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Forouhi-Bloomer离散方程在低k材料光学表征上的应用
被引量：
1
1
作者
吴恩超
江素华
+2 位作者
胡琳琳
张卫
李越生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期508-511,519,共5页
半导体工艺中对低k介质材料的精确表征是工艺监控的重要环节,传统方法如扫描电子显微镜和透射电子显微镜存在耗时长和破坏性等缺点。使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光光度法的新方法,对低k薄膜进行光学表征,得到薄...
半导体工艺中对低k介质材料的精确表征是工艺监控的重要环节,传统方法如扫描电子显微镜和透射电子显微镜存在耗时长和破坏性等缺点。使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光光度法的新方法,对低k薄膜进行光学表征,得到薄膜的折射率n、消光系数k和膜厚d,并将结果与椭偏仪的测量进行比较,证明了使用F-B方程在半导体工艺中精确表征低k材料的能力和这种方法快速无损的优点。
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关键词
低K材料
forouhi
-
bloomer
离散
方程
折射率
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职称材料
化合物半导体薄膜工艺参数的分光光度法测试
2
作者
杨柳滨
江素华
+1 位作者
郝茂盛
李越生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期351-354,共4页
化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能。介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜折射率n与膜厚d,通过材料组分与...
化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能。介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜折射率n与膜厚d,通过材料组分与折射率之间关系的分析进而得到化合物组分x,该结果用SIMS和XRD方法得到验证。由于分光光度法能够快速无损地测量反射率,并且由该反射率能够更准确地测到其组分信息,因此在实际的生产在线监控和工艺改进中有良好的应用前景。
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关键词
分光光度法
forouhi
-
bloomer
离散
方程
铝镓氦
组分分析
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职称材料
题名
Forouhi-Bloomer离散方程在低k材料光学表征上的应用
被引量：
1
1
作者
吴恩超
江素华
胡琳琳
张卫
李越生
机构
复旦大学材料科学系国家微分析中心
美国n&k科技有限公司
复旦大学微电子系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期508-511,519,共5页
文摘
半导体工艺中对低k介质材料的精确表征是工艺监控的重要环节,传统方法如扫描电子显微镜和透射电子显微镜存在耗时长和破坏性等缺点。使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光光度法的新方法,对低k薄膜进行光学表征,得到薄膜的折射率n、消光系数k和膜厚d,并将结果与椭偏仪的测量进行比较,证明了使用F-B方程在半导体工艺中精确表征低k材料的能力和这种方法快速无损的优点。
关键词
低K材料
forouhi
-
bloomer
离散
方程
折射率
Keywords
low- k material
forouhi
-
bloomer
dispersion equation
refractive index
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
化合物半导体薄膜工艺参数的分光光度法测试
2
作者
杨柳滨
江素华
郝茂盛
李越生
机构
复旦大学材料科学系国家微分析中心
上海蓝光科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期351-354,共4页
基金
上海市科学技术委员会科研计划项目资助(06DZ11414)
上海市重点学科建设项目资助(B113)
文摘
化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能。介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜折射率n与膜厚d,通过材料组分与折射率之间关系的分析进而得到化合物组分x,该结果用SIMS和XRD方法得到验证。由于分光光度法能够快速无损地测量反射率,并且由该反射率能够更准确地测到其组分信息,因此在实际的生产在线监控和工艺改进中有良好的应用前景。
关键词
分光光度法
forouhi
-
bloomer
离散
方程
铝镓氦
组分分析
Keywords
spectrophotometry
forouhi
-
bloomer
dispersion equations
A1GaN
multi-component determination
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Forouhi-Bloomer离散方程在低k材料光学表征上的应用
吴恩超
江素华
胡琳琳
张卫
李越生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
下载PDF
职称材料
2
化合物半导体薄膜工艺参数的分光光度法测试
杨柳滨
江素华
郝茂盛
李越生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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职称材料
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