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脉冲激光薄膜制备技术 被引量:19
1
作者 李美成 杨建平 +5 位作者 王菁 吴敢 李勇华 雷占许 赵连城 陈学康 《真空与低温》 2000年第2期63-70,共8页
脉冲激光薄膜沉积是近年来受到普遍关注的制膜新技术。简要介绍了脉冲激光薄膜沉积技术的物理原理、独具的特点和研究发展动态。
关键词 脉冲激光沉积 纳米薄膜 红外探测器 硅化铂薄膜
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TiN/SiC纳米多层膜的生长结构与力学性能 被引量:22
2
作者 劳技军 孔明 +1 位作者 张惠娟 李戈扬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1961-1966,共6页
研究了TiN SiC纳米多层膜中立方SiC(B1 cubicSiC)的形成及其对TiN SiC多层膜力学性能的影响 .结果表明 :在TiN SiC多层膜中 ,非晶态的SiC层在厚度小于 0 6nm时形成立方结构并与TiN形成共格外延生长的超晶格柱状晶 ,使多层膜产生硬度... 研究了TiN SiC纳米多层膜中立方SiC(B1 cubicSiC)的形成及其对TiN SiC多层膜力学性能的影响 .结果表明 :在TiN SiC多层膜中 ,非晶态的SiC层在厚度小于 0 6nm时形成立方结构并与TiN形成共格外延生长的超晶格柱状晶 ,使多层膜产生硬度和弹性模量显著升高的超硬效应 ,最高硬度超过 6 0GPa .SiC随着层厚的增加转变为非晶相 ,从而阻止了多层膜的共格外延生长 ,使薄膜呈现TiN纳米晶和SiC非晶组成的层状结构特征 ,同时多层膜的硬度和弹性模量下降 .TiN 展开更多
关键词 立方碳化硅 氮化钛/碳化硅纳米多层膜 外延生长 超硬效应
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用于GaN生长的蓝宝石衬底化学抛光研究 被引量:20
3
作者 王晓晖 刘祥林 +1 位作者 江度 陆大成 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期867-871,共5页
蓝宝石是生长GaN材料最常用的衬底,本文研究了H2SO4和H3PO4的混合酸液的温度、混合酸的比例以及腐蚀时间对蓝宝石腐蚀速率的影响.发现在H2SO4:H3PO4=3:1的溶液中的腐蚀速率是由表面化学反应速率所控制.利用X射线双晶衍射对除去蓝... 蓝宝石是生长GaN材料最常用的衬底,本文研究了H2SO4和H3PO4的混合酸液的温度、混合酸的比例以及腐蚀时间对蓝宝石腐蚀速率的影响.发现在H2SO4:H3PO4=3:1的溶液中的腐蚀速率是由表面化学反应速率所控制.利用X射线双晶衍射对除去蓝宝石表面的机械损伤层情况进行了测量. 展开更多
关键词 氮化镓 蓝宝石 衬底 化学抛光
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脉冲激光制膜新技术及其在功能薄膜研究中的应用 被引量:15
4
作者 李美亚 王忠烈 +2 位作者 林揆训 熊光成 范守善 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期132-135,共4页
脉冲激光制膜是近年来发展的富有希望的制膜新技术。本文简要介绍了脉冲激光制膜技术的原理、特点和优势以及在功能薄膜研究中的应用。
关键词 脉冲激光制膜 功能薄膜 外延生长 PLD 薄膜技术
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TiN/SiO_2纳米多层膜的晶体生长与超硬效应 被引量:20
5
作者 魏仑 梅芳华 +2 位作者 邵楠 李戈扬 李建国 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期1742-1748,共7页
高硬度的含氧化物纳米多层膜在工具涂层上具有重要的应用价值 .研究了TiN SiO2 纳米多层膜的晶体生长特征和超硬效应 .一系列具有不同SiO2 和TiN调制层厚的纳米多层膜采用多靶磁控溅射法制备 ;采用x射线衍射、x射线能量色散谱、高分辨... 高硬度的含氧化物纳米多层膜在工具涂层上具有重要的应用价值 .研究了TiN SiO2 纳米多层膜的晶体生长特征和超硬效应 .一系列具有不同SiO2 和TiN调制层厚的纳米多层膜采用多靶磁控溅射法制备 ;采用x射线衍射、x射线能量色散谱、高分辨电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和力学性能 .结果表明 ,虽然以单层膜形式存在的TiN和SiO2 分别形成纳米晶和非晶结构 ,它们组成多层膜时会因晶体生长的互促效应而呈现共格外延生长的结构特征 .在SiO2 调制层厚度约小于 1nm时 ,多层膜呈现强烈的 (111)织构 ,并伴随着硬度和弹性模量的显著上升 ,最高硬度和弹性模量分别达到 4 4 5和 4 73GPa .进一步增加SiO2 层的厚度 ,由于SiO2 层呈现非晶态 ,多层膜的共格外延生长受到抑制 ,硬度也相应降低 .TiN调制层厚度的改变虽对多层膜的生长结构和力学性能也有影响 ,但并不明显 . 展开更多
