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GaAs_(1-x)N_x混晶的喇曼散射研究 被引量：1
1
作者 林顺勇 高玉琳 +2 位作者 吕毅军 郑健生 刘国坤 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期326-330,共5页
室温下采用背散射几何配置,在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱.由于N原子的引入,导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大,禁戒的TO1声子变为喇曼活性;随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO... 室温下采用背散射几何配置,在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱.由于N原子的引入,导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大,禁戒的TO1声子变为喇曼活性;随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势,根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应.另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1+LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势. 展开更多
关键词 gaas1-xnx混晶 喇曼散射 无序效应 应变效应 Ⅲ-V-N半导体 边界声子
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