-
题名退火温度对Tb催化GaN纳米棒的影响
- 1
-
-
作者
陈金华
石鑫
薛成山
-
机构
镇江机电高等职业技术学校信息电子工程系
山东师范大学半导体研究所
-
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第11期660-663,共4页
-
基金
国家自然科学基金项目(90301002
90201025)
-
文摘
用稀土金属铽(Tb)作催化剂,通过磁控溅射和退火氨化法成功制备出大量单晶GaN纳米棒,并研究退火温度对GaN纳米棒表面形貌、晶体质量和发光特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测试结果显示,随着退火温度的升高,纳米棒的直径和长度增大,结晶质量先变好后变差,PL测试发现了位于369nm处的强发光峰和387nm处的弱发光峰,其发光强度随退火温度的升高先增强后减弱,发光峰的位置并不改变,进而得出了制备GaN纳米棒的最佳退火温度为950℃。利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对950℃下制备的样品进行检测,结果显示样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒。
-
关键词
氮化镓
纳米棒
退火温度
催化剂
晶体生长
-
Keywords
gan nanorods annealing temperature catalyst crystal growth
-
分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
-