关键词 氮化钛 二氧化硅 纳米多层膜 晶体生长 超硬效应
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面心立方晶体外延膜沉积生长中失配位错的结构与形成过程 被引量:19
6
作者 周耐根 周浪 杜丹旭 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期372-377,共6页
用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)多体势计算.模拟结果再现了失配位错的形成现象.分析表明,失配位错在形成之初即呈现为Shockley扩展位错,... 用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)多体势计算.模拟结果再现了失配位错的形成现象.分析表明,失配位错在形成之初即呈现为Shockley扩展位错,即由两个伯格斯矢量为〈211〉/6的部分位错和其间的堆垛层错组成,两个部分位错的间距、即层错宽度为1·8nm,与理论计算结果一致;外延晶体薄膜沉积生长中,位错对会发生滑移,但其间距保持稳定.进一步观察发现,该扩展位错产生于一种类似于“局部熔融-重结晶”的表层局部无序紊乱-有序化过程;而这种表层局部紊乱或熔融则起自于失配应力作用下表层挤出四面体的形成,这种挤出四面体在大多数情况下可由原子间相互作用拉回,其消长呈统计涨落,而在个别情况下则发展成为局部紊乱区,成为其后位错形成的核心. 展开更多
关键词 失配位错 外延生长 薄膜 分子动力学
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大功率脉冲激光纳米薄膜制备技术 被引量:10
7
作者 陈学康 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第2期86-91,共6页
讨论脉冲激光薄膜沉积技术的基本物理过程、独具的优点及可能的应用,并介绍了一些激光制备薄膜实验的结果。
关键词 纳米薄膜沉积 激光应用 外延生长
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AlN在AlN/VN纳米多层膜中的相转变及其对薄膜力学性能的影响 被引量:16
8
作者 劳技军 胡晓萍 +2 位作者 虞晓江 李戈扬 顾明元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期2259-2263,共5页
采用反应磁控溅射制备了AlN VN纳米多层膜 .研究了多层膜调制周期对AlN生长结构的影响以及纳米多层膜的力学性能 .结果表明 :小周期多层膜中的AlN以亚稳的立方相 (c AlN)存在并与VN形成共格外延生长的超晶格 .薄膜产生硬度和弹性模量升... 采用反应磁控溅射制备了AlN VN纳米多层膜 .研究了多层膜调制周期对AlN生长结构的影响以及纳米多层膜的力学性能 .结果表明 :小周期多层膜中的AlN以亚稳的立方相 (c AlN)存在并与VN形成共格外延生长的超晶格 .薄膜产生硬度和弹性模量升高的超硬效应 .大调制周期下 ,AlN从立方结构转变为稳定的六方相 (h AlN) ,并使多层膜形成纳米晶的“砖墙”型结构 .讨论认为VN的模板作用有利于c AlN的生长 。 展开更多
关键词 AlN/VN纳米多层膜 相转变 力学性能 外延生长 亚稳相 氮化铝 反应磁控溅射 结构
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Fe─C─Si─B合金连续激光非晶化及非晶形成条件的研究 被引量:17
9
作者 钟敏霖 刘文今 +3 位作者 姚可夫 任家烈 胡姝嫱 赵宏 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期413-419,共7页
在珠光体球墨铸铁表面Fe-C-Si-B激光共晶合金化层上获得了占整个熔池面积的80%以上的白亮层.经透射电镜明场形貌和电子选区衍射证实白亮层为非晶组织激光非晶化时熔池底部晶态基体的外延生长是影响非晶化的最关键因素.外延生长的突... 在珠光体球墨铸铁表面Fe-C-Si-B激光共晶合金化层上获得了占整个熔池面积的80%以上的白亮层.经透射电镜明场形貌和电子选区衍射证实白亮层为非晶组织激光非晶化时熔池底部晶态基体的外延生长是影响非晶化的最关键因素.外延生长的突然中断是实现非晶化的首要条件.外延生长的突然中断只有在共晶成分且成分均匀。 展开更多
