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退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响
1
作者
李忠
赵显
+1 位作者
李玉国
薛成山
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第7期46-47,50,共3页
获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为 1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质C = O 复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形...
获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为 1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质C = O 复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构,因量子限制效应–表面复合效应而发光。
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关键词
注碳外延硅
蓝光发射
纳米硅镶嵌结构
氮气氛中退火
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职称材料
题名
退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响
1
作者
李忠
赵显
李玉国
薛成山
机构
山东师范大学物理与电子科学学院
山东大学晶体材料国家重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第7期46-47,50,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60071006)
文摘
获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为 1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质C = O 复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构,因量子限制效应–表面复合效应而发光。
关键词
注碳外延硅
蓝光发射
纳米硅镶嵌结构
氮气氛中退火
Keywords
^
epitaxial
silicon
with
c
^+
implantation
Blue
emission
Nanometer
Si
with
embedded
stru
c
ture
N2
anealing
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响
李忠
赵显
李玉国
薛成山
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004
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