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适于低压低功耗工作的SOI栅控混合管(GCHT)的实验研究 被引量：2
1
作者 黄如 张兴 +1 位作者 李映雪 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期855-860,共6页
本文讨论了SOI栅控混合管（GCHT）的设计及制备．对这种器件的物理机制进行了实验验证，得到结论：GCHT漏端电流在栅压较高时趋向于双极电流，而不如文献[4]中报道是MOS电流．实验结果表明，这种混合管具有比纯MOSFET约高6．5倍，比纳BJ... 本文讨论了SOI栅控混合管（GCHT）的设计及制备．对这种器件的物理机制进行了实验验证，得到结论：GCHT漏端电流在栅压较高时趋向于双极电流，而不如文献[4]中报道是MOS电流．实验结果表明，这种混合管具有比纯MOSFET约高6．5倍，比纳BJT约高1．7倍的驱动能力，最高电流增益可达10000，最小亚阈摆幅可达66mV／dec，导通电压比纯BJT约低0．3V，比纯MOSFET约低0．7V由GCHT组成的反相器在Vdd=0.8V仍具有良好的直流传输特性．因此GCHT在低压低功耗应用领域中极具潜力，同时也将适于模拟电路方面的应用． 展开更多
关键词 SOI gcht 厚膜电路 实验
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SOI栅控混合管(GCHT)集电极电流的分区模型 被引量：2
2
作者 黄如 王阳元 韩汝琦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期894-900,共7页
本文提出了栅控混合管（GCHT）集电极电流的分区模型，在不同的基极电压范围时器件输出特性进行了讨论，与以前提出的精确全区模型[10]相比，分区模型将端电流与端电压联系起来，物理意义更为清晰，在计算效率得到提高的同时，也便于快... 本文提出了栅控混合管（GCHT）集电极电流的分区模型，在不同的基极电压范围时器件输出特性进行了讨论，与以前提出的精确全区模型[10]相比，分区模型将端电流与端电压联系起来，物理意义更为清晰，在计算效率得到提高的同时，也便于快速参数提取．本模型计算结果与全区模型计算结果及实验结果吻合较好． 展开更多
关键词 栅控混合管 gcht SOI 集电极电流 分区模型
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硅膜厚度对SOI栅控混合管性能的影响
3
作者 黄如 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期670-675,共6页
本文分析了 Ｓ Ｏ Ｉ（ Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）栅控混合管（ Ｇ Ｃ Ｈ Ｔ）中硅膜厚度对器件短沟道效应、阈值电压、亚阈斜率、零栅压电流的影响，讨论了结构参数、工艺参数对硅膜厚度作用的影响．研究表明，与常... 本文分析了 Ｓ Ｏ Ｉ（ Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）栅控混合管（ Ｇ Ｃ Ｈ Ｔ）中硅膜厚度对器件短沟道效应、阈值电压、亚阈斜率、零栅压电流的影响，讨论了结构参数、工艺参数对硅膜厚度作用的影响．研究表明，与常规 Ｓ Ｏ Ｉ Ｍ Ｏ Ｓ器件相比， Ｓ Ｏ Ｉ栅控混合管具有较低的硅膜厚度灵敏度，改善了深亚微米常规 Ｓ Ｏ Ｉ Ｍ Ｏ Ｓ器件由于硅膜厚度的影响而性能下降的问题。 展开更多
关键词 SOI 栅控混合管 gcht 硅膜厚度
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低压应用中的SOI栅控混合管的设计考虑
4
作者 黄如 杨兵 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期770-775,共6页
本文采用数值模拟方法，在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上，首次给出ＧＣＨＴ低压工作下（０．８Ｖ）的设计容区图，清晰地反映了各效应对参数要求的矛盾折中，为器件设计提供了理论依据，也为合理开发... 本文采用数值模拟方法，在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上，首次给出ＧＣＨＴ低压工作下（０．８Ｖ）的设计容区图，清晰地反映了各效应对参数要求的矛盾折中，为器件设计提供了理论依据，也为合理开发深亚微米工艺指明了方向． 展开更多
关键词 SOI栅控混合管 MOSFET 设计 gcht
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深亚微米SOI栅控混合管(GCHT)的准二维电流解析模型
5
作者 黄如 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期451-459,共9页
提出了深亚微米 SOI GCHT电流模型 .不同于普通 MOSFET短沟模型的处理 ,计及受栅电压及基极电压同时控制的可动电荷的影响 ,采用准二维分析及抛物线近似 ,求出沟道长度及漏端电压对源端表面势的影响 ,较好地反映了电荷共享效应及 DIBL效... 提出了深亚微米 SOI GCHT电流模型 .不同于普通 MOSFET短沟模型的处理 ,计及受栅电压及基极电压同时控制的可动电荷的影响 ,采用准二维分析及抛物线近似 ,求出沟道长度及漏端电压对源端表面势的影响 ,较好地反映了电荷共享效应及 DIBL效应 ,并定量计算出与漏电压和栅电压同时相关的动态阈值电压漂移量 .模型中同时考虑了速度饱和效应、迁移率下降效应和沟道长度调制效应等 .该模型具有清晰的物理意义 ,从理论上解释了 GCHT具有较小的短沟效应及较高的阈值电压稳定性等物理现象 .模型计算结果与数值模拟及实验结果吻合良好 ,较好地描述了短沟 GCHT的物理特性 . 展开更多
关键词 栅控混合管 电流解析模型 SOI 深亚微米
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