关键词 激光非晶化 非晶化 外延生长 非晶态合金
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(Ti,Al)N涂层的微观组织和性能 被引量:19
10
作者 陈利 吴恩熙 +2 位作者 尹飞 王社权 汪秀全 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期279-283,共5页
采用EPMA、XRD、SEM、TEM、HR-TEM、EDX、纳米压痕、氧化实验和切削实验研究了磁控溅射在硬质合金基体上沉积TiN涂层和(Ti,Al)N涂层的微观组织结构和性能。结果表明:TiN涂层晶粒为喇叭口柱状晶,(Ti,Al)N涂层为面心立方平直柱状晶,由于... 采用EPMA、XRD、SEM、TEM、HR-TEM、EDX、纳米压痕、氧化实验和切削实验研究了磁控溅射在硬质合金基体上沉积TiN涂层和(Ti,Al)N涂层的微观组织结构和性能。结果表明:TiN涂层晶粒为喇叭口柱状晶,(Ti,Al)N涂层为面心立方平直柱状晶,由于固溶了Al元素,(Ti,A l)N涂层呈(200)面择优生长;(Ti,Al)N涂层在硬质合金基体上无外延生长;(Ti,Al)N涂层在800℃氧化后形成Al2O3/TiO2/(Ti,Al)N的分层结构;(Ti,Al)N涂层具有更高的硬度和更好的切削性能。 展开更多
关键词 (TI AL)N涂层 硬质合金 外延生长 氧化性能 切削性能
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Epitaxial growth and cracking of highly tough 7YSZ splats by thermal spray technology 被引量:17
11
作者 Lin CHEN Guan-Jun YANG 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE CSCD 2018年第1期17-29,共13页
Thermally sprayed coatings are essentially layered materials and contain large numbers of lamellar pores. It is thus quite necessary to clarify the formation mechanism of lamellar pores which significantly influence c... Thermally sprayed coatings are essentially layered materials and contain large numbers of lamellar pores. It is thus quite necessary to clarify the formation mechanism of lamellar pores which significantly influence coating performances. In the present study, to elaborate the formation mechanism of lamellar pores, the yttria-stabilized zirconia(ZrO_2–7 wt% Y_2O_3, 7YSZ) splats, which have high fracture toughness and tetragonal phase stability, were employed. Interestingly, anomalous epitaxial growth occurred for all deposition temperatures in spite of the extremely high cooling rate,which clearly indicated chemical bonding and complete contact at splat/substrate interface before splat cooling. However, transverse spallation substantially occurred for all deposition temperatures in spite of the high fracture toughness of 7YSZ, which revealed that the lamellar pores were from transverse cracking/spallation due to the large stress during splat