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GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件 被引量：8
1
作者 张燕 储开慧 +4 位作者 邵秀梅 袁永刚 刘大福 陈新禹 李向阳 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3515-3518,共4页
介绍了GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件的研制过程，并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长的多层A1GaN外延材料，通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极制备等工艺，制作了256×1的背照射AlGaN紫外... 介绍了GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件的研制过程，并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长的多层A1GaN外延材料，通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极制备等工艺，制作了256×1的背照射AlGaN紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试，得到芯片的暗电流Id为4．22×10^-12A、零压电阻风为1．01×10^10Ω，响应波段为305～365nm，响应率约为0．12A／W。该AlGaN探测芯片与电容反馈互阻抗放大器（CTIA）结构的读出电路互连成为一个256模块，两个256模块经过拼接、封装后制备出512×1元紫外长线列焦平面探测器组件。测量室温（300K）时焦平面组件（实际524元）的响应，平均电压响应率为1．8×10^8V／w，其盲元率为9．0％，响应不均匀性为17．8％，359nm处的平均波段探测率为7×10^10cmHz^1/2W^-1。并对器件性能进行了分析。 展开更多
关键词 紫外探测器 512元长线列 工艺 gan基 响应率
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湿化学清洗设备在GaN基LED正装芯片制作流程中的应用研究
2
作者 刘莹 《光源与照明》 2024年第3期34-36,共3页
现阶段,湿化学清洗设备在化工研究和生产领域应用不断增多,这类设备可以结合具体的生产需要,针对生产进行技术处理。湿化学清洗设备在LED芯片中有一定的应用,对于提升LED正装芯片质量和效率有积极作用。文章基于半导体清洗设备发展情况... 现阶段,湿化学清洗设备在化工研究和生产领域应用不断增多,这类设备可以结合具体的生产需要,针对生产进行技术处理。湿化学清洗设备在LED芯片中有一定的应用,对于提升LED正装芯片质量和效率有积极作用。文章基于半导体清洗设备发展情况,针对LED芯片的制作流程,就湿化学清洗设备产能以及耗水计算方法进行分析,结合各次刻蚀清洗工艺后晶圆表面形貌分析,探讨了清洗设备在相关制造工艺中的应用。 展开更多
关键词 湿化学清洗设备 gan基 LED正装芯片
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基于氮化镓GaN硅衬底的LED 被引量：5
3
作者 陈振 《集成电路应用》 2015年第4期32-33,共2页
蓝宝石虽然稳坐衬底材料的龙头地位,但随着产业的不断发展,竞争日趋激烈,基于蓝宝石衬底的技术发展变缓,再加上其成本高昂、专利壁垒等问题,众多专家与工程师开始寻求性价比更高的解决方案:不同的衬底材料,硅衬底被业界寄予了很高的厚望。
关键词 蓝宝石 gan基 LED 硅衬底
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GaN基光栅外腔半导体激光器研究进展 被引量：3
4
作者 姚真瑜 吕雪芹 张保平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第10期609-614,622,共7页
介绍了光栅外腔半导体激光器应用外部光栅实现选模和线宽压窄的基本原理,以及Littrow和Littman两种典型外腔结构和主要组成光学元件,讨论了主要性能表征参数包括调谐范围、激射线宽和边模抑制比等,分析了其关于稳定性的主要技术难点。... 介绍了光栅外腔半导体激光器应用外部光栅实现选模和线宽压窄的基本原理,以及Littrow和Littman两种典型外腔结构和主要组成光学元件,讨论了主要性能表征参数包括调谐范围、激射线宽和边模抑制比等,分析了其关于稳定性的主要技术难点。在此基础上,详细综述了GaN基光栅外腔半导体激光器的国内外研究进展,主要集中在线宽、无跳模调谐范围和功率三个性能指标的优化上,特别提及了厦门大学研究小组的工作进展。最后讨论了其在高精度光谱测试、气体探测和大容量全息数据存储中的应用,并且列举了铟原子的光谱测试和NO气体探测。 展开更多
关键词 gan基 光栅外腔半导体激光器 可调谐波长 窄线宽 高精度光谱测试 气体探测 全息数据存储
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湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用 被引量：1
5
