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8—羟基喹啉铝电致发光薄膜的电学特性 被引量:4
1
作者 张立功 具昌南 +3 位作者 范翊 吕安德 元金山 马于光 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期350-353,共4页
用真空蒸发沉积方法制备了一种由8一羟基@4铝(发射层)/二胺(空穴输运层)双层有机膜构成的直流薄膜电致发光(EL)器件.获得了发射峰位于520um的绿色EL.EL光谱极相似于8-羟基喹啉铝粉末的光致发光(PL)光谱.... 用真空蒸发沉积方法制备了一种由8一羟基@4铝(发射层)/二胺(空穴输运层)双层有机膜构成的直流薄膜电致发光(EL)器件.获得了发射峰位于520um的绿色EL.EL光谱极相似于8-羟基喹啉铝粉末的光致发光(PL)光谱.发现当首次对该器件结构施加正向偏压激发电致发光时,出现一个形成过程.实验发现与电致发光形成过程相对应的转变电压可能同有机薄膜的品质及电极蒸发条件有关. 展开更多
关键词 电致发光 8-羟基喹啉铝 薄膜
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有机无机复合膜发光器件的研究 被引量:2
2
作者 胡学骏 谭海曙 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期918-921,929,共5页
针对聚合物电致发光(EL)材料缺乏可用的电子型聚合物半导体材料的现状,采用无机电子型半导体材料ZnO:Zn与空穴型聚合物材料poly(2,5-bis(dodecyloxy)-phenylenevinylene)(PDDOPV)成功制备了结构为ITO/PDDOPV/ZnO:Zn/Al的有机/无机复合... 针对聚合物电致发光(EL)材料缺乏可用的电子型聚合物半导体材料的现状,采用无机电子型半导体材料ZnO:Zn与空穴型聚合物材料poly(2,5-bis(dodecyloxy)-phenylenevinylene)(PDDOPV)成功制备了结构为ITO/PDDOPV/ZnO:Zn/Al的有机/无机复合膜双层器件。复合膜器件的发光效率与亮度比单层器件提高了1个数量级以上,而复合膜的电流是单层器件的0.5倍。而且,聚合物/无机物复合膜器件的发光颜色随电压的增加而蓝移,其光致发光(PL)光谱也随激发波长的改变而改变,有可能形成了新的发光基团。 展开更多
关键词 电致发光(el) 复合膜 光谱蓝移 有机薄膜 发光二极管(LED)
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EL薄膜的溅射工艺
3
作者 郭淑慈 《真空电子技术》 北大核心 1993年第4期40-42,共3页
本文介绍了采用分立型复合溅射靶制造 EL 薄膜的工艺。用这种方法可严格控制 EL 薄膜的化学计量及掺杂含量,并使掺杂物在薄膜里呈梯度分布。
关键词 el薄膜 溅射工艺 掺杂物 场致发光显示器
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电致发光粉ZnS:Cu的透明防潮包覆
4
作者 彭程 何宝林 +1 位作者 王然 哈耀 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2005年第2期9-12,共4页
在现有包覆方法基础上进行了改进且得到了满意的包覆效果.以有机硅、铝为反应物用Sol-Gel法,在微米尺度的电致发光粉表面上形成一层厚度均匀的纳米薄膜,实现了电致发光粉ZnS∶Cu的透明防潮包覆.实验结果表明:包覆3次的薄膜最均匀且致密... 在现有包覆方法基础上进行了改进且得到了满意的包覆效果.以有机硅、铝为反应物用Sol-Gel法,在微米尺度的电致发光粉表面上形成一层厚度均匀的纳米薄膜,实现了电致发光粉ZnS∶Cu的透明防潮包覆.实验结果表明:包覆3次的薄膜最均匀且致密,抗变色时间大于120min;包覆后的电致发光粉ZnS∶Cu可以保持未包覆时发光强度的93%以上,且包覆次数对发光强度的影响很小;温度低于200℃时其抗腐蚀性能良好,用透射电子显微镜(TEM)和X射线荧光探针光谱分析仪(EDXS)对包覆膜进行了表征.经过包覆后的电致发光粉表面的铝和硅含量在不断增加且硅增加的速度快于铝增加的速度. 展开更多
关键词 SOL-Gel 电致发光粉 防潮 包覆 纳米薄膜
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有机电致发光材料 被引量:6
5
作者 邱勇 胡晓明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期56-59,共4页
有机电致发光是近年来国际上的一个研究热点。有机电致发光器件具有低压驱动、高亮度、高效率以及能实现大面积彩色显示等优点。在介绍有机电致发光器件的结构和发光原理的基础上,重点介绍了目前用于有机电致发光的各类有机小分子材料... 有机电致发光是近年来国际上的一个研究热点。有机电致发光器件具有低压驱动、高亮度、高效率以及能实现大面积彩色显示等优点。在介绍有机电致发光器件的结构和发光原理的基础上,重点介绍了目前用于有机电致发光的各类有机小分子材料和高分子材料。 展开更多
关键词 电致发光器件 有机薄膜 高分子材料 el材料
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蓖麻油聚氧乙烯醚水基润滑液摩擦学特性研究 被引量:15
6
