应变量子阱中杂质态结合能的压力效应
温淑敏
赵春旺
王细军
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
下载PDF
职称材料
2
GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中的激子态
郑冬梅
戴宪起
《淮北煤炭师范学院学报（自然科学版）》
2006
1
下载PDF
职称材料
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