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GaAs超高速门阵列集成电路Se离子注入技术研究
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作者 张降红 宋马成 +3 位作者 郝景晨 廉亚光 张海明 曹彦新 《电子器件》 CAS 1997年第1期37-41,共5页
采用室温下Se+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量、剂量、注入角度及快速热退火温度、时间,获得了高剂量(1×1013cm-2、200Kev)下杂质激活率大于74%,注入层平均载流子浓度为(5—6)×1017-cm-2,平均载流子迁移率为3010cm2... 采用室温下Se+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量、剂量、注入角度及快速热退火温度、时间,获得了高剂量(1×1013cm-2、200Kev)下杂质激活率大于74%,注入层平均载流子浓度为(5—6)×1017-cm-2,平均载流子迁移率为3010cm2/v.s,载流子浓度分布陡峭的优质离子注入薄层,成功地研制出了3000门GaAs超高速门阵列集成电路. 展开更多
关键词 离子注入 快速热退火 砷化镓 集成电路
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