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氮化镓粉末的溶胶凝胶法制备及其结构
被引量：
2
1
作者
刘亦安
薛成山
+6 位作者
庄惠照
张晓凯
田德恒
吴玉新
孙莉莉
艾玉杰
王福学
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期657-660,共4页
报道了一种新颖而有效的二步制备氮化镓粉末的方法.以乙氧基镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,在950℃氨化温度下,将凝胶与流动的NH3反应20min,合成了GaN粉末.XRD、FTIR、TEM及SAED的测量结果表明,GaN粉末是六...
报道了一种新颖而有效的二步制备氮化镓粉末的方法.以乙氧基镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,在950℃氨化温度下,将凝胶与流动的NH3反应20min,合成了GaN粉末.XRD、FTIR、TEM及SAED的测量结果表明,GaN粉末是六方纤锌矿结构的单晶晶粒,粉末粒度较均匀,FTIR吸收谱有明显的宽化现象.
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关键词
溶胶-凝胶法
氨化温度
gan
粉末
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职称材料
氧化镓纳米棒的超声法制备及湿敏特性研究
2
作者
娄彦龙
王丁
+1 位作者
王朋朋
郑学军
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2015年第12期14-19,共6页
以商业氮化镓(GaN)粉末为原料,经简单超声辅助的方法成功制备出氧化镓(Ga_2O_3)纳米棒。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和透射电子显微镜(TEM)等对其结构、形貌及成分进行表征分析。结果表明材料为纳米棒状多孔结构,直径...
以商业氮化镓(GaN)粉末为原料,经简单超声辅助的方法成功制备出氧化镓(Ga_2O_3)纳米棒。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和透射电子显微镜(TEM)等对其结构、形貌及成分进行表征分析。结果表明材料为纳米棒状多孔结构,直径和长度范围分別在100 nm和2μm左右,并且Na^+和K^+被成功地掺杂。湿敏材料旋涂在预先涂覆有Ag-Pd叉指电极的Al_2O_3陶瓷基片上制作成湿敏测试元件。对其湿敏性能进行测试,結果表明:Ga_2O_3纳米棒传感器的阻抗随着湿度的变化曲线表现出良好的线性响应和稳定性,在100 Hz频率下,当环境中的相对湿度(RH)从11%到95%变化时,该湿度传感器阻抗变化超过四个数量级,响应和恢复时间分別为1 s和6 s,其最大湿滞为3%RH。优异的湿敏特性可能源于一维Ga_2O_3纳米结构和离子掺杂的协同效应。
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关键词
Ga2O3纳米棒
湿度传感器
离子掺杂
gan
粉末
超声合成
湿敏特性
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职称材料
氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究
被引量：
1
3
作者
肖洪地
马洪磊
+5 位作者
薛成山
马瑾
宗福建
张希键
计峰
胡文容
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期221-223,共3页
在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状...
在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.
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关键词
Ga2O3
粉末
gan
粉末
氮化温度
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职称材料
AAVS可能是生产GaN粉末的一种便宜技术
4
作者
杨英惠
《现代材料动态》
2002年第9期11-12,共2页
关键词
AAVS
gan
粉末
氮化镓
半导体
二步氧化工业
生产技术
原文传递
具有择优取向的GaN粉末的制备与性能研究
5
作者
康利平
王伶俐
+2 位作者
王海燕
张晓冬
王永强
《轻工学报》
CAS
2017年第5期42-48,共7页
采用管式炉通以流动氨气煅烧β-Ga_2O_3的方法制备六方纤锌矿GaN,利用XRD,SEM,TEM对所制备的Ga N的结构、形貌进行表征和分析,使用荧光光度计采集GaN的光致发光光谱进行发光性能研究.结果表明,GaN具有(002)择优取向,其颗粒外形和尺寸均...
采用管式炉通以流动氨气煅烧β-Ga_2O_3的方法制备六方纤锌矿GaN,利用XRD,SEM,TEM对所制备的Ga N的结构、形貌进行表征和分析,使用荧光光度计采集GaN的光致发光光谱进行发光性能研究.结果表明,GaN具有(002)择优取向,其颗粒外形和尺寸均与原料相似,系由几十纳米的晶片团聚而成的棒状颗粒所组成;GaN的近带边发射峰为346 nm(3.584 eV),相比较块材的近带边发射峰有19 nm(187 meV)的蓝移.
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关键词
Ⅲ-Ⅴ族半导体
gan
粉末
择优取向
发光性能
蓝移
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职称材料
题名
氮化镓粉末的溶胶凝胶法制备及其结构
被引量：
2
1
作者
刘亦安
薛成山
庄惠照
张晓凯
田德恒
吴玉新
孙莉莉
艾玉杰
王福学
机构
山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期657-660,共4页
基金
国家自然科学基金重大项目(90201025
90301002)资助
文摘
报道了一种新颖而有效的二步制备氮化镓粉末的方法.以乙氧基镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,在950℃氨化温度下,将凝胶与流动的NH3反应20min,合成了GaN粉末.XRD、FTIR、TEM及SAED的测量结果表明,GaN粉末是六方纤锌矿结构的单晶晶粒,粉末粒度较均匀,FTIR吸收谱有明显的宽化现象.
