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扩镓Si基溅射Ga_2O_3氮化反应生长GaN薄膜 被引量:3
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作者 王书运 孙振翠 +1 位作者 曹文田 薛成山 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期65-68,共4页
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3 氮化反应生长GaN薄膜。用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射 (SAED)、光电能谱 (XPS)和荧光光谱 (PL)对样品进行结构、形貌、组分和发光特性的分析。XRD、SAED和XPS分析证明 ,采用... 采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3 氮化反应生长GaN薄膜。用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射 (SAED)、光电能谱 (XPS)和荧光光谱 (PL)对样品进行结构、形貌、组分和发光特性的分析。XRD、SAED和XPS分析证明 ,采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜。SEM显示薄膜由均匀、结合紧密的纳米微晶粒组成 ,其直径约为50~100nm。PL发光谱显示位于344nm处 ,相对于365nm明显蓝移的带边峰 。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 氧化镓薄膜 氮化镓薄膜 扩镓硅基 结构 形貌 组分分析 发光特性 自由载流子 半导体材料
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