作者 刘俊铭 张晨辉 +2 位作者 张朝辉 王岩 刘思思 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期240-248,共9页
本文以蓖麻油聚氧乙烯醚水基润滑液为研究对象,分别使用润滑膜厚度测量仪、微摩擦试验机和四球摩擦试验机对其成膜特性、摩擦磨损特性和抗磨极压特性进行了系统的研究,并用扫描电子显微镜和能量色散光谱仪对摩擦磨损机制进行了分析.结... 本文以蓖麻油聚氧乙烯醚水基润滑液为研究对象,分别使用润滑膜厚度测量仪、微摩擦试验机和四球摩擦试验机对其成膜特性、摩擦磨损特性和抗磨极压特性进行了系统的研究,并用扫描电子显微镜和能量色散光谱仪对摩擦磨损机制进行了分析.结果表明:蓖麻油聚氧乙烯醚提高了纯水的成膜能力,能够在钢-铝摩擦副形成有效的润滑膜,起到良好的减摩抗磨效果.随着浓度的增大,对钢-铝摩擦副的减摩抗磨性能和四球摩擦试验的抗磨极压性能都得到了提高. 展开更多
关键词 蓖麻油聚氧乙烯醚el-40 水基润滑液 成膜特性 减摩抗磨极压性能
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以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件研究 被引量:12
7
作者 刘祖刚 赵伟明 +4 位作者 唐春玖 沈鸿亮 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1997年第3期175-180,共6页
研制了以四元系组分PMNPTPFNPCW陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件,对陶瓷厚膜的制备条件和制得的厚膜与器件的发光性能的关系进行了详细的研究。特别对基片要求和印刷烧制等工艺进行了探讨。
关键词 陶瓷厚膜 绝缘层 陶瓷 电致发光器件
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陶瓷厚膜电致发光器件的电致发光特性研究 被引量:10
8
作者 唐春玖 刘祖刚 +4 位作者 赵伟明 王林军 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期402-406,共5页
研制了以四元系组分PMN-PT-PFN-PCW陶瓷厚膜为绝缘层的无Y2O3介质层和有Y2O3介质层两种结构的电致发光器件,并对陶瓷厚膜的制备条件与厚膜厚度等因素对陶瓷厚膜电致发光器件电致发光特性的影响进行了深入的研究.
关键词 电致发光器件 陶瓷厚膜 绝缘层 发光特性
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The ultraviolet and blue luminescence properties of ZnO:Zn thin film 被引量:6
9
作者 Lixin Yi Zheng Xu +3 位作者 Yanbing Hou Xiqing Zhang Yongsheng Wang Xurong Xu 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2001年第14期1223-1226,共4页
The ultraviolet (UV) and blue luminescence of Zn-rich zinc oxide thin film deposited by electron-beam evaporation have been investigated at room temperature (RT). We observed that the UV and blue electroluminescence (... The ultraviolet (UV) and blue luminescence of Zn-rich zinc oxide thin film deposited by electron-beam evaporation have been investigated at room temperature (RT). We observed that the UV and blue electroluminescence (EL) emission band centered around 480 nm which is blue shifted in comparison with that of the ZnO thin film prepared by low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP MOCVD). The UV emission is much stronger than blue emission in the photoluminescence (PL) spectra. The field-induced ionization of excited luminescent centers of ZnO:Zn thin film at high electric field and the difference between PL and EL are discussed. The experiments show that the ZnO:Zn thin film provides a hopeful new mechanism to obtain UV and blue emission. 展开更多
关键词 ZnO: ZN THIN film BLUE el UV PL.
