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一种评价GaN材料电学性能的检测方法
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作者 郭恩祥 郭天瑛 徐永宽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期388-393,共6页
提出了一种针对肖特基势垒特性曲线（cj-Vj曲线）的测量方法（特定电容法）。实验测定了特定电容C-V曲线，通过解析处理C-V曲线信息，计算得到肖特基势垒Cj-Vj曲线，以Cj-Vj曲线为应用基础，给出了评价GaN材料电学性能的重要参数施主杂... 提出了一种针对肖特基势垒特性曲线（cj-Vj曲线）的测量方法（特定电容法）。实验测定了特定电容C-V曲线，通过解析处理C-V曲线信息，计算得到肖特基势垒Cj-Vj曲线，以Cj-Vj曲线为应用基础，给出了评价GaN材料电学性能的重要参数施主杂质浓度和内建电压。实验检测了n／n＋型硅外延材料，n型GaN体材料和n型GaN／蓝宝石外延材料。结果表明：三种材料的样品，杂质均匀分布；GaN材料施主杂质浓度为5×1016～2×1018cm-3，Hg-Si势垒内建电压0．605V，Hg-GaN势垒的内建电压1．18V。该方法检测GaN材料电学参数，具有测试简单，样品无损伤，没有欧姆接触、原则上适合各种衬底材料等优点，显然它更适合检测那些难以制作欧姆接触的半导体材料。 展开更多
关键词 gan外延材料 特定电容 肖特基势垒Cj-Vj曲线 内建电压 杂质浓度
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