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GaAs/AlAs量子阱中受主束缚能和光致发光 被引量：2
1
作者 郑卫民 吕英波 +2 位作者 宋淑梅 王爱芳 陶琳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期156-160,共5页
从实验和理论上，研究了量子限制效应对GaAs／AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs／AlAs多量子阱，量子阱宽度为3—20nm，并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂。在4... 从实验和理论上，研究了量子限制效应对GaAs／AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs／AlAs多量子阱，量子阱宽度为3—20nm，并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂。在4，20，40，80，120K不同温度下，分别对上述样品进行了光致发光谱测量，观察到了受主束缚激子从基态到激发态的两空穴跃迁，并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能。理论上应用量子力学中的变分原理，数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系，比较发现，理论计算和实验结果符合地较好。 展开更多
关键词 量子限制效应 δ-掺杂 gaas/alas多量子阱 光致发光谱
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量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响
2
作者 郑卫民 宋淑梅 +2 位作者 吕英波 王爱芳 陶琳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期310-314,共5页
从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺... 从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺杂.在4,20,40,80和120K不同温度下,分别对上述系列样品进行了光致发光谱(PL)的测量,清楚地观察到了受主束缚激子从1s3/2(Γ6)基态到同种宇称2s3/2(Γ6)激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能.理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现理论计算和实验结果符合较好. 展开更多
关键词 量子限制效应 浅受主杂质 Δ掺杂 gaas/alas多量子阱 光致发光谱
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量子限制效应对受主跃迁的影响
3
作者 初宁宁 郑卫民 +2 位作者 李素梅 宋迎新 刘静 《红外》 CAS 2009年第11期12-16,共5页
通过光致发光光谱,研究了量子限制效应对GaAs体材料中均匀掺杂和一系列GaAs/AlAs多量子阱(阱宽范围从30(?)到200(?))中δ-掺杂浅受主杂质铍(Be)原子带间跃迁的影响。实验中所用的样品是利用分子束外延技术生长的均匀掺Be受主的GaAs外延... 通过光致发光光谱,研究了量子限制效应对GaAs体材料中均匀掺杂和一系列GaAs/AlAs多量子阱(阱宽范围从30(?)到200(?))中δ-掺杂浅受主杂质铍(Be)原子带间跃迁的影响。实验中所用的样品是利用分子束外延技术生长的均匀掺Be受主的GaAs外延层和一系列在量子阱的中央进行了浅受主Be原子δ-掺杂的GaAs/AlAs多量子阱。在4.2K的低温下,测量了上述样品的光致发光谱,很清楚地观察到了受主束缚激子从基态1S_(3/2)(Γ_6)到两个激发态2S_(3/2)(Γ_6)和3S_(3/2)(Γ_6)的双空穴跃迁。研究发现,随着量子限制效应的增强,受主跃迁能量会增加。对量子限制效应调节受主杂质间跃迁能量的研究,进一步增强了对受主能态可调性的认识,为太赫兹远红外发光器或激光器的研发提供了一种新的途径。 展开更多
关键词 量子限制效应 gaas/alas多量子阱 Δ掺杂 光致发光(PL)谱
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δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文） 被引量：1
4
作者 郑卫民 黄海北 +4 位作者 李素梅 丛伟艳 王爱芳 李斌 宋迎新 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1373-1379,共7页
三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工... 三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件。在4~200 K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150 K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。 展开更多
关键词 共振隧穿 重空穴和轻空穴 gaas/alas多量子阱 电流-电压特征 δ-掺杂
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