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题名模拟预失真功率放大器的研制
被引量：2
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作者
朱峰
方家兴
吴洪江
郝朝辉
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
装甲兵工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期595-598,614,共5页
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文摘
针对高线性功率放大器在通信领域的应用,设计了一款模拟预失真功率放大器芯片。对预失真器原理与结构进行了分析,采用兰格耦合器提高信号隔离度,利用T型结构电阻网络增加衰减量,给出了线性功率放大器的设计方案,通过抵消主功率放大器产生的三阶分量来提高线性度。利用仿真软件对预失真电路进行仿真优化,最后基于GaAs微波功率器件工艺成功研制了模拟预失真功率放大器。实验结果表明,工作频率在10.1 GHz、1 d B压缩点输出功率(P_(o(1dB)))的条件下,测得功率放大器自身的三阶交调失真比为-20 dBc,引入这种新型预失真技术后,功率放大器在Po(1 dB)下的三阶交调失真比达到-45.6 dBc,三阶交调失真改善量约25.6 dB。功率放大器的芯片面积为4.3 mm×3.00 mm。
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关键词
gaas赝配高电子迁移率晶体管(phemt)
功率放大器
模拟预失真技术
线性功率放大器
三阶交调
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Keywords
ga as pseudomorphic high electron mobility transistor（phemt）
power amplifier
analog predistortion technology
linearization power amplifier
third order intermodulation distortion
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.3
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