FeS_2薄膜光电性能研究进展 被引量：11

1

作者 黄伟 孟亮 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期494-499,共6页

对FeS2 薄膜光电性能的研究现状进行了分析 ,综述了制备方法、硫化工艺及掺杂元素对FeS2 薄膜光电性能的影响以及光电转换效率的研究进展 ,讨论了FeS2 薄膜这种先进太阳能电池材料研究中现存的问题和发展方向。

关键词 fes2薄膜 光电性能 制备工艺 二硫化铁 太阳能电池

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薄膜生长基底对FeS_2晶体取向的影响 被引量：9

2

作者 刘艳辉 孟亮 张秀娟 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期373-379,共7页

用Fe膜硫化法制备FeS2薄膜,分析了基底对FeS2薄膜晶体结构和位向分布的影响.结果表明,改变基底晶体的类型能够在一定程度上控制FeS2薄膜的晶体位向分布.FeS2薄膜在Si(100)、Si(111)和Al基底上可获得(200)方向的择优取向,在TiO2基底上可... 用Fe膜硫化法制备FeS2薄膜,分析了基底对FeS2薄膜晶体结构和位向分布的影响.结果表明,改变基底晶体的类型能够在一定程度上控制FeS2薄膜的晶体位向分布.FeS2薄膜在Si(100)、Si(111)和Al基底上可获得(200)方向的择优取向,在TiO2基底上可同时获得(200)及(220)择优取向,非晶玻璃基底对位向分布影响不明显.不同的基底与Fe薄膜的界面错配度不同,可改变薄膜晶体位向的分布,导致晶格畸变程度和晶粒尺寸的变化.当基底为非晶结构或界面的错配度较大时,FeS2晶体的取向分布主要受表面能和晶粒优先生长方向的控制,薄膜具有较小的晶格畸变和较细的晶粒;当基底为晶态并且界面错配度较小时,FeS2晶体取向的分布除受表面能及晶粒优先生长方向控制外,还受界面应变能的控制,此时薄膜易形成较大的品格畸变和粗晶粒. 展开更多

关键词 无机非金属材料 fes2薄膜 Fe膜硫化法 晶体取向 表面能 界面应变能

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厚度对FeS_2薄膜的光电性能的影响 被引量：7

3

作者 黄伟 刘艳辉 孟亮 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期533-537,共5页

采用Fe膜硫化工艺制备不同厚度的FeS2 薄膜。研究了不同厚度FeS2 薄膜的晶体结构、电阻率、载流子浓度、光吸收系数以及禁带宽度 (Eg)。结果表明 ,随着薄膜厚度的增加 ,FeS2 的电阻率升高 ,载流子浓度下降 ,在高吸收区FeS2 薄膜的光吸... 采用Fe膜硫化工艺制备不同厚度的FeS2 薄膜。研究了不同厚度FeS2 薄膜的晶体结构、电阻率、载流子浓度、光吸收系数以及禁带宽度 (Eg)。结果表明 ,随着薄膜厚度的增加 ,FeS2 的电阻率升高 ,载流子浓度下降 ,在高吸收区FeS2 薄膜的光吸收系数也呈下降趋势。当薄膜厚度小于 130nm时 ,薄膜厚度增加可导致其禁带宽度上升 ,当薄膜厚度大于 130nm时 ,薄膜厚度增大反而会导致禁带宽度下降。 展开更多

关键词 厚度 fes2薄膜 光电性能 光学性能 电学性能 立方晶系 二硫化铁 太阳能材料

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Fe膜硫化合成FeS_2薄膜的光电性能 被引量：8

4

作者 孟亮 黄伟 刘艳辉 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期308-312,共5页

研究了纯Fe膜在 2 0 0～ 6 0 0℃硫化 10h及 5 0 0℃硫化 1～ 10h条件下形成FeS2 薄膜过程中的结构、光吸收、禁带宽度及电阻率的变化规律。纯Fe膜虽在 2 0 0℃即有硫化反应发生 ,但只有在 30 0℃以上硫化时 ,薄膜才会出现明显的禁带宽... 研究了纯Fe膜在 2 0 0～ 6 0 0℃硫化 10h及 5 0 0℃硫化 1～ 10h条件下形成FeS2 薄膜过程中的结构、光吸收、禁带宽度及电阻率的变化规律。纯Fe膜虽在 2 0 0℃即有硫化反应发生 ,但只有在 30 0℃以上硫化时 ,薄膜才会出现明显的禁带宽度 ,并随硫化温度升高 ,禁带宽度下降。硫化时间对薄膜禁带宽度影响不明显。随硫化温度升高及硫化时间延长 ,薄膜电阻率上升。由于硫化参数的变化能够引起薄膜相结构、晶体缺陷及薄膜完整性的变化 ,因此可以导致薄膜光电性能的变化。 展开更多

