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Cure for HIV/AIDS with Medicinal Synthetic Aluminum-Magnesium Silicate {Al<sub>4</sub>(SiO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>+ 3Mg<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>→ 2Al<sub>2</sub>Mg<sub>3</sub>(SiO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>}—A Case Report 被引量:1
1
作者 M.C.O.Ezeibe N.K.Aneke +11 位作者 T.N.Obarezi F.Onyeachonam M.E.Sanda I.J.Ogbonna E.Kalu U.N.Njoku M.Udobi O.E.Ekundayo O.I.O.Ifenkwe M.C.Igwe T.O.Ogbodo U.C.Agu 《World Journal of AIDS》 2019年第3期161-166,共6页
HIV/AIDS is an immune deficiency disease, caused by an RNA virus (positively charged pathogen). It is still being regarded as mysteriously incurable but in Nigeria many patients have been cured (they became HIV-antibo... HIV/AIDS is an immune deficiency disease, caused by an RNA virus (positively charged pathogen). It is still being regarded as mysteriously incurable but in Nigeria many patients have been cured (they became HIV-antibody and antigen negative) by exploiting electrostatic attraction between pathogens and opposite electrical charges that are on Nanoparticles of Medicinal synthetic Aluminum-magnesium silicate (MSAMS) and by using antioxidants to relieve oxidative stress. To confirm the cure, as permanent, a patient (adult male) whose CD4 count increased (P < 0.05) from 685 to 820 while his viral load became undetectable (<20) and he became HIV-negative (antibody and antigen) following the treatment, was tested, every month, post treatment, for HIV-antibody. He has remained HIV-negative for 10 months without being on any antiretroviral medicine (ARV). Longest window period (period HIV-infected person may test antibody-negative) is only 6 months. These results confirm that treatment with the MSAMS and antioxidants normalizes immunity and terminates HIV-infections. 展开更多
关键词 MSAMS Antiviral/Anticancer Features/Mechanisms Size (Smaller than Viruses/Cancer-Cells) electrostatic-bonding Immune-Stimulation Efficacy-Enhancing
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通用型耐高温微型压力传感器封装工艺研究 被引量:3
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作者 王权 丁建宁 王文襄 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2005年第6期6-7,共2页
针对通用型高温微型压力传感器的测量要求,采用SIMOX(separationbyimplantedoxygen)技术SOI(silicononinsulator)晶片4层结构Pt5Si2-Ti-Pt-Au合金化引线系统,解决了高温压力传感器引线的难点。制作了静电键合实验装置,完成了硅/玻璃环... 针对通用型高温微型压力传感器的测量要求,采用SIMOX(separationbyimplantedoxygen)技术SOI(silicononinsulator)晶片4层结构Pt5Si2-Ti-Pt-Au合金化引线系统,解决了高温压力传感器引线的难点。制作了静电键合实验装置,完成了硅/玻璃环静电键合,制作了压焊工作台,选用退火后的金丝,金金连接完成内引线键合。自制了耐高温覆铜传引板,定制了含Ag的高温焊锡丝,选用了耐高温导线作为外导线,完成了耐高温封装的关键部分。研制了高精度、稳定性的压阻式压力传感器。 展开更多