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ITO薄膜制备及RTA处理对发光器件特性的影响 被引量:5
10
作者 袁广才 徐征 +2 位作者 张福俊 王勇 许洪华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期903-906,共4页
采用射频反应磁控溅射生长铟锡氧化物(ITO)薄膜,通过X射线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法及原子力显微镜(AFM)研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度等对薄膜的晶化、透过率、电导率以及表面形貌的影响。以ITO/NPB/AlQ/Al结构的器件为例... 采用射频反应磁控溅射生长铟锡氧化物(ITO)薄膜,通过X射线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法及原子力显微镜(AFM)研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度等对薄膜的晶化、透过率、电导率以及表面形貌的影响。以ITO/NPB/AlQ/Al结构的器件为例,讨论了不同的制备条件下ITO薄膜的表面效应对电致发光(EL)的影响,通过EL光谱表征发现,对ITO退火处理后,器件的相对发光强度明显增加,衰减速度减慢,器件的EL光谱有明显的变化。通过进一步分析认为,这是由于ITO薄膜表面的变化引起功函数的改变,从而引起电场重新分布造成的。 展开更多
关键词 射频反应磁控溅射 ITO薄膜 快速热退火(RTA) 电致发光(el)
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LP-MOCVD法制作n-ZnO/p-Si异质结及其电致发光研究 被引量:3
11
作者 李香萍 张宝林 +3 位作者 申人升 张源涛 董鑫 夏晓川 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期601-604,共4页
采用低压-金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)在(100)p-Si衬底上制备未掺杂n型ZnO薄膜,并制作了相应的n-ZnO/p-Si异质结器件。通过X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)光谱和霍尔测试分别研究了所制备薄膜的结构、光学和电学特性,得到具有较高... 采用低压-金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)在(100)p-Si衬底上制备未掺杂n型ZnO薄膜,并制作了相应的n-ZnO/p-Si异质结器件。通过X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)光谱和霍尔测试分别研究了所制备薄膜的结构、光学和电学特性,得到具有较高质量的n型ZnO薄膜。在室温条件下,测得了该类异质结器件正向注入电流下可见光和近红外区域的电致发光(EL)。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 n-ZnO/p-Si 异质结 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 电致发光(el)
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无机EL显示器件用高性能介电层的研究 被引量:2
12
作者 肖田 林明通 +3 位作者 徐毅 陈晨曦 陈国荣 杨云霞 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期99-102,共4页
用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530~730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48~73,反映介电损耗的参数△Vy在0.06~0.15V之间,击穿场强为106~139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10... 用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530~730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48~73,反映介电损耗的参数△Vy在0.06~0.15V之间,击穿场强为106~139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10^-9~10^-7A/cm^2之间,品质因子(εrεoEb)大于5μc/cm^2。同时比较了SrTiO3/Ta2O5复合介电层和SrTiJO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能。把复合膜应用于以ZnS:Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn为发光材料的器件中,获得了适当的阈值电压和较高的亮度。 展开更多
关键词 无机el SRTIO3薄膜 Ta2O5薄膜 SrTiO3/Ta2O5复合膜
