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题名镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响
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作者
张颖武
边义午
陈晨
周春锋
王云彪
兰天平
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第8期708-712,725,共6页
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文摘
由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗单晶电阻率均匀性的影响。当镓和硼杂质浓度分别为5.13×10^(18)cm^(-3)和0.67×10^(18)cm^(-3)时,在等径0~40 mm范围内轴向电阻率不均匀性为4.92%,等径0 mm和40 mm处径向电阻率不均匀性分别为1.63%和0.45%,与镓杂质浓度为5.13×10^(18)cm^(-3)的镓掺杂工艺相比,锗单晶头部的电阻率均匀性明显提升。当硼杂质浓度提高到1.89×10^(18)cm^(-3)时,镓硼共掺锗单晶头部电阻率均匀性变差。结果表明,适量硼掺杂的镓硼共掺工艺可以提升锗单晶头部电阻率均匀性。
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关键词
6英寸
垂直梯度凝固(VGF)法
锗单晶
镓硼共掺
电阻率
均匀性
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Keywords
6 inch
vertical gradient freeze(VGF)method
Ge single crystal
ga-b co-doping
resistivity
uniformity
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分类号
TN304.11
[电子电信—物理电子学]
TN304.053
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