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高阻衬底CMOS外延工艺研究
1
作者
刘旸
唐冬
孔明
《微处理机》
2013年第2期9-11,共3页
针对于高阻衬底、高阻外延工艺与常规CMOS工艺的兼容性进行研究,主要讨论了CMOS外延工艺中确定有效外延层厚度的实验过程。
关键词
有效外延厚度
隔离
高阻衬底
下载PDF
职称材料
题名
高阻衬底CMOS外延工艺研究
1
作者
刘旸
唐冬
孔明
机构
中国电子科技集团公司第四十七研究所
出处
《微处理机》
2013年第2期9-11,共3页
文摘
针对于高阻衬底、高阻外延工艺与常规CMOS工艺的兼容性进行研究,主要讨论了CMOS外延工艺中确定有效外延层厚度的实验过程。
关键词
有效外延厚度
隔离
高阻衬底
Keywords
effective
epitaxial
thickness
Isolation
High
resistance
substrate
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
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1
高阻衬底CMOS外延工艺研究
刘旸
唐冬
孔明
《微处理机》
2013
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