关键词
溶胶-凝胶法
氨化温度
gan
粉末
Keywords
Sol-gel method, Ammoniation temperature,
gan
powder
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
氧化镓纳米棒的超声法制备及湿敏特性研究
2
作者
娄彦龙
王丁
王朋朋
郑学军
机构
上海理工大学材料科学与工程学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2015年第12期14-19,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.51272158
No.51402193)
文摘
以商业氮化镓(GaN)粉末为原料,经简单超声辅助的方法成功制备出氧化镓(Ga_2O_3)纳米棒。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和透射电子显微镜(TEM)等对其结构、形貌及成分进行表征分析。结果表明材料为纳米棒状多孔结构,直径和长度范围分別在100 nm和2μm左右,并且Na^+和K^+被成功地掺杂。湿敏材料旋涂在预先涂覆有Ag-Pd叉指电极的Al_2O_3陶瓷基片上制作成湿敏测试元件。对其湿敏性能进行测试,結果表明:Ga_2O_3纳米棒传感器的阻抗随着湿度的变化曲线表现出良好的线性响应和稳定性,在100 Hz频率下,当环境中的相对湿度(RH)从11%到95%变化时,该湿度传感器阻抗变化超过四个数量级,响应和恢复时间分別为1 s和6 s,其最大湿滞为3%RH。优异的湿敏特性可能源于一维Ga_2O_3纳米结构和离子掺杂的协同效应。
关键词
Ga2O3纳米棒
湿度传感器
离子掺杂
gan
粉末
超声合成
湿敏特性
Keywords
Ga2O3 nanorods
humidity sensors
doping of ions
gan
powder
ultrasonic synthesis
humility sensing properties
分类号
TB943 [一般工业技术—计量学]
下载PDF
职称材料
题名
氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究
被引量：
1
3
作者
肖洪地
马洪磊
薛成山
马瑾
宗福建
张希键
计峰
胡文容
机构
山东大学
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期221-223,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(90301002,90201025)
文摘
在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.
关键词
Ga2O3
粉末
gan
粉末
氮化温度
分类号
TN304.2+3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
AAVS可能是生产GaN粉末的一种便宜技术
4
作者
杨英惠
出处
《现代材料动态》
2002年第9期11-12,共2页
关键词
AAVS
gan
粉末
氮化镓
半导体
二步氧化工业
生产技术
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
具有择优取向的GaN粉末的制备与性能研究
5
作者
康利平
王伶俐
王海燕
张晓冬
王永强
机构
郑州轻工业学院物理与电子工程学院
出处
《轻工学报》
CAS
2017年第5期42-48,共7页
基金
国家自然科学基金项目(51302250)
郑州市科技局前沿科技研究与发展项目(141PQYJS552)
郑州轻工业学院校内科研基金项目(2013XJJ010)
文摘
采用管式炉通以流动氨气煅烧β-Ga_2O_3的方法制备六方纤锌矿GaN,利用XRD,SEM,TEM对所制备的Ga N的结构、形貌进行表征和分析,使用荧光光度计采集GaN的光致发光光谱进行发光性能研究.结果表明,GaN具有(002)择优取向,其颗粒外形和尺寸均与原料相似,系由几十纳米的晶片团聚而成的棒状颗粒所组成;GaN的近带边发射峰为346 nm(3.584 eV),相比较块材的近带边发射峰有19 nm(187 meV)的蓝移.
关键词
Ⅲ-Ⅴ族半导体
gan
粉末
择优取向
发光性能
蓝移
Keywords
Ⅲ-Ⅴ semiconductor
Gallium nitride powder
preferred orientation
luminescence performance
blue shift
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化镓粉末的溶胶凝胶法制备及其结构
刘亦安
薛成山
庄惠照
张晓凯
田德恒
吴玉新
孙莉莉
艾玉杰
王福学
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
下载PDF
职称材料
2
氧化镓纳米棒的超声法制备及湿敏特性研究
娄彦龙
王丁
王朋朋
郑学军
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2015
0
下载PDF
职称材料
3
氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究
肖洪地
马洪磊
薛成山
马瑾
宗福建
张希键
计峰
胡文容
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
下载PDF
职称材料
4
AAVS可能是生产GaN粉末的一种便宜技术
杨英惠
《现代材料动态》
2002
0
原文传递
5
具有择优取向的GaN粉末的制备与性能研究
康利平
王伶俐
王海燕
张晓冬
王永强
《轻工学报》
CAS
2017
0
下载PDF
职称材料
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