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题名极端远紫外光刻的等离子体光源及其光学性质研究进展
被引量：1
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作者
曾交龙
高城
袁建民
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机构
国防科学技术大学理学院物理系
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出处
《物理》
CAS
北大核心
2007年第7期537-542,共6页
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基金
国家自然科学基金(批准号:10474138)资助项目
国家教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目
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文摘
现代技术的飞速发展需要集成电路不断小型化,因而开发下一代光刻光源以满足小型化的要求成为当前的一项紧迫任务。目前工业界确定的下一代光刻光源是波长为13.5nm的极端远紫外(EUV)光源,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸,氙和锑材料的等离子体光源被认为是这种光源的最佳候选者。文章在介绍EUV光刻原理和EUV光源基本概念的基础上,讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的和气体放电产生的等离子体EUV光源,对EUV光源的初步应用进行了简单介绍,并着重对氙和锑材料产生的等离子体发射性质和吸收性质的实验与理论研究进展进行了详细介绍与讨论。目前的理论研究进展表明,统计物理模型还不能很好地预测氙和锑等离子体的发射与吸收光谱,因此迫切需要发展细致能级物理模型,以得到更为精确的等离子体光学性质参数,并用于指导实验设计,提高EUV转换效率。
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关键词
极端远紫外光刻(euvL)
euv光源
激光、气体放电产生的等离子体euv光源
euv光源的发射与吸收性质
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Keywords
extreme ultraviolet （euv） lithography, extreme ultraviolet light source, laser-produced and gas discharge produced euv source, emission and absorption properties
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名激光等离子体和气体放电EUV光刻光源
被引量：7
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作者
程元丽
李思宁
王骐
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机构
哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室
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出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期561-564,共4页
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文摘
对激光等离子体和气体放电两种EUV光刻光源的发展状况进行了详细介绍 ,分析了各种激光条件和放电方式的特点及所面临的主要问题 ,对各种方案的特点、技术参数进行了对比。气体放电装置较高能激光装置结构简单、价格低 ,故气体放电EUV光源日益受到重视。
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关键词
极紫外光刻
euv光刻光源
激光等离子体
气体放电
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Keywords
euv lithography
euv source
laser induced pl asma
discharge induced plasma
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分类号
O434.19
[机械工程—光学工程]
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