cooling. Additionally, fracture mechanics analysis was carried out, and it was found that the stress arose from the constraint effect of the shrinkage of the splat by locally heated substrate with the value about 1.97 GPa. This clearly demonstrated that the stress was indeed large enough to drive transverse cracking/spallation forming lamellar pores during splat cooling. All of these contribute to understanding the essential features of lamellar bonding and further tailoring the coating structures and performance. 展开更多
关键词 epitaxial growth crack patterns transverse cracking/spallation stress locally heated substrate
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PECVD法氮化硅薄膜的研究 被引量:9
12
作者 吴大维 范湘军 +2 位作者 郭怀喜 张志宏 李世宁 《材料科学与工程》 CSCD 1997年第1期46-49,共4页
本文采用射频等离子体增强化学气相生长法(PECVD),在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜,经X射线衍射测试发现,在(100)晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为(101)晶向的外延生长膜。还用红外吸收光谱拉曼光谱和X射线光电子能谱... 本文采用射频等离子体增强化学气相生长法(PECVD),在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜,经X射线衍射测试发现,在(100)晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为(101)晶向的外延生长膜。还用红外吸收光谱拉曼光谱和X射线光电子能谱测试了β-Si3N4的特性,讨论了它在微电子学中的应用。 展开更多
关键词 PECVD 外延生长 氮化硅 薄膜
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TiN/Si_3N_4纳米多层膜的生长结构与超硬效应 被引量:13
13
作者 胡晓萍 董云杉 +2 位作者 孔明 李戈扬 顾明元 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期263-267,274,共6页
采用磁控溅射方法制备了一系列不同Si3N4和TiN层厚的TiN/Si3N4纳米多层膜,采用X射线衍射、高分辨电子显微分析和微力学探针表征了薄膜的微结构和力学性能,研究了Si3N4和TiN层厚对多层膜生长结构和力学性能的影响。结果表明:当Si3N4层厚... 采用磁控溅射方法制备了一系列不同Si3N4和TiN层厚的TiN/Si3N4纳米多层膜,采用X射线衍射、高分辨电子显微分析和微力学探针表征了薄膜的微结构和力学性能,研究了Si3N4和TiN层厚对多层膜生长结构和力学性能的影响。结果表明:当Si3N4层厚小于0.7 nm时,原为非晶的Si3N4在TiN的模板作用下晶化并与之形成共格外延生长的柱状晶,使TiN/Si3N4多层膜产生硬度和弹性模量异常升高的超硬效应。最高硬度和弹性模量分别为34.0 GPa和353.5 GPa。当其厚度大于1.3 nm时,Si3N4呈现非晶态,阻断了TiN的外延生长,多层膜的力学性能明显降低。此外,TiN层厚的增加也会对TiN/Si3N4多层膜的生长结构和力学性能造成影响,随着TiN层厚的增加,多层膜的硬度和弹性模量缓慢下降。 展开更多
关键词 TiN/Si3N4纳米多层膜 Si3N4晶化 外延生长 超硬效应
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TaN/TiN和NbN/TiN纳米结构多层膜超硬效应及超硬机理研究 被引量:15
14
作者 喻利花 董师润 +1 位作者 许俊华 李戈扬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期7063-7068,共6页