作者 陈杰 许金通 +2 位作者 王玲 李向阳 张燕 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期961-963,共3页
文中计算了A lGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子... 文中计算了A lGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar+干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分,并制作了单元可见盲器件,测试其反向漏电流,发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。 展开更多
关键词 湿法化学腐蚀 gan基 干法刻蚀损伤 反向漏电流
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GaN基发光二极管波长偏移的研究 被引量：3
6
作者 庄榕榕 蔡平 《漳州师范学院学报（自然科学版）》 2013年第3期66-70,共5页
在不同环境温度及不同驱动电流条件下,测试GaN基绿光发光二极管峰值波长的变化,结果表明,环境温度及驱动电流的增加,均会引起结温的增加,但是峰值波长的变化却有区别.在环境温度不变,驱动电流增加过程中,出现LED峰值波长的蓝移现象;在... 在不同环境温度及不同驱动电流条件下,测试GaN基绿光发光二极管峰值波长的变化,结果表明,环境温度及驱动电流的增加,均会引起结温的增加,但是峰值波长的变化却有区别.在环境温度不变,驱动电流增加过程中,出现LED峰值波长的蓝移现象;在驱动电流不变、环境温度变化过程中,出现LED峰值波长的红移.用能带及极化场耦合模理论,分析实验结果,得到In0.25GaN0.75阱层的极化场强为3.304MV/cm,垒层的极化场强为-0.826MV/cm;首次引入能隙变量随结温变化率的概念,在LED额定驱动电流范围内,热效应、载流子对极化效应引起的内建电场的屏蔽作用所引的能隙变量随结温变化率分别为3.637×10-4ev/k及1.3025×10-3ev/k,研究认为,二种效应引起的能隙变量随结温的变化率决定着峰值波长偏移的方向. 展开更多
关键词 峰值波长偏移 gan基 热效应 极化场 屏蔽效应
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入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响 被引量：2
7
作者 郑树文 范广涵 +1 位作者 李述体 周天明 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期514-518,共5页
利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析。计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系。根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射... 利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析。计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系。根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式。分析了从空气和Al_(0.4)Ga_(0.5)In_(0.1)N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异。为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构。分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势。 展开更多
关键词 光电子学 布拉格反射器 传输矩阵法 gan基 入射介质
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GaN基LED芯片发光效率提升研究
8
作者 徐平 《科技创新导报》 2019年第2期113-113,115,共2页
本研究的GaN基LED外延生长方法中通过通入大量的NH3进行裂解,将N原子附着在生长的P型GaN上,在NH3进行裂解处理的同时,对生长好的P型GaN进行短暂的退火处理,让其晶格在热作用下,得到新的规则排列,获得整齐的表面。并在低H元素浓度环境下... 本研究的GaN基LED外延生长方法中通过通入大量的NH3进行裂解,将N原子附着在生长的P型GaN上,在NH3进行裂解处理的同时,对生长好的P型GaN进行短暂的退火处理,让其晶格在热作用下,得到新的规则排列,获得整齐的表面。并在低H元素浓度环境下,再次通入TEGa裂解Ga元素,使得可电离的Mg元素浓度增加。本研究方法能够减少外延层P结构的N空位,减少Mg-H键,提高P结构Mg的电离率,提高P结构的空穴,提高LED芯片发光效率。 展开更多
关键词 gan基 LED P结构 裂解
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浅析GaN基新型结构HEMT器件
9
作者 姜文海 《科技创业月刊》 2015年第15期93-94,共2页