关键词 高温压力传感器 引线 静电键合 热压焊 耐高温封装
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应用于静电键合的透光聚氨酯弹性体阴极材料的研究
3
作者 赵浩成 刘翠荣 +3 位作者 姚志广 张莹 张志超 刘茜秀 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第22期215-220,共6页
通过原料配方选择、分子结构设计以及合成工艺优化等方法,制备了三种可用于静电键合的高透光聚氨酯弹性体电解质阴极材料(TPUEEs),该材料具有无定形结构,结晶度低,在可见光区的透光率均达到80%以上;TPUEEs具有良好的低温柔顺性和热稳定... 通过原料配方选择、分子结构设计以及合成工艺优化等方法,制备了三种可用于静电键合的高透光聚氨酯弹性体电解质阴极材料(TPUEEs),该材料具有无定形结构,结晶度低,在可见光区的透光率均达到80%以上;TPUEEs具有良好的低温柔顺性和热稳定性,其玻璃化转变温度T g均低于-40℃,其5%热分解温度T d,5%均高于200℃;TPUEEs在静电键合温度(70℃)下具有较高的离子导电率,其中TPUEE3的离子导电率达到1.9×10-3 S·cm-1,满足静电键合对阴极材料的要求。通过热引导动态场静电键合工艺实现TPUEEs和铝片(Al)的静电键合封接(TPUEEs-Al),在SEM图中可观察到清晰的中间键合层,其中TPUEE3-Al的键合强度达到0.91 MPa。本研究实现了透光聚合物阴极材料的静电键合封接,为静电键合在柔性光电类器件的应用提供了理论基础和参考经验。 展开更多
关键词 静电键合 透光率 聚氨酯弹性体 柔性器件 聚合物电解质
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静电键合力引起硅微结构畸变的研究 被引量:4
4
作者 任建军 陶盛 沈绍群 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1997年第1期17-20,共4页
硅微机械力敏器件在封装时往往采用硅—玻璃静电键合的方法。但在静电键合时静电力也往往作用于不需要键合的结构部分。并可能引起这些结构的畸变,造成器件特性劣化或破坏。本文分析了静电力的这些影响。
关键词 硅微结构 静电键合 传感器 力敏器件
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一种硅芯片/玻璃环静电键合的简易装置 被引量:2
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作者 王权 丁建宁 +1 位作者 王文襄 杨平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期214-216,221,共4页
随着微机电系统(MEMS)技术的发展,促进了半导体硅压阻式压力传感器低成本和集成化,使其得到了广泛应用;在压阻式压力传感器无应力封装工艺中,硅芯片/PYREX7740玻璃环静电键合起着重要的作用。本文论述了静电键合基本原理,以此研制了适... 随着微机电系统(MEMS)技术的发展,促进了半导体硅压阻式压力传感器低成本和集成化,使其得到了广泛应用;在压阻式压力传感器无应力封装工艺中,硅芯片/PYREX7740玻璃环静电键合起着重要的作用。本文论述了静电键合基本原理,以此研制了适合于大批量生产的静电键合简易装置,实践表明此装置易操作,施加键合静电电压降为160V,键合时间缩短为约2分钟,键合界面具有较大的封接强度和耐高温冲击性,满足了压力传感器制作的无应力封装的需要,具有实用性。 展开更多
关键词 压阻式压力传感器 硅芯片 PYREX7740 静电键合 简易装置
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玻璃与铝共阳极连接工艺研究及界面机理分析 被引量:1
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作者 孔森 刘翠荣 牛兴海 《铝加工》 CAS 2012年第4期4-8,共5页
研究了铝与玻璃的阳极连接方法,采用公共阳极法和直流电源实现了玻璃/铝/玻璃的多层连接,这为多层晶片的连接以及复杂微电子装置的设计提供方法和理论基础。通过SEM、EDS和GD-OES分析手段分析了玻璃/铝的结合界面。采用instron-5544万... 研究了铝与玻璃的阳极连接方法,采用公共阳极法和直流电源实现了玻璃/铝/玻璃的多层连接,这为多层晶片的连接以及复杂微电子装置的设计提供方法和理论基础。通过SEM、EDS和GD-OES分析手段分析了玻璃/铝的结合界面。采用instron-5544万能材料试验机进行拉伸实验发现断裂发生在玻璃基体中,这表明界面的结合强度高于玻璃基体的强度,SEM断口形貌分析表明断裂界面呈贝壳状的解理断面,说明运用公共阳极可以实现多层晶片的良好键合。实验表明在温度为350℃~450℃,电压在为400 800V时,玻璃-铝-玻璃的键合质量较高。 展开更多
关键词 静电键合 玻璃 公共阳极
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基于静电键合的聚醚型聚氨酯基固体电解质柔性封装材料 被引量:1
7
作者 赵浩成 张伟玄 +5 位作者 武钰铃 阴旭 杜超 赵为刚 赵丽 刘翠荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期7040-7045,共6页