采用射频磁控溅射方法制备单层TaN,NbN和TiN薄膜和不同调制周期的TaN/TiN和NbN/TiN纳米多层膜.薄膜采用X射线衍射仪、高分辨率透射电子显微镜和显微硬度仪进行表征.结果表明TaN/TiN和NbN/TiN纳米多层膜在一定的调制周期范围内均呈共格界... 采用射频磁控溅射方法制备单层TaN,NbN和TiN薄膜和不同调制周期的TaN/TiN和NbN/TiN纳米多层膜.薄膜采用X射线衍射仪、高分辨率透射电子显微镜和显微硬度仪进行表征.结果表明TaN/TiN和NbN/TiN纳米多层膜在一定的调制周期范围内均呈共格界面,相应地均出现了超硬效应,且最大硬度值接近.分析了TaN/TiN与NbN/TiN纳米多层膜的超硬机理,TaN/TiN的晶格错配度与NbN/TiN的接近,但TaN/TiN的弹性模量差与NbN/TiN的有一定的差别,表明由于晶格错配使共格外延生长在界面处产生的交变应力场是发生超硬效应的主要因素. 展开更多
关键词 TaN/TiN纳米多层膜 NbN/TiN纳米多层膜 外延生长 超硬效应
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石墨烯外延生长及其器件应用研究进展 被引量:16
15
作者 王霖 田林海 +3 位作者 尉国栋 高凤梅 郑金桔 杨为佑 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1009-1019,共11页
石墨烯具有优异的物理和电学性能,已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一.本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性,详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、高质量的外延生长技术,系统论述了不同SiC和金属... 石墨烯具有优异的物理和电学性能,已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一.本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性,详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、高质量的外延生长技术,系统论述了不同SiC和金属衬底外延生长石墨烯的研究进展,并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、发光二极管、超级电容器及锂离子电池等光电器件方面的最新研究进展.外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米量级石墨烯的成功制备,同时可实现其厚度从单层、双层到少数层的调控,有望成为高质量、与传统电子工艺兼容、低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术,为其器件应用奠定基础. 展开更多
关键词 石墨烯 外延生长 器件 进展 综述
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脉冲激光沉积技术在磁性薄膜制备中的应用 被引量:9
16
作者 邓联文 江建军 何华辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第2期66-68,共3页
脉冲激光沉积制膜(PLD)是近年来迅速发展起来的制膜新技术,首先简要介绍了脉冲激光沉积技术的原理、特点和优势以及在磁性功能薄膜研究中的应用,最后说明了该技术的最新发展趋势。
关键词 脉冲激光沉积技术 制备 磁性薄膜 外延生长 超晶格 成膜机理
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激光选区熔化成形Ti-6Al-4V钛合金的组织和拉伸性能(英文) 被引量:15
17
作者 李怀学 黄柏颖 +1 位作者 孙帆 巩水利 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S2期209-212,共4页
激光选区熔化技术(SLM)是一种精密增材制造工艺方法,它利用高亮度激光逐层熔化无粘结剂的金属粉末,可制造各种复杂零件。为评价SLM技术的特征,利用SLM技术制备了Ti-6Al-4V合金样件,分析了其表面特征、组织、显微硬度和拉伸性能。结果显... 激光选区熔化技术(SLM)是一种精密增材制造工艺方法,它利用高亮度激光逐层熔化无粘结剂的金属粉末,可制造各种复杂零件。为评价SLM技术的特征,利用SLM技术制备了Ti-6Al-4V合金样件,分析了其表面特征、组织、显微硬度和拉伸性能。结果显示:沉积态Ti-6Al-4V合金样件的表面粗糙度约为Ra=10μm;存在明显外延生长,组织为柱状晶,平行和垂直生长方向的组织呈现各向异性,而显微硬度差异不显著。SLM成形Ti-6Al-4V alloy的拉伸性能与锻件标准相当。 展开更多
