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题名新型碱性清洗液对CMP后残留SiO_2颗粒的去除
被引量：9
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作者
杨柳
刘玉岭
檀柏梅
高宝红
刘宜霖
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机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
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出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期95-99,105,共6页
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基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)
国家自然科学基金资助项目(NSFC61504037)
河北省博士后择优资助项目(B2015003010)
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文摘
随着集成电路的集成度不断提高,化学机械平坦化(CMP)后清洗在半导体工艺中显得尤为重要。本文介绍了一种自主研发的新型碱性清洗液,其主要成分为FA/OII型螯合剂和O-20非离子表面活性剂。FA/OII型螯合剂是一种有机胺碱,不仅能调节p H值,还能在CMP条件下与表面生成的Cu O和Cu(OH)_x发生反应生成稳定可溶的络合物,同时使化学吸附在表面的Si O_2随着氧化物或氢氧化物的脱落而脱离表面;O-20活性剂的表面张力较低,容易在晶圆表面铺展,将物理吸附在表面的颗粒托起,被清洗液带走。通过一系列对比试验得出,当清洗液中FA/OII型螯合剂的体积分数为0.015%,表面活性剂的体积分数为0.25%时,晶圆表面的颗粒数由抛光后的3200降到611,而且表面粗糙度较低,为1.06 nm,没有腐蚀现象。
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关键词
CMP后清洗
碱性清洗液
fa/oii型螯合剂
O-20型活性剂
表面粗糙度
表面张力
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Keywords
post CMP cleaning
alkaline cleaning solution
fa/oii chelating agent
O-20 surfactant
surface roughness
surface tension
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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