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加偏置电场的抛物量子阱中的电光效应(英文)
被引量：
14
1
作者
郭康贤
陈传誉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1998年第6期494-498,共5页
本文利用密度矩阵方法得到了加偏置电场的抛物量子阱中电光效应的解析表达式，并以典型的ＧａＡｓ抛物量子阱为例进行了数值计算研究结果表明，电光效应随偏置电场和抛物势频率的增大而增强。
关键词
电光效应
抛物量子阱
偏置电场
砷化镓
下载PDF
职称材料
题名
加偏置电场的抛物量子阱中的电光效应(英文)
被引量：
14
1
作者
郭康贤
陈传誉
机构
广州师范学院物理系
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1998年第6期494-498,共5页
基金
广东省自然科学基金
文摘
本文利用密度矩阵方法得到了加偏置电场的抛物量子阱中电光效应的解析表达式，并以典型的ＧａＡｓ抛物量子阱为例进行了数值计算研究结果表明，电光效应随偏置电场和抛物势频率的增大而增强。
关键词
电光效应
抛物量子阱
偏置电场
砷化镓
Keywords
electro
optic
effets
Parabolic
quantum
wells
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
加偏置电场的抛物量子阱中的电光效应(英文)
郭康贤
陈传誉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1998
14
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职称材料
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引用分析
参考文献
引证文献
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