期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
X射线吸收谱对Ga_(0.946)Mn_(0.054)As薄膜中缺陷的研究
1
作者
乔媛媛
肖正国
+3 位作者
曹先存
郭浩民
史同飞
王玉琦
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期429-434,共6页
采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(MnI)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(TS=200℃)下Ga0.946Mn0.0...
采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(MnI)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(TS=200℃)下Ga0.946Mn0.054As晶格中缺陷分布以As反位原子(AsGa)为主;较高生长温度(TS>230℃)时样品中主要缺陷是Mn间隙(MnI)原子.同时,在较高低温退火温度(250℃)下可以使样品内部MnI向表面大量析出,减少反铁磁相,达到最高居里温度(130K).XAS结果还表明,退火可以使得表面的AsGa缺陷脱附,驱动周围的MnI原子填补AsGa缺陷留下的空位,提高MnGa原子浓度.
展开更多
关键词
ga
0.
946
mn
0.
054
as
稀磁半导体
X射线吸收谱
as
反位缺陷
mn
间隙原子
原文传递
题名
X射线吸收谱对Ga_(0.946)Mn_(0.054)As薄膜中缺陷的研究
1
作者
乔媛媛
肖正国
曹先存
郭浩民
史同飞
王玉琦
机构
中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期429-434,共6页
基金
中科院知识创新工程青年人才领域前沿项目基金(084N541121)资助的课题~~
文摘
采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(MnI)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(TS=200℃)下Ga0.946Mn0.054As晶格中缺陷分布以As反位原子(AsGa)为主;较高生长温度(TS>230℃)时样品中主要缺陷是Mn间隙(MnI)原子.同时,在较高低温退火温度(250℃)下可以使样品内部MnI向表面大量析出,减少反铁磁相,达到最高居里温度(130K).XAS结果还表明,退火可以使得表面的AsGa缺陷脱附,驱动周围的MnI原子填补AsGa缺陷留下的空位,提高MnGa原子浓度.
关键词
ga
0.
946
mn
0.
054
as
稀磁半导体
X射线吸收谱
as
反位缺陷
mn
间隙原子
Keywords
ga
0.
946
mn
0.
054
as
diluted magnetic semiconductor
X-ray
absorption
spectra
as
antisites
mn
interstitials
分类号
O484 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
X射线吸收谱对Ga_(0.946)Mn_(0.054)As薄膜中缺陷的研究
乔媛媛
肖正国
曹先存
郭浩民
史同飞
王玉琦
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