关键词 fes2薄膜 硫化 光吸收 电阻率

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硫化温度对FeS_2薄膜的晶体结构和光电性能的影响 被引量：4

5

作者 徐文雷 孟亮 刘茂森 《材料科学与工程》 CSCD 1999年第4期45-49,共5页

本文用磁控溅射法制备的纯Ｆｅ 膜，再在Ｓ气氛中（８０ｋＰａ）于不同的温度下（２００～６００℃）进行热硫化，硫化时间为１０ｈ，使其转变成为ＦｅＳ２薄膜，并研究了硫化温度对转变形成的ＦｅＳ２薄膜晶体结构、化学成分、组织形... 本文用磁控溅射法制备的纯Ｆｅ 膜，再在Ｓ气氛中（８０ｋＰａ）于不同的温度下（２００～６００℃）进行热硫化，硫化时间为１０ｈ，使其转变成为ＦｅＳ２薄膜，并研究了硫化温度对转变形成的ＦｅＳ２薄膜晶体结构、化学成分、组织形貌和光电性能的影响规律。 展开更多

关键词 fes2薄膜 热硫化 薄膜结构 磁控溅射法

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浸渍法制备色素增感太阳电池FeS2/TiO2复合薄膜 被引量：1

6

作者 张晨宁 胡志强 +3 位作者 刘丽红 苏岩 巩翠翠 李璞 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期532-535,共4页

采用溶液浸渍法在ITO导电玻璃表面的多孔TiO2薄膜上沉积了FeS2薄膜。在硫气氛中热处理后,制得了FeS2/TiO2复合薄膜。采用FeS2/TiO2薄膜作为正电极组装成色素增感太阳电池(DSSC)。应用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、数显测厚指示表... 采用溶液浸渍法在ITO导电玻璃表面的多孔TiO2薄膜上沉积了FeS2薄膜。在硫气氛中热处理后,制得了FeS2/TiO2复合薄膜。采用FeS2/TiO2薄膜作为正电极组装成色素增感太阳电池(DSSC)。应用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、数显测厚指示表、可见-紫外分光光度计、XJCM-8型太阳电池测试仪等研究了FeS2/TiO2薄膜的不同热处理条件、薄膜表面形貌、厚度、吸光度以及光电性能。结果表明:此方法制得的FeS2/TiO2复合薄膜具有良好的光电性能,适宜用于制备DSSC电池。 展开更多

关键词 溶液浸渍法 多孔TiO2薄膜 fes2薄膜 fes2/TiO2复合薄膜 DSSC

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掺杂对FeS_2薄膜光电性能的影响 被引量：4

7

作者 张辉 张仁刚 +2 位作者 万冬云 王宝义 魏龙 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期423-427,共5页

采用磁控溅射淀积合金膜和纯铁膜,通过离子注入掺杂,研究了不同条件下FeS2薄膜的晶体结构,光吸收系数、电阻率、载流子浓度等光电性能,并用正电子湮灭谱研究了膜内的空位缺陷。结果表明,掺杂提高了薄膜的导电性能。离子注入使薄膜光吸... 采用磁控溅射淀积合金膜和纯铁膜,通过离子注入掺杂,研究了不同条件下FeS2薄膜的晶体结构,光吸收系数、电阻率、载流子浓度等光电性能,并用正电子湮灭谱研究了膜内的空位缺陷。结果表明,掺杂提高了薄膜的导电性能。离子注入使薄膜光吸收系数增加,禁带宽度上升,霍尔迁移率提高;合金溅射导致光吸收系数降低,禁带宽度下降,载流子浓度升高。注入Zn2+退火前空位浓度较大,退火后空位浓度低于纯FeS2膜。 展开更多

关键词 太阳电池 fes2薄膜 掺杂 光电性能 正电子湮灭谱

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FeS_2光电薄膜的研究现状和趋势 被引量：4

8

作者 彭鹏 郝锋 +3 位作者 刘悦琦 黄朝晖 房明浩 刘艳改 《现代技术陶瓷》 CAS 2006年第4期15-18,共4页

黄铁矿(pyrite)结构的FeS2具有合适禁带宽度和较高光吸收系数等优良的光电特性,并且其组成元素储量丰富、环保,使得FeS2薄膜作为太阳能吸收材料在太阳能电池等光电材料方面有很广阔的应用前景。本文介绍了FeS2薄膜的制备方法以及影响其... 黄铁矿(pyrite)结构的FeS2具有合适禁带宽度和较高光吸收系数等优良的光电特性,并且其组成元素储量丰富、环保,使得FeS2薄膜作为太阳能吸收材料在太阳能电池等光电材料方面有很广阔的应用前景。本文介绍了FeS2薄膜的制备方法以及影响其光电特性的因素,综述了这种优良的太阳能电池材料在研究中的问题和研究趋势。 展开更多

