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扩镓Si基溅射Ga_2O_3氮化反应生长GaN薄膜
被引量:
3
1
作者
王书运
孙振翠
+1 位作者
曹文田
薛成山
《分析测试学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期65-68,共4页
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3 氮化反应生长GaN薄膜。用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射 (SAED)、光电能谱 (XPS)和荧光光谱 (PL)对样品进行结构、形貌、组分和发光特性的分析。XRD、SAED和XPS分析证明 ,采用...
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3 氮化反应生长GaN薄膜。用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射 (SAED)、光电能谱 (XPS)和荧光光谱 (PL)对样品进行结构、形貌、组分和发光特性的分析。XRD、SAED和XPS分析证明 ,采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜。SEM显示薄膜由均匀、结合紧密的纳米微晶粒组成 ,其直径约为50~100nm。PL发光谱显示位于344nm处 ,相对于365nm明显蓝移的带边峰 。
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关键词
射频磁控溅射
氧化镓薄膜
氮化镓薄膜
扩镓硅基
结构
形貌
组分分析
发光特性
自由载流子
半导体材料
下载PDF
职称材料
题名
扩镓Si基溅射Ga_2O_3氮化反应生长GaN薄膜
被引量:
3
1
作者
王书运
孙振翠
曹文田
薛成山
机构
山东师范大学物理与电子科学学院
山东交通学院基础部
出处
《分析测试学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期65-68,共4页
文摘
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3 氮化反应生长GaN薄膜。用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射 (SAED)、光电能谱 (XPS)和荧光光谱 (PL)对样品进行结构、形貌、组分和发光特性的分析。XRD、SAED和XPS分析证明 ,采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜。SEM显示薄膜由均匀、结合紧密的纳米微晶粒组成 ,其直径约为50~100nm。PL发光谱显示位于344nm处 ,相对于365nm明显蓝移的带边峰 。
关键词
射频磁控溅射
氧化镓薄膜
氮化镓薄膜
扩镓硅基
结构
形貌
组分分析
发光特性
自由载流子
半导体材料
Keywords
r.f.magnetron
sputtering
ga
2
O
3
film
ga
N
film
ga
-
diffused
si
(
111
)
substrate
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
扩镓Si基溅射Ga_2O_3氮化反应生长GaN薄膜
王书运
孙振翠
曹文田
薛成山
《分析测试学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
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职称材料
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