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32×32长波红外焦平面器件研制和室温目标红外热图像
1
作者
张勤耀
梁平治
+2 位作者
丁瑞军
何力
杨建荣
《红外与激光工程》
EI
CSCD
1997年第3期27-30,共4页
文章介绍了32×32元长波碲镉汞混成焦平面器件研制及室温目标红外热成像演示。该器件采用MBE碲镉汞薄膜材料、全平面离子注入成结工艺、Si-CMOS读出电路、倒焊互联混成、背照工作模式。所研制的32×32元碲镉汞长波焦平面器件...
文章介绍了32×32元长波碲镉汞混成焦平面器件研制及室温目标红外热成像演示。该器件采用MBE碲镉汞薄膜材料、全平面离子注入成结工艺、Si-CMOS读出电路、倒焊互联混成、背照工作模式。所研制的32×32元碲镉汞长波焦平面器件获得了突破性进展,最新结果为Dλ*>1×1010cmHz1/2W-1,响应率不均匀性为12.4%,有效像元>98%,NETD约为0.1K(FOV=60°),响应波长8~10μm。该器件实现了室温目标红外热成像。该项工作处于国内领先水平。在研制过程中解决了一系列关键问题,为研制更大规模的红外焦平面器件奠定了坚实的技术基础。
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关键词
焦平面器件
热成像
设备
红外系统装置
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职称材料
题名
32×32长波红外焦平面器件研制和室温目标红外热图像
1
作者
张勤耀
梁平治
丁瑞军
何力
杨建荣
机构
中国科学院上海技术物理所
中国科学院上海技术物理所材料中心
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
1997年第3期27-30,共4页
文摘
文章介绍了32×32元长波碲镉汞混成焦平面器件研制及室温目标红外热成像演示。该器件采用MBE碲镉汞薄膜材料、全平面离子注入成结工艺、Si-CMOS读出电路、倒焊互联混成、背照工作模式。所研制的32×32元碲镉汞长波焦平面器件获得了突破性进展,最新结果为Dλ*>1×1010cmHz1/2W-1,响应率不均匀性为12.4%,有效像元>98%,NETD约为0.1K(FOV=60°),响应波长8~10μm。该器件实现了室温目标红外热成像。该项工作处于国内领先水平。在研制过程中解决了一系列关键问题,为研制更大规模的红外焦平面器件奠定了坚实的技术基础。
关键词
焦平面器件
热成像
设备
红外系统装置
Keywords
focal
plane
device
thermal
imaging
equipment
分类号
TN216 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
32×32长波红外焦平面器件研制和室温目标红外热图像
张勤耀
梁平治
丁瑞军
何力
杨建荣
《红外与激光工程》
EI
CSCD
1997
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