关键词 fes2薄膜 光电特性 制备方法 影响因素

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Fe和Fe_3O_4硫化制备的FeS_2薄膜的性能 被引量：2

9

作者 刘艳辉 侯玲 +2 位作者 范多旺 汪洋 孟亮 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期300-304,共5页

用溅射Fe和电沉积Fe3O4先驱体硫化制备出FeS2薄膜,研究了不同先驱体对硫化过程和FeS2薄膜性能的影响．结果表明,两种先驱体结晶成的FeS2能够在一定程度上保留先驱体形貌特征．Fe生成FeS2的热力学驱动力比较高,虽然可能生成FeS的过渡相;F... 用溅射Fe和电沉积Fe3O4先驱体硫化制备出FeS2薄膜,研究了不同先驱体对硫化过程和FeS2薄膜性能的影响．结果表明,两种先驱体结晶成的FeS2能够在一定程度上保留先驱体形貌特征．Fe生成FeS2的热力学驱动力比较高,虽然可能生成FeS的过渡相;Fe硫化生成的薄膜平整致密,晶粒生长比较充分,尺寸较大,其禁带宽度接近理论值．Fe3O4硫化生成FeS2 的热力学驱动力较低,生成的薄膜表面疏松多孔,晶粒细小;薄膜的晶界等面缺陷比例较大和几何连续性较低使其电阻率较高、禁带宽度和载流子迁移率低于Fe膜硫化FeS2薄膜． 展开更多

关键词 无机非金属材料 fes2薄膜 光学性能 电学性能

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喷雾法制备FeS_2薄膜材料及其在热电池中的性能 被引量：2

10

作者 杨平 杨柳 +2 位作者 王域 李安琪 王瑞林 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第5期720-722,共3页

采用喷雾法薄膜化工艺制备了FeS_2薄膜正极,研究了薄膜正极中导电剂(超导炭黑)的添加量对热电池单体电池放电性能的影响。以异丙醇为溶剂,适量的超导炭黑为导电剂,采用喷雾法制备热电池FeS_2薄膜正极。与传统的压片制备FeS_2阴极相比,... 采用喷雾法薄膜化工艺制备了FeS_2薄膜正极,研究了薄膜正极中导电剂(超导炭黑)的添加量对热电池单体电池放电性能的影响。以异丙醇为溶剂,适量的超导炭黑为导电剂,采用喷雾法制备热电池FeS_2薄膜正极。与传统的压片制备FeS_2阴极相比,喷雾法合成的黄铁矿薄膜厚度小,在放电过程中有较高的放电比容量。在500℃,相对湿度RH<1%的条件下,测试了单体电池的放电性能。测试结果表明,5%XC-72R掺杂FeS_2材料的单体电池的放电比容量最高。 展开更多

关键词 喷雾法 fes2薄膜 单体电池

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多晶FeS_2薄膜电学性能的研究与进展 被引量：1

11

作者 井源源 刘艳辉 孟亮 《功能材料信息》 2006年第3期38-42,共5页

FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料,改善光电转换效率是主要研究方向,而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展,分析了硫化制备工艺及掺杂效应对FeS... FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料,改善光电转换效率是主要研究方向,而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展,分析了硫化制备工艺及掺杂效应对FeS2薄膜电学性能的影响,介绍了晶界势垒模型、跳跃传导模型及晶体点缺陷理论等FeS2薄膜电传导相关机制,讨论了FeS2薄膜存在的问题及发展方向。 展开更多

关键词 fes2薄膜 电学性能 工艺参数 晶体缺陷

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硫化时间对FeS_2薄膜结构和性能的影响

12

作者 吴新坤 钟南保 程树英 《福州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期374-377,共4页

在硫化温度为653 K和硫化时间分别在3、6和12 h的条件下,用硫化铁膜法制备FeS2薄膜.通过对不同条件下制备的薄膜成分、结构和光电性能研究表明：当硫化时间大于6 h时,薄膜的成分接近理想化学配比,直接光学能带间隙大约为1.15-1.17 eV,... 在硫化温度为653 K和硫化时间分别在3、6和12 h的条件下,用硫化铁膜法制备FeS2薄膜.通过对不同条件下制备的薄膜成分、结构和光电性能研究表明：当硫化时间大于6 h时,薄膜的成分接近理想化学配比,直接光学能带间隙大约为1.15-1.17 eV,电阻率约为1.3Ω.cm. 展开更多

关键词 fes2薄膜 硫化时间 制备

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