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用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs的ICP刻蚀工艺研究
被引量：
5
1
作者
王宇
周燕萍
+2 位作者
李茂林
左超
杨秉君
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期47-52,共6页
采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对应用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用光刻胶作为刻蚀掩模,Cl2/BCl3作为刻蚀工艺气体,通过实验分析总结了ICP源功率、射频偏压功率和腔体压强对GaAs/AlGaAs...
采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对应用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用光刻胶作为刻蚀掩模,Cl2/BCl3作为刻蚀工艺气体,通过实验分析总结了ICP源功率、射频偏压功率和腔体压强对GaAs/AlGaAs材料和掩模刻蚀速率的影响。利用扫描电子显微镜观察不同参数条件对样品侧壁垂直度和底部平坦度的影响。最终在保证高刻蚀速率的前提下,通过调整优化各工艺参数,得到了侧壁光滑、底部平坦的圆台结构。
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关键词
激光光学
垂直腔面激光发射器
电感耦合等离子体刻蚀
圆台结构
gaas
/
algaas
材料
原文传递
题名
用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs的ICP刻蚀工艺研究
被引量：
5
1
作者
王宇
周燕萍
李茂林
左超
杨秉君
机构
长春大学理学院
爱发科(苏州)技术研究开发有限公司
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期47-52,共6页
文摘
采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对应用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用光刻胶作为刻蚀掩模,Cl2/BCl3作为刻蚀工艺气体,通过实验分析总结了ICP源功率、射频偏压功率和腔体压强对GaAs/AlGaAs材料和掩模刻蚀速率的影响。利用扫描电子显微镜观察不同参数条件对样品侧壁垂直度和底部平坦度的影响。最终在保证高刻蚀速率的前提下,通过调整优化各工艺参数,得到了侧壁光滑、底部平坦的圆台结构。
关键词
激光光学
垂直腔面激光发射器
电感耦合等离子体刻蚀
圆台结构
gaas
/
algaas
材料
Keywords
laser optics
vertical-cavity surface-emitting lasers
inductively coupled plasma etching
round-table structure
gaas
/
algaas
materials
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs的ICP刻蚀工艺研究
王宇
周燕萍
李茂林
左超
杨秉君
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
5
原文传递
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参考文献
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