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以铜酞菁为过渡层的有机电致发光器件特性 被引量:2
13
作者 张德强 邱勇 +2 位作者 邵炎 卢志云 谢明贵 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期1-3,共3页
研究过渡层结构对有机薄膜电致发光器件性能的影响。分别以铟、锡的氧化物 ( indium- tin- oxide,ITO)为阳极 ,以镁银合金 ( Mg:Ag)为阴极 ,用真空热蒸发法制备了结构为 ITO/ Cu Pc/ TPD/ Alq3/ Mg:Ag和 ITO/ TPD/ Alq3/ Mg:Ag的两类器... 研究过渡层结构对有机薄膜电致发光器件性能的影响。分别以铟、锡的氧化物 ( indium- tin- oxide,ITO)为阳极 ,以镁银合金 ( Mg:Ag)为阴极 ,用真空热蒸发法制备了结构为 ITO/ Cu Pc/ TPD/ Alq3/ Mg:Ag和 ITO/ TPD/ Alq3/ Mg:Ag的两类器件 ,并测定了器件的衰减曲线、发光光谱以及亮度—电压特性曲线。结果显示 :铜酞菁过渡层的使用虽然改善了器件的稳定性 ,但是却增大了器件的启亮电压 ,而且器件最大发光强度和最大光视效能也降低了。结果表明 :在高稳定性和高亮度、高光视效能不可兼得的时候 ,需要通过选择过渡层材料 ,优化制备工艺 。 展开更多
关键词 有机薄膜 铜酞菁 电致发光器件 过渡层
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有机发光二极管显示器的制造工艺
14
作者 张凤翙 《真空电子技术》 2003年第3期67-69,共3页
有机发光二极管显示器的膜层制造工艺可划分为湿法和干法两种类型。本文仅就应用真空技术的角度 ,描述了有机EL元件制造工艺和有机EL生产系统。
关键词 有机el元件 薄膜 真空技术 膜层制造工艺 有机发光二极管显示器
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背表面氮化硅薄膜与氧化铝薄膜制备工艺对单晶硅双面太阳电池EL的影响
15
作者 张福庆 王贵梅 +2 位作者 张军杰 李文涛 李景 《太阳能》 2021年第10期46-51,共6页
以原子层沉积(ALD)设备及管式PECVD设备制备单晶硅双面太阳电池背表面钝化膜的工艺为研究对象,通过实验讨论了管式PECVD设备采用不同的退火温度或退火时间,以及管式PECVD设备采用相同退火工艺但氧化铝薄膜厚度不同时分别对单晶硅双面太... 以原子层沉积(ALD)设备及管式PECVD设备制备单晶硅双面太阳电池背表面钝化膜的工艺为研究对象,通过实验讨论了管式PECVD设备采用不同的退火温度或退火时间,以及管式PECVD设备采用相同退火工艺但氧化铝薄膜厚度不同时分别对单晶硅双面太阳电池电致发光(EL)的影响。研究结果表明,在ALD设备镀制氧化铝薄膜的厚度保持不变的情况下,当管式PECVD设备的退火温度或退火时间过低会导致单晶硅双面太阳电池的EL图像出现发黑的情况,因此,氧化铝薄膜的厚度在一定范围内时,对管式PECVD设备的退火工艺的要求也基本一致。即当采用ALD设备与管式PECVD设备制备单晶硅双面太阳电池背表面钝化膜时,保持氧化铝薄膜的厚度在一定范围内,制定合理的管式PECVD设备的退火温度和退火时间范围,可以有效避免单晶硅双面太阳电池EL图像发黑的产生。 展开更多
关键词 单晶硅双面太阳电池 ALD设备 管式PECVD设备 退火 氧化铝薄膜 氮化硅薄膜 el
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不同空穴注入电极对有机薄膜电致发光性能的影响 被引量:1
16
作者 刘祖刚 赵伟明 +3 位作者 姬荣斌 张志林 蒋雪茵 许少鸿 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1996年第4期430-434,共5页
成功地制备了用铝掺杂的氧化锌(AZO)透明导电膜作阳极的有机薄膜电致发光器件.并对单层和双层结构的AZO器件以及以两种不同ITO作阳极的器件的电致发光光谱、电流电压特性。
关键词 有机 电致发光 薄膜器件 阳极
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发光层厚度对双层有机EL器件ITO/PPV/Alq_3/Al发光特性的影响
17
作者 杨志敏 冯朝岭 +3 位作者 潘建斌 张凤玲 王永生 林铁生 《光电子技术与信息》 1998年第6期18-21,共4页
制备出一组双层有机EL器件ITO/PPV/Alq3/Al,测试并分析了各层厚度不同时器件的光电性能.
关键词 有机el器件 发光层厚度 发光特性 电致发光器件
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Effect of Substrate Temperature on Electroluminescence of SrS∶HoF_3 Thin Film
18
作者 赵丽娟 赵国柱 +2 位作者 范希武 李长华 林建华 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1999年第1期12-16,共5页
The SrS∶HoF 3 Electroluminescent (EL) thin films are prepared at the different substrate temperature by electron beam evