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150keV质子辐照对GaAs子电池性能的影响 被引量：1
1
作者 颜媛媛 方美华 +1 位作者 汤晓斌 陈飞达 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期2309-2316,共8页
低能质子辐射会使电池产生较大的非电离能量损失,导致少数载流子寿命降低从而破坏GaInP/GaAs/Ge电池的电性能,其中尤以中间的GaAs子电池的衰减最严重。本文以卫星用主流GaInP/GaAs/Ge三结电池为研究对象,制备与三结电池中GaAs子电池相... 低能质子辐射会使电池产生较大的非电离能量损失,导致少数载流子寿命降低从而破坏GaInP/GaAs/Ge电池的电性能,其中尤以中间的GaAs子电池的衰减最严重。本文以卫星用主流GaInP/GaAs/Ge三结电池为研究对象,制备与三结电池中GaAs子电池相同尺寸结构和工艺的单结GaAs电池,以150keV质子辐照后对其性能进行测试。测试结果表明,150keV质子辐照后电池的量子效率衰减,且基区衰减最严重。光致发光测试结果显示,在3×10^10、1×10^11、5×10^11cm^-2辐照注量下,非辐射复合少数载流子寿命分别为2.22、0.67、0.13ns。基于上述结果,利用多物理场仿真软件COMSOL建立了GaAs的物理模型,对GaAs子电池衰减进行仿真,将实验结果与模拟结果进行对比,两者电学参数的最大相对偏差为7%。仿真结果表明:中国空间站中电池的辐射衰减主要源于内辐射带中的质子,空间站轨道太阳能电池运行5a,在太阳活动极大时,最大功率衰减约为7.6%,太阳活动极小时,最大功率衰减约为13.7%。 展开更多
关键词 gaas太阳能电池 辐照损伤 COMSOL 少数载流子寿命
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基于AAO纳米光栅的GaAs太阳能电池组合陷光结构设计与仿真
2
作者 秦飞飞 张海明 +2 位作者 王彩霞 张晶晶 郭聪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期1132-1136,共5页
提出了一种新型的表面和底部都带有阳极氧化铝（AAO）纳米光栅的GaAs太阳能电池结构,理论分析了表面和底部陷光作用的原理。利用FDTD Solution软件研究了短路电流密度（Jsc）和AAO几何参数的关系。结果表明,表面AAO和TiO2双减反层能很... 提出了一种新型的表面和底部都带有阳极氧化铝（AAO）纳米光栅的GaAs太阳能电池结构,理论分析了表面和底部陷光作用的原理。利用FDTD Solution软件研究了短路电流密度（Jsc）和AAO几何参数的关系。结果表明,表面AAO和TiO2双减反层能很好的减少反射。背部AAO和Ag背反射可以有效的增大光程,从而减少电池厚度。带有组合陷光结构的电池可以在0°~45°范围内保持较稳定的Jsc数值。与只有减反层的结构相比,在相同Jsc条件下,组合陷光结构可以减少一半GaAs厚度。 展开更多
关键词 gaas太阳能电池 AAO 陷光结构 短路电流密度
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以MOCVD为基础的光电子平台设计与开发
3
作者 李愿杰 张小宾 袁小武 《东方电气评论》 2012年第4期7-11,18,共6页
光电子平台是光电子器件研发的基础平台,可用于高效叠层薄膜光伏电池、量子激光器、探测器、传感器等光电子器件的研发及制备。本文从材料生长、器件工艺、测试平台、安全设计4个方面讨论了以MOCVD为基础的光电子平台的总体设计思路,包... 光电子平台是光电子器件研发的基础平台,可用于高效叠层薄膜光伏电池、量子激光器、探测器、传感器等光电子器件的研发及制备。本文从材料生长、器件工艺、测试平台、安全设计4个方面讨论了以MOCVD为基础的光电子平台的总体设计思路,包括了制备平台设计、材料生长仿真模拟分析、工艺优化、过程控制优化、测试分析设备整合优化、高危气体管道改造、尾气回收装置设计的实施方案。平台设计将主要为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料生长以及器件制作服务,通过不断设计改进最终建设成为集前沿材料生长研究和新型光电子器件研发的光电子技术科学研究平台。 展开更多
关键词 光电子平台 材料与器件 gaas太阳能电池
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GaAs/Ge太阳能电池用锗单晶的研究新进展 被引量：13
4
作者 李苗苗 苏小平 +2 位作者 冯德伸 王学武 左建龙 《金属功能材料》 CAS 2010年第6期78-82,共5页
硅太阳能电池由于光电转换效率低和温度特性差等因素,最近几十年其在聚光光伏技术中并没有得到更大的发展,而砷化镓及相关Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池因其高光电转换效率而越来越受到关注,尤其是用于空间电源。目前国内外对太阳能电池的的... 硅太阳能电池由于光电转换效率低和温度特性差等因素,最近几十年其在聚光光伏技术中并没有得到更大的发展,而砷化镓及相关Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池因其高光电转换效率而越来越受到关注,尤其是用于空间电源。目前国内外对太阳能电池的的研究主要集中在以锗晶片作基板的多结高效GaAs/Ge太阳能电池上,本文主要介绍了GaAs/Ge太阳能电池用锗单晶目前国内外的研究新进展,并对高效率太阳能电池用锗晶片的发展进行了展望。 展开更多
关键词 gaas/Ge太阳能电池 锗单晶 基板 制备
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退火温度对PECVD法制备SiO2/Si3N4光学薄膜性能的影响 被引量：1
5
作者 吴立宇 李小强 +1 位作者 王斌 屈盛官 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期75-81,共7页
基于多层光学薄膜的基本原理及算法,采用等离子体增强化学气相沉积方法在GaAs衬底上制备SiO2/Si3N4双层减反射膜,通过原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外-... 基于多层光学薄膜的基本原理及算法,采用等离子体增强化学气相沉积方法在GaAs衬底上制备SiO2/Si3N4双层减反射膜,通过原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外-可见分光光度计对薄膜的形貌、结构及光学性能进行表征,研究不同退火温度对薄膜性能的影响。结果表明:退火前后薄膜均为结晶态;随着退火温度升高,薄膜反射率及粗糙度逐渐降低,700℃时薄膜平均反射率及粗糙度最低,分别为12.65%和1.64 nm;退火后光谱曲线往短波方向移动了30 nm,呈现典型的“蓝移”现象,表明退火后薄膜光学厚度逐渐降低。 展开更多
关键词 减反射膜 gaas基太阳能电池 等离子体增强化学气相沉积 退火
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