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倾斜衬底沉积涂层导体MgO缓冲层
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作者 韩超 瞿天睿 +2 位作者 高波 郭艳群 蔡传兵 《低温与超导》 CAS 北大核心 2023年第9期14-20,共7页
本文通过倾斜衬底沉积技术在Hastelloy基底上成功生长出具有双轴织构的MgO缓冲层。系统研究了衬底倾角分别为30°和55°,薄膜厚度对MgO双轴织构、织构角以及表面形貌的影响。ISD-MgO薄膜最小面内、外半高宽分别为11.0°和6.... 本文通过倾斜衬底沉积技术在Hastelloy基底上成功生长出具有双轴织构的MgO缓冲层。系统研究了衬底倾角分别为30°和55°,薄膜厚度对MgO双轴织构、织构角以及表面形貌的影响。ISD-MgO薄膜最小面内、外半高宽分别为11.0°和6.6°。另外,800℃下,在ISD-MgO上自外延300 nm厚的MgO薄膜可以优化其表面质量,为涂层导体的制备提供高质量缓冲层。 展开更多
关键词 倾斜衬底沉积 氧化镁:双轴织构 epitaxy-mgo(epi-mgo)
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