近些年来,随着时代经济的飞速发展以及科技的进步,GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度,同时也有着较高的击穿场强。对于GaN基的HEMT器件而言,是实现毫米波功率器件的一种重要选择。分析GaN基新型结构HEMT器件时,首先对GaN基新型结... 近些年来,随着时代经济的飞速发展以及科技的进步,GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度,同时也有着较高的击穿场强。对于GaN基的HEMT器件而言,是实现毫米波功率器件的一种重要选择。分析GaN基新型结构HEMT器件时,首先对GaN基新型结构HEMT器件的发展历程进行回顾,其次对GaN基新型结构HEMT器件的设计原理做了具体的分析,最后探讨了GaN基新型结构HEMT器件的基本结构。 展开更多
关键词 gan基 HEMT器件 毫米波
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发光二极管
10
《中国照明电器光源灯具文摘》 2004年第1期35-37,共3页
关键词 发光二极管 gan基 超高亮度LED 有机电致发光器件 无源矩阵驱动 有机发光显示屏
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GaN基上制备聚酰亚胺微图形方法的研究
11
作者 徐兆青 孙广辉 周静 《科技视界》 2016年第27期140-141,共2页
由于GaN结构特性和光学特性,导致聚酰亚胺很难在GaN基上形成标准有效的微图形。本文是在氮化镓(GaN)基材料表面上先制备一层几何图形金属作为遮光层,再利用聚酰亚胺(PI)负性感光性的性质来制备聚酰亚胺微图形,此方法在GaN基材料表面上... 由于GaN结构特性和光学特性,导致聚酰亚胺很难在GaN基上形成标准有效的微图形。本文是在氮化镓(GaN)基材料表面上先制备一层几何图形金属作为遮光层,再利用聚酰亚胺(PI)负性感光性的性质来制备聚酰亚胺微图形,此方法在GaN基材料表面上制备的聚酰亚胺微图形表面平坦,不会被显影液等有机溶剂溶胀,其热膨胀系数小且绝缘性优异,可以用作GaN基表面的保护膜、层间的绝缘膜、沟槽的填充物等,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 gan基 聚酰亚胺(PI) 金属遮光层 微图形
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GaN基白光LED的结温测量 被引量：44
12
作者 陈挺 陈志忠 +3 位作者 林亮 童玉珍 秦志新 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期407-412,共6页
用正向电压法、管脚法和蓝白比法等三种方法测量GaN基白光LED的结温,获得了较为准确的结温,误差可以控制在4℃以内。正向电压法在恒定电流的条件下,得到了正向电压与结温的线性关系;蓝白比法在不同环境温度和不同注入电流两种情况下,都... 用正向电压法、管脚法和蓝白比法等三种方法测量GaN基白光LED的结温,获得了较为准确的结温,误差可以控制在4℃以内。正向电压法在恒定电流的条件下,得到了正向电压与结温的线性关系;蓝白比法在不同环境温度和不同注入电流两种情况下,都得到了蓝白比与结温较好的线性关系。提出了蓝白比法可能的物理机制,提高环境温度和增大注入电流都会使结温升高,蓝光峰值波长也会改变,这两个因素都会影响荧光粉的激发和发光效率。降低结温需要考虑的主要因素有白光LED的接触电阻、串联电阻和外量子效率,封装材料的热导率,反射杯和管脚的设计,以及空气散热部分的散热面积等。 展开更多
关键词 gan基白光LED 结温 正向电压 管脚温度 电致发光谱
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白光LED的加速老化特性 被引量：41
13
作者 林亮 陈志忠 +3 位作者 陈挺 童玉珍 秦志新 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期617-621,共5页
对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿... 对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿着螺旋位错聚集及移动的结果;电容-电压(C-V)曲线中反向偏压下电容减少,正向偏压下电容增大,这是由于螺位错和混合位错产生了漏电的通道;电致发光光谱中黄光荧光成分比重增加;光通量随时间开始缓慢降低,在某一个时刻突然急剧降低,显示各个老化因素累积的影响会在某一时刻导致白光LED突然失效。最后使用阿列纽斯关系计算出所用白光LED的寿命为2.3万小时。 展开更多
关键词 gan基白光LED 老化 电流-电压 电容-电压 光通量 寿命
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PDP、FED及LED发光材料的最近发展 被引量：19
14
作者 刘行仁 王晓君 +2 位作者 谢宜华 马龙 张晓 《液晶与显示》 CAS CSCD 1998年第3期155-162,共8页
对彩色等离子体平板显示（ＰＤＰ）、场发射显示（ＦＥＤ）、蓝／绿发光二极管（ＬＥＤ）及蓝紫光激光二极管（ＬＤ）用的发光材料的现状和最近发展予以综述和讨论。
关键词 发光材料 荧光体 等离子体平板显示 场发射 gan基发光二极管 蓝紫光激光二极管 PDP FED LED 发展 现状
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GaN基半导体太阳盲区紫外探测器研究进展 被引量：11
15
