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一种具有GaInAsN/GaAs量子阱结构的三结太阳能电池的设计
被引量：
6
1
作者
朱永安
唐吉玉
+2 位作者
潘保瑞
陈俊芳
陆旭兵
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期680-684,共5页
该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对GaInAsN/GaAs量子阱太阳能电池的伏安特性进行了数值模拟和分析。初步讨论了量子阱的阱宽和垒厚的变化对量子阱电池伏安特性的影响.模拟结果发现垒...
该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对GaInAsN/GaAs量子阱太阳能电池的伏安特性进行了数值模拟和分析。初步讨论了量子阱的阱宽和垒厚的变化对量子阱电池伏安特性的影响.模拟结果发现垒厚32nm、阱宽7nm的量子阱光伏性能表现良好。作为有源区,当将该量子阱加入到GaAs子电池中,InGaP/GaAs/Ge三结电池在AM0下的短路电流密度达到19.81mA/cm2,比未使用量子阱有源区的三结电池提高了20%。
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关键词
gainasn
/
gaas
量子阱
阱宽
垒厚
短路电流
伏安特性
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职称材料
题名
一种具有GaInAsN/GaAs量子阱结构的三结太阳能电池的设计
被引量：
6
1
作者
朱永安
唐吉玉
潘保瑞
陈俊芳
陆旭兵
机构
华南师范大学物理与电信工程学院
华南师范大学先进材料所
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期680-684,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61271127)
文摘
该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对GaInAsN/GaAs量子阱太阳能电池的伏安特性进行了数值模拟和分析。初步讨论了量子阱的阱宽和垒厚的变化对量子阱电池伏安特性的影响.模拟结果发现垒厚32nm、阱宽7nm的量子阱光伏性能表现良好。作为有源区,当将该量子阱加入到GaAs子电池中,InGaP/GaAs/Ge三结电池在AM0下的短路电流密度达到19.81mA/cm2,比未使用量子阱有源区的三结电池提高了20%。
关键词
gainasn
/
gaas
量子阱
阱宽
垒厚
短路电流
伏安特性
Keywords
gainasn
/
gaas
quantum
well
solar cells
well
width
barrier
thickness
short-circuit
current-voltage
characteristics
分类号
TM164 [电气工程—电工理论与新技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种具有GaInAsN/GaAs量子阱结构的三结太阳能电池的设计
朱永安
唐吉玉
潘保瑞
陈俊芳
陆旭兵
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015
6
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职称材料
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