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一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型 被引量：3
1
作者 邵雪 余志平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1191-1196,共6页
提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显... 提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显示纳米尺度的FinFET器件具有良好的开关特性和亚阈值特性.这个模型还能适用于量子线等其他三维结构的纳米器件. 展开更多
关键词 非平衡态 准三维 fet模型 Finfet 格林函数方法 量子力学模型 态密度分布 薛定谔方程 亚阈值特性 弹道输运 纳米器件 三维结构 开关特性 纳米尺度 模拟结果 泊松方程 载流子 横截面 量子线 求解
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氮化镓HEMT器件的新型Cold FET模型
2
作者 郑惟彬 李晨 +2 位作者 李辉 陈堂胜 任春江 《电子器件》 CAS 2008年第6期1765-1768,共4页
改进等效寄生电感的提取对提高小信号等效电路模型的仿真精度具有重要意义,尤其是氮化镓器件(GaN)。针对传统的等效寄生电感提取方法,本文推导了用于GaN HEMT器件的新型Cold FET模型及参数提取。通过对栅宽分别为200μm和1 000μm GaN H... 改进等效寄生电感的提取对提高小信号等效电路模型的仿真精度具有重要意义,尤其是氮化镓器件(GaN)。针对传统的等效寄生电感提取方法,本文推导了用于GaN HEMT器件的新型Cold FET模型及参数提取。通过对栅宽分别为200μm和1 000μm GaN HEMT的仿真/测试,表明:新的Cold FET模型可用于GaN HEMT器件等效寄生电感的提取。这将有助于场效应晶体管模型的研究。 展开更多
关键词 氮化镓 高电子迁移率晶体管 COLD fet模型
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是德科技先进的DynaFET建模系统在中电十三所搭建成功
3
《半导体信息》 2017年第5期23-24,共2页
电子网消息,是德科技日前宣布,其先进的DynaFET建模系统在中国电子科技集团公司第十三研究所（以下简称为中电十三所）顺利搭建成功。DynaFET是以非线性矢量网络分析仪（NVNA）和人工神经网络（ANN）为基础的创新性的化合物半导体晶体... 电子网消息,是德科技日前宣布,其先进的DynaFET建模系统在中国电子科技集团公司第十三研究所（以下简称为中电十三所）顺利搭建成功。DynaFET是以非线性矢量网络分析仪（NVNA）和人工神经网络（ANN）为基础的创新性的化合物半导体晶体管非线性模型。与许多其他的氮化镓/砷化镓模型不同,可扩展的DynaFET模型可生成通用的全局模型,而无需额外针对特定应用的参数调整,可应用于各类功率放大器的设计。 展开更多
关键词 中国电子科技集团公司 建模系统 非线性模型 矢量网络分析仪 化合物半导体 人工神经网络 fet模型 功率放大器
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由自动采集的器件参数直接构造的与工艺技术无关的大信号非准静态FET模型
4
作者 高葆新 谢爱国 《电子技术（上海）》 北大核心 1992年第11期17-19,21,共4页
从原理上讲,非线性模型方程及其有关参数值可以从器件加工工艺中的各种物理参数获得。另一方面,非线性特点也可以用经验公式来模拟。其中系数的确定(参数提取)可以利用优化技术,通过对测得的数据进行拟合完成。通常,在工程实践中,以上... 从原理上讲,非线性模型方程及其有关参数值可以从器件加工工艺中的各种物理参数获得。另一方面,非线性特点也可以用经验公式来模拟。其中系数的确定(参数提取)可以利用优化技术,通过对测得的数据进行拟合完成。通常,在工程实践中,以上两种方法对于定量的非线性电路设计都是不够的。在此我们提出的方法是,测出器件特性参数,然后,从这些数据构造出分别用于直流、小信号以及大信号分析的非线性模型函数。所得的FET模型具有以下特点:(1)它具有极好的通用性;(2)与所采用的器件加工技术及工艺过程无关,因为这些计算过程对于任何器件都适用,只要该器件能用等效电路表示就行;(3)该模型十分具体、精确,这表现在计算中包括了各器件依赖于V_(GS)和V_(DS)特有的非线性;(4)该模型是非准静态的,因为它考虑了频率色散效应。根据比例换算原理,它可以模拟各种结构的器件。 展开更多
关键词 fet模型 信号 非线性电路 器件参数
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一种新的宽带FET模型理论理论和计算机的分析计算
5
作者 林海 沈秀英 《上海半导体》 1992年第4期1-7,11,共8页
关键词 宽带 fet模型 场效应器件 计算机
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用全地区MOSFET建模进行CMOS模拟设计
6
作者 M6rcio Cherem Schneider（著） 《国外科技新书评介》 2011年第1期19-19,共1页
本书是模拟集成电路设计课程的一本经典教材，作者从CMOS技术的前沿出发，结合丰富的工程和教学经验，对CMOS模拟电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题给出了详尽论述，阐述了全地区MOSFET建模的设计方法。本书覆盖了模拟电路设计... 本书是模拟集成电路设计课程的一本经典教材，作者从CMOS技术的前沿出发，结合丰富的工程和教学经验，对CMOS模拟电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题给出了详尽论述，阐述了全地区MOSFET建模的设计方法。本书覆盖了模拟电路设计的基本知识。不同于以往标准的平方率模型，本书介绍了一种对各个应用领域都有效的基于MOSFET模型的独特的设计方法。 展开更多
关键词 CMOS技术 MOSfet 模拟设计 建模 模拟电路设计 fet模型 模拟集成电路 设计方法
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是德科技先进的DynaFET建模系统在中电十三所搭建成功
7
《国外电子测量技术》 2017年第9期29-29,共1页
2017年9月4日,是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布,其先进的DynaFET建模系统在中国电子科技集团公司第十三研究所（以下简称为中电十三所）顺利搭建成功。DynaFET是以非线性矢量网络分析仪（NVNA）和人工神经网络（ANN）为基础的创新... 2017年9月4日,是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布,其先进的DynaFET建模系统在中国电子科技集团公司第十三研究所（以下简称为中电十三所）顺利搭建成功。DynaFET是以非线性矢量网络分析仪（NVNA）和人工神经网络（ANN）为基础的创新性的化合物半导体晶体管非线性模型。与许多其他的氮化镓/砷化镓模型不同,可扩展的DynaFET模型可生成通用的全局模型. 展开更多
关键词 中国电子科技集团公司 建模系统 非线性模型 矢量网络分析仪 化合物半导体 人工神经网络 fet模型 全局模型
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CMC相中两款MOSFET模型实施标准化拟取代BSIM3／4
8
《现代电子技术》 2005年第13期i003-i003,共1页
Compact Model Council(CMC)已经选中两款下一代金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)模型进行标准化，以取代现有的行业标准BSIM3与BSIM4模型。
关键词 标准化 fet模型 金属氧化物半导体场效应管 MOS Compact C相 CM Model 行业标准
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