作者 苑进社 陈光德 张显斌 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期5-11,共7页
　基于半导体紫外光探测器的基本类型,在对半导体紫外探测器的研发历史进行简要回顾的同时,综述了各种形式GaN基紫外探测器的研究开发现状,并报道了GaN基宽带半导体太阳盲区紫外光探测器研究新进展。
关键词 gan基半导体 紫外辐射 太阳盲区 紫外探测器
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聚焦产业关键技术,把握第三代半导体发展机遇——第三代半导体材料产业技术分析报告 被引量：16
16
作者 赵婉雨 《高科技与产业化》 2019年第5期28-40,共13页
5G通信技术、新能源汽车推广以及光电应用推动第三代半导体产业蓬勃发展。2017年,中国GaN和SiC器件市场规模达30.8亿元。目前,在应用结构方面,GaN基LED占比高达70.0%,射频通信和功率器件领域合计占比不足30%;SiC器件市场上,功率因数校... 5G通信技术、新能源汽车推广以及光电应用推动第三代半导体产业蓬勃发展。2017年,中国GaN和SiC器件市场规模达30.8亿元。目前,在应用结构方面,GaN基LED占比高达70.0%,射频通信和功率器件领域合计占比不足30%;SiC器件市场上,功率因数校正电路占比超过50%,光伏逆变器占比约为23.8%,其他应用包括不间断电源、纯电动汽车/混合动力汽车及轨道交通等。2017年国内投资热情高涨,投产GaN材料和SiC材料相关的项目共6个,涉及金额超过84亿元,占当年总投资金额的12%。 展开更多
关键词 技术分析报告 半导体材料产业 第三代 gan基LED 功率因数校正电路 混合动力汽车 光电应用 市场规模
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光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率 被引量：12
17
作者 周印华 汤英文 +1 位作者 饶建平 江风益 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期252-255,共4页
以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有... 以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有电极的n型GaN;而它们的均方根粗糙度(RMS)则结果相反。刻蚀后的形貌呈圆锥型凸起。20 mA下刻蚀后的裸芯光输出功率较刻蚀前提高了88.5%。 展开更多
关键词 光学材料 出光效率 光增强湿法刻蚀 垂直结构gan基LED SI衬底
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正装、倒装结构GaN基LED提取效率分析 被引量：11
18
作者 刘志强 王良臣 《电子器件》 CAS 2007年第3期775-778,共4页
从几何和物理光学角度分析了影响GaN基LED提取效率的因素,并以理论分析为基础,利用Monte-Carlo光线追踪的方法,对GaN基LED的提取效率进行模拟,比较不同器件结构对LED提取效率的影响.模拟结果表明,采用倒装结构可以显著提高GaN基LED的提... 从几何和物理光学角度分析了影响GaN基LED提取效率的因素,并以理论分析为基础,利用Monte-Carlo光线追踪的方法,对GaN基LED的提取效率进行模拟,比较不同器件结构对LED提取效率的影响.模拟结果表明,采用倒装结构可以显著提高GaN基LED的提取效率,Ni/Au透明电极透射率为0.6～0.9时,相对于普通正装结构,倒装结构可以使LED提取效率提高39%～16%. 展开更多
关键词 gan基LED 提取效率 Monte-Carlo 模拟
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用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能(英文) 被引量：12
19
作者 姚雨 靳彩霞 +2 位作者 董志江 孙卓 黄素梅 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期273-277,共5页
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统... 应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%。 展开更多
关键词 gan基发光二极管 铟锡氧化物 表面粗化 自然光刻
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图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制 被引量：12
20
作者 张俊兵 林岳明 +2 位作者 范玉佩 王书昶 曾祥华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期359-362,共4页
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm... 采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。 展开更多
关键词 gan基发光二极管(LED) 图形蓝宝石衬底(PSS) 光提取效率 ICP
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