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多层平坦化互连技术
1
作者
廉亚光
郝景臣
张豫黔
《半导体情报》
2000年第5期33-36,共4页
阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明 ,该技术稳定可靠 ,是改善互连质量的可行方法 ,并已用在...
阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明 ,该技术稳定可靠 ,是改善互连质量的可行方法 ,并已用在实际电路的制造工艺中。
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关键词
隔离度
砷化镓
多层平面互连结构
集成电路
下载PDF
职称材料
题名
多层平坦化互连技术
1
作者
廉亚光
郝景臣
张豫黔
机构
电子十三所
出处
《半导体情报》
2000年第5期33-36,共4页
基金
砷化镓超高速集成电路及微波功率器件国防科技重点实验室基金资助项目
文摘
阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明 ,该技术稳定可靠 ,是改善互连质量的可行方法 ,并已用在实际电路的制造工艺中。
关键词
隔离度
砷化镓
多层平面互连结构
集成电路
Keywords
flatness
isolate
strength
hole
contact
resistance
分类号
TN430.597 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多层平坦化互连技术
廉亚光
郝景臣
张豫黔
《半导体情报》
2000
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