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Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜磁光芯片的制备及研究
1
作者
魏仑
王长征
+4 位作者
蔡英文
李爱国
张桂林
王松有
李建国
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第10期771-775,共5页
采用二分掩膜技术向溅射沉积的Co_6Ag_(94)薄膜中组合注入Fe离子,制备成具有不同Fe含量的16单元Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜磁光芯片。对制备态和退火态的Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜的物相进行了XRD研究。不同退火温度下,物相的演变反映出了退...
采用二分掩膜技术向溅射沉积的Co_6Ag_(94)薄膜中组合注入Fe离子,制备成具有不同Fe含量的16单元Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜磁光芯片。对制备态和退火态的Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜的物相进行了XRD研究。不同退火温度下,物相的演变反映出了退火过程中Co、Fe相和FeCo相纳米微晶的析出长大过程。采用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面的研究结果表明,在退火过程中形成了嵌于基底中的纳米颗粒相。对制备态和不同温度退火后芯片各单元的磁光性能进行了测量,结果表明极向Kerr旋转角θ_k随着注入Fe含量的增加而增大,这可归因于颗粒膜中铁磁相的增多。在500℃以下,随着退火温度的增加,Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜的克尔磁光效应增加。对不同温度退火的样品进行穆斯堡尔谱测量,结果证明一定尺寸纳米Fe微晶颗粒的出现是磁光效应提高的主要原因之一。
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关键词
磁光芯片
组合离子注入
fe
-(
co
6
ag
94
)
颗粒
膜
克尔效应
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职称材料
题名
Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜磁光芯片的制备及研究
1
作者
魏仑
王长征
蔡英文
李爱国
张桂林
王松有
李建国
机构
中国科学院上海原子核研究所
上海交通大学材料科学与工程学院
复旦大学光科学与工程系
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第10期771-775,共5页
基金
国家自然科学基金(No.19975067和No.10075074)
文摘
采用二分掩膜技术向溅射沉积的Co_6Ag_(94)薄膜中组合注入Fe离子,制备成具有不同Fe含量的16单元Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜磁光芯片。对制备态和退火态的Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜的物相进行了XRD研究。不同退火温度下,物相的演变反映出了退火过程中Co、Fe相和FeCo相纳米微晶的析出长大过程。采用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面的研究结果表明,在退火过程中形成了嵌于基底中的纳米颗粒相。对制备态和不同温度退火后芯片各单元的磁光性能进行了测量,结果表明极向Kerr旋转角θ_k随着注入Fe含量的增加而增大,这可归因于颗粒膜中铁磁相的增多。在500℃以下,随着退火温度的增加,Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜的克尔磁光效应增加。对不同温度退火的样品进行穆斯堡尔谱测量,结果证明一定尺寸纳米Fe微晶颗粒的出现是磁光效应提高的主要原因之一。
关键词
磁光芯片
组合离子注入
fe
-(
co
6
ag
94
)
颗粒
膜
克尔效应
Keywords
M
ag
neto-optic chip,
co
mbinatorial ion implantation,
fe
-(
co
6
ag
94
) granular films, Kerr ef
fe
ct CLC O48,TB43
分类号
O48 [理学—固体物理]
TB43 [理学—物理]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
Fe-(Co_6Ag_(94))颗粒膜磁光芯片的制备及研究
魏仑
王长征
蔡英文
李爱国
张桂林
王松有
李建国
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
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