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Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备及其光致发光性能研究 被引量:1
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作者 陆映东 常永勤 +4 位作者 张敬民 王明文 郭佳林 王永威 龙毅 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2057-2059,2063,共4页
采用化学气相沉积的方法,以Sn粉为催化剂制备出大长径比的Ga掺杂ZnO纳米线。采用扫描电子显微镜观察制备的产物,发现样品为直径约25~90nm的纳米线。通过比较不同Ga掺杂含量样品的室温光致发光谱,发现一定掺杂含量的Ga可以提高ZnO纳米... 采用化学气相沉积的方法,以Sn粉为催化剂制备出大长径比的Ga掺杂ZnO纳米线。采用扫描电子显微镜观察制备的产物,发现样品为直径约25~90nm的纳米线。通过比较不同Ga掺杂含量样品的室温光致发光谱,发现一定掺杂含量的Ga可以提高ZnO纳米线的紫外发光强度,同时,Ga的掺杂也会引起ZnO紫外发光峰的蓝移。随着Ga含量的增加,蓝移程度越来越小,甚至发生红移。Sn的引入只对Ga掺杂ZnO纳米线的蓝绿光有贡献。 展开更多
关键词 ga掺杂zno纳米线 光致发光 化学气相沉积
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