随着小型功能化移动电子装置的高速发展,制备一种柔性、长寿命的高稳定器件替代传统的刚性电子器件的重要性愈加凸显。静电键合是一种先进的材料连接技术,其连接强度高、密封性好、键合温度低、可以实现异种材料连接等特点在柔性器件的... 随着小型功能化移动电子装置的高速发展,制备一种柔性、长寿命的高稳定器件替代传统的刚性电子器件的重要性愈加凸显。静电键合是一种先进的材料连接技术,其连接强度高、密封性好、键合温度低、可以实现异种材料连接等特点在柔性器件的封装中展现出巨大的潜能。传统的聚合物固体电解质室温离子电导率低、机械性能差,无法很好的用于静电键合工艺,同时也制约了静电键合在柔性器件制备与封装中的应用。聚氨酯独特的微相分离结构赋予了其良好的物理化学性能,多样化的载流子通道、可调节的柔性链段以及拥有大量可解离锂盐的极性基团等特点使其成为理想固体电解质基体材料成为可能。从4个方面综述了聚氨酯基体材料进行分子结构设计和制备工艺优化的方法,旨在提高其室温离子电导率和机械性能,适合于静电技术的柔性器件封装。 展开更多
关键词 静电键合 聚氨酯 封装 固体电解质 柔性器件
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透射式GaAs光阴极的静电键合粘结 被引量:1
8
作者 高斐 郭晖 +5 位作者 胡仓陆 向世明 石峰 彭岔霞 冯驰 徐晓兵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1549-1552,共4页
提出了用于GaAs光阴极粘结的静电键合方法.相比于传统的热粘结方法,该方法温度低(350℃),时间短(5min),在空气中进行.所制得的GaAs光阴极在激活台内的峰值灵敏度为68.8mA/w(峰值波长为830nm).以此制作的三代微光管的积分... 提出了用于GaAs光阴极粘结的静电键合方法.相比于传统的热粘结方法,该方法温度低(350℃),时间短(5min),在空气中进行.所制得的GaAs光阴极在激活台内的峰值灵敏度为68.8mA/w(峰值波长为830nm).以此制作的三代微光管的积分灵敏度为1311uA/lm,优于传统的热粘结工艺制作的微光管的灵敏度(~1200uA/lm). 展开更多
关键词 微光像增强器 GaAs光阴极 静电键合 灵敏度
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压力传感器的硅玻静电键合 被引量:1
9
作者 张子鹤 刘振华 +1 位作者 陈勇 卢云 《世界科技研究与发展》 CSCD 2011年第2期268-270,共3页
针对MEMS压力传感器封装关键技术,从结构仿真和工艺参数等方面研究了一款压力传感器的硅玻静电键合问题,旨在减小封接对压力传感器芯片输出性能的影响。设计并制作键合装置,进而完成实验,最终优化键合温度,电压等参数值,验证最佳温度350... 针对MEMS压力传感器封装关键技术,从结构仿真和工艺参数等方面研究了一款压力传感器的硅玻静电键合问题,旨在减小封接对压力传感器芯片输出性能的影响。设计并制作键合装置,进而完成实验,最终优化键合温度,电压等参数值,验证最佳温度350℃,理想电压范围500~900 V。 展开更多
关键词 压力传感器 静电键合 实验参数
原文传递
硅与玻璃静电封接机理的研究
10
作者 冯景星 《电子科学学刊》 EI CSCD 1995年第6期661-664,共4页
本文利用板壳理论,分析在硅与玻璃静电封接时,硅与玻璃界面间的静电力与硅片弯曲应力的关系;推导出封接成功的条件,即界面间距d与电压V,刚度D,挠度ω等的关系,并进行了实验验证。
关键词 静电封接 静电力 板壳理论 玻璃 真空密封
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反向刻蚀法制备场发射阴极阵列
11
作者 向涛 黄庆安 +1 位作者 奏明 张会珍 《电子器件》 CAS 1994年第3期86-88,共3页
本文报道了硅各向异性腐蚀结合静电键合工艺制备出的大面积场发射阵列。阵列密度为10 ̄6个/cm ̄2,且具有良好的均匀性。该工艺简单、易于控制,是一种理想的制备场发射阵列的方法。
关键词 场发射阵列 各向异性腐蚀 静电键合 制备
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真空静电封接过程与分析
12
作者 吴新坤 郭太良 +3 位作者 黄振武 林建光 章秀淦 王瑞红 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2000年第2期16-19,共4页
叙述了真空静电封接技术的工艺过程 ,对封接结果做扫描电子显微镜 (SEM)断面观察 ,并对封接件断面的元素浓度的深度分布用二次离子质谱分析器 (SIMS)进行分析 ,提出了真空静电封接的类电容器结构的新模型 .
关键词 真空 静电封接 工艺 SEM 半导体 玻璃 封接质量
原文传递
耐高温压阻力敏硅芯片及静电键合工艺
13
作者 赵立波 赵玉龙 +4 位作者 热合曼.艾比布力 方续东 李建波 李勇 蒋庄德 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1162-1167,共6页
采用微型机械电子系统(MEMS)技术制作出了平膜型硅隔离(SOI)耐高温压阻力敏硅芯片,采用静电键合工艺将该力敏硅芯片封装在硼硅玻璃环上,制作出倒杯式弹性敏感单元.分析了静电键合时力敏硅芯片与玻璃环的对准偏差对力敏硅芯片非线性的影... 采用微型机械电子系统(MEMS)技术制作出了平膜型硅隔离(SOI)耐高温压阻力敏硅芯片,采用静电键合工艺将该力敏硅芯片封装在硼硅玻璃环上,制作出倒杯式弹性敏感单元.分析了静电键合时力敏硅芯片与玻璃环的对准偏差对力敏硅芯片非线性的影响;实验验证了静电键合工艺对硅芯片温度性能的影响以及制作的耐高温压力传感器的性能.结果表明,对准偏差对硅芯片的非线性有较大影响;静电键合工艺对硅芯片的零位时漂和热零点漂移影响较小;制作的耐高温压力传感器具有优良的性能指标,能满足实际的工程应用需求. 展开更多
关键词 耐高温 压阻力敏硅芯片 硅隔离 静电键合 倒杯式
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