关键词 增材制造 钛合金 激光选区熔化 外延生长
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不同衬底上低温生长的ZnO晶体薄膜的结构及光学性质比较 被引量:8
18
作者 邱东江 吴惠桢 +1 位作者 金进生 徐晓玲 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2001年第1期5-8,共4页
采用电子束反应蒸发方法 ,在单晶Si(0 0 1)及玻璃衬底上低温外延生长了沿c轴高度取向的单晶ZnO薄膜 ,并对沉积的ZnO晶体薄膜的结构和光学性质进行了分析比较。通过对ZnO薄膜的X射线衍射 (XRD)分析及光致荧光激发谱(PLE)测量 ,研究了衬... 采用电子束反应蒸发方法 ,在单晶Si(0 0 1)及玻璃衬底上低温外延生长了沿c轴高度取向的单晶ZnO薄膜 ,并对沉积的ZnO晶体薄膜的结构和光学性质进行了分析比较。通过对ZnO薄膜的X射线衍射 (XRD)分析及光致荧光激发谱(PLE)测量 ,研究了衬底材料结构特性、生长温度及反应气氛中充O2 对ZnO薄膜的晶体结构和晶体光学吸收特性的影响。结果表明 :①衬底温度对沉积的ZnO薄膜的晶体结构影响显著 ,玻璃衬底上生长ZnO薄膜的最佳温度比Si(0 0 1)衬底上生长的最佳温度要高 70℃ ;②虽在最佳生长条件下获得的ZnO薄膜的XRD结果 (半高宽和衍射强度 )相近 ,但光学吸收特性有较大差异 ,Si(0 0 1)衬底上生长的ZnO薄膜优于玻璃衬底上生长的ZnO薄膜 ;③反应气氛中的O2 分压对XRD结构影响不大 ,但对PLE谱影响显著 ,充O2 展开更多
关键词 电子束反应蒸发 结构 光学特性 氧化锌晶体薄膜 低温生长
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CVD金刚石大单晶外延生长及高技术应用前景 被引量:14
19
作者 吕反修 黑立富 +4 位作者 刘杰 宋建华 李成明 唐伟忠 陈广超 《热处理》 CAS 2013年第5期1-12,共12页
CVD(化学气相沉积)金刚石大单晶生长是CVD金刚石膜研究领域在过去十余年中所取得的重大技术进展之一,在一系列高新技术领域有极其重要的应用前景。针对CVD金刚石大单晶的制备和应用进行了综述。首先对CVD金刚石大单晶生长技术进行了概... CVD(化学气相沉积)金刚石大单晶生长是CVD金刚石膜研究领域在过去十余年中所取得的重大技术进展之一,在一系列高新技术领域有极其重要的应用前景。针对CVD金刚石大单晶的制备和应用进行了综述。首先对CVD金刚石大单晶生长技术进行了概括性的描述,然后对CVD金刚石单晶制备方法进行详细介绍和评述。并对CVD大单晶在高性能辐射(粒子)探测器、金刚石高温半导体器件、高压物理试验、超精密加工以及在首饰钻戒等方面的应用现状与前景进行了介绍与评述。最后针对CVD高仿钻戒与天然钻戒的鉴别进行了评述,并提出了新的建议。 展开更多
关键词 金刚石大单晶 化学气相沉积(CVD) 外延生长 高技术应用
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GH536镍基高温合金焊接组织演变 被引量:13
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作者 魏振伟 陶春虎 +2 位作者 顾玉丽 刘昌奎 曲士昱 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期41-47,共7页
使用体视显微镜、光学显微镜、扫描电镜及其能谱仪对GH536焊接接头组织进行分析,结果表明:固溶态GH536由γ基体、大量M6C及少量M23C6组成;焊后,大量M6C在晶内弥散析出,在晶界和孪晶界上不连续析出,原有的碳化物长大。热影响区分为三个区... 使用体视显微镜、光学显微镜、扫描电镜及其能谱仪对GH536焊接接头组织进行分析,结果表明:固溶态GH536由γ基体、大量M6C及少量M23C6组成;焊后,大量M6C在晶内弥散析出,在晶界和孪晶界上不连续析出,原有的碳化物长大。热影响区分为三个区域:靠近母材处,存在粗大"岛链状"碳化物;中部,部分碳化物重新固溶入基体,存在"网链状"碳化物;靠近熔合线,存在碳化物贫化区。焊缝处碳化物在晶界和枝晶间析出,从边缘到中心逐渐凝固:初始阶段,组织为非外延式生长的胞状晶,生长方向垂直于熔合线;中间阶段,组织转变为柱状树枝晶,且越靠近焊缝中心,晶粒尺寸越大;中心为粗大的等轴状树枝晶。焊接过程中,焊缝金属中各元素未损失。 展开更多
关键词 GH536 镍基高温合金 钨极氩弧焊 焊缝 外延生长 碳化物
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