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自组织GaN小岛的InGaN/GaN量子阱白光发射
1
作者
杨晓东
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期154-159,共6页
成功地控制了自组织三维GaN小岛的外延生长,在其上面可形成多个非极性小面侧壁。以此作为一个理想的基底,在非极性小面上设计制备了InGaN/GaN多量子阱发光有缘层结构。通过透射电子显微镜(TEM)制样和微观结构分析,确定了GaN小岛的生长...
成功地控制了自组织三维GaN小岛的外延生长,在其上面可形成多个非极性小面侧壁。以此作为一个理想的基底,在非极性小面上设计制备了InGaN/GaN多量子阱发光有缘层结构。通过透射电子显微镜(TEM)制样和微观结构分析,确定了GaN小岛的生长特性和小面形成特性,并利用阴极荧光光谱对InGaN/GaN多量子阱的发光特性进行比较和讨论。结果表明,单一小岛可有效实现混合白色发光(蓝色、绿色和红色),经过确认发现,半极性小面上的InGaN/GaN量子阱结构为明亮多色发光的主要区域。进一步小面构成的量子阱结构控制,可有效地调整白光质量,并对新一代白光照明提供新的方向。
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关键词
材料
gan
岛
量子阱
微观结构
发光特性
白光
原文传递
具有p-GaN岛状埋层耐压结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
被引量：
4
2
作者
张力
林志宇
+6 位作者
罗俊
王树龙
张进成
郝跃
戴扬
陈大正
郭立新
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第24期217-222,共6页
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)相对较低的击穿电压严重限制了其大功率应用.为了进一步改善器件的击穿特性,通过在n-GaN外延缓冲层中引入六个等间距p-GaN岛掩埋缓冲层(PIBL)构成p-n结,提出一种基于p-GaN埋层结构的新型高耐压AlGaN/GaN H...
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)相对较低的击穿电压严重限制了其大功率应用.为了进一步改善器件的击穿特性,通过在n-GaN外延缓冲层中引入六个等间距p-GaN岛掩埋缓冲层(PIBL)构成p-n结,提出一种基于p-GaN埋层结构的新型高耐压AlGaN/GaN HEMT器件结构.Sentaurus TCAD仿真结果表明,在关态高漏极电压状态下,p-GaN埋层引入的多个反向p-n结不仅能够有效调制PIBL AlGaN/GaN HEMT的表面电场和体电场分布,而且对于缓冲层泄漏电流有一定的抑制作用,这保证了栅漏间距为10μm的PIBL HEMT能够达到超过1700 V的高击穿电压(BV),是常规结构AlGaN/GaN HEMT击穿电压(580 V)的3倍.同时,PIBL结构AlGaN/GaN HEMT的特征导通电阻仅为1.47 m?·cm^2,因此获得了高达1966 MW·cm^(-2)的品质因数(FOM=BV^2/R_(on,sp)).相比于常规的AlGaN/GaN HEMT,基于新型p-GaN埋岛结构的HEMT器件在保持较低特征导通电阻的同时具有更高的击穿电压,这使得该结构在高功率电力电子器件领域具有很好的应用前景.
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关键词
AL
gan
/
gan
p-
gan
岛
掩埋缓冲层
电场
击穿
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职称材料
题名
自组织GaN小岛的InGaN/GaN量子阱白光发射
1
作者
杨晓东
机构
厦门大学化学化工学院
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期154-159,共6页
基金
国家自然科学基金面上项目(61076091)资助课题
文摘
成功地控制了自组织三维GaN小岛的外延生长,在其上面可形成多个非极性小面侧壁。以此作为一个理想的基底,在非极性小面上设计制备了InGaN/GaN多量子阱发光有缘层结构。通过透射电子显微镜(TEM)制样和微观结构分析,确定了GaN小岛的生长特性和小面形成特性,并利用阴极荧光光谱对InGaN/GaN多量子阱的发光特性进行比较和讨论。结果表明,单一小岛可有效实现混合白色发光(蓝色、绿色和红色),经过确认发现,半极性小面上的InGaN/GaN量子阱结构为明亮多色发光的主要区域。进一步小面构成的量子阱结构控制,可有效地调整白光质量,并对新一代白光照明提供新的方向。
关键词
材料
gan
岛
量子阱
微观结构
发光特性
白光
Keywords
materials
gan
islands
quantum wells
microstructure
luminescence property
white light
分类号
O431.2 [机械工程—光学工程]
原文传递
题名
具有p-GaN岛状埋层耐压结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
被引量：
4
2
作者
张力
林志宇
罗俊
王树龙
张进成
郝跃
戴扬
陈大正
郭立新
机构
西安电子科技大学微电子学院
西安电子科技大学物理与光电工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第24期217-222,共6页
基金
中国博士后科学基金(批准号:2015M582610)
国家自然科学基金(批准号:61404014,61574023)资助的课题~~
文摘
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)相对较低的击穿电压严重限制了其大功率应用.为了进一步改善器件的击穿特性,通过在n-GaN外延缓冲层中引入六个等间距p-GaN岛掩埋缓冲层(PIBL)构成p-n结,提出一种基于p-GaN埋层结构的新型高耐压AlGaN/GaN HEMT器件结构.Sentaurus TCAD仿真结果表明,在关态高漏极电压状态下,p-GaN埋层引入的多个反向p-n结不仅能够有效调制PIBL AlGaN/GaN HEMT的表面电场和体电场分布,而且对于缓冲层泄漏电流有一定的抑制作用,这保证了栅漏间距为10μm的PIBL HEMT能够达到超过1700 V的高击穿电压(BV),是常规结构AlGaN/GaN HEMT击穿电压(580 V)的3倍.同时,PIBL结构AlGaN/GaN HEMT的特征导通电阻仅为1.47 m?·cm^2,因此获得了高达1966 MW·cm^(-2)的品质因数(FOM=BV^2/R_(on,sp)).相比于常规的AlGaN/GaN HEMT,基于新型p-GaN埋岛结构的HEMT器件在保持较低特征导通电阻的同时具有更高的击穿电压,这使得该结构在高功率电力电子器件领域具有很好的应用前景.
关键词
AL
gan
/
gan
p-
gan
岛
掩埋缓冲层
电场
击穿
Keywords
Al
gan
/
gan
, p-
gan
island buried buffer layer, electric field, breakdown
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
自组织GaN小岛的InGaN/GaN量子阱白光发射
杨晓东
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
原文传递
2
具有p-GaN岛状埋层耐压结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
张力
林志宇
罗俊
王树龙
张进成
郝跃
戴扬
陈大正
郭立新
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
4
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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