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题名FA/O阻挡层抛光液在铜布线平坦化中的应用
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作者
胡轶
何彦刚
刘玉岭
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机构
新疆师范大学化学化工学院
河北工业大学微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第10期766-770,776,共6页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)
自治区高校科研计划青年教师科研启动金项目(XJEDU2016S064)
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文摘
研发了一种FA/O阻挡层抛光液,主要成分包含硅溶胶、螯合剂和FA/O非离子型表面活性剂。使用该阻挡层抛光液进行了铜、阻挡层（Ta）和介质层（TEOS-SiO2）的去除速率选择性实验,实验表明,FA/O阻挡层抛光液对Cu的去除速率较低,对Ta和SiO2的去除速率较高,分别为4. 7,23. 5和45 nm/min。该FA/O阻挡层抛光液可有效抑制铜的去除速率,提高介质层的去除速率,可有效修正精抛过程中产生的正碟形坑和蚀坑。300 mm铜布线片抛光实验结果表明,其碟形坑深度不大于40 nm,蚀坑深度不大于30 nm。抛光后测试了介质层的电学特性,结果显示,电阻值为1. 49 kΩ,漏电流为pA级,满足300 mm铜布线工业化生产的要求。
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关键词
化学机械抛光(CMP)
fa/o阻挡层抛光液
介质层电学性能
碟形坑
蚀坑
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Keywords
chemical mechanical polishing （CMP）
fa/o barrier slurry
electrical property of the dielectric layer
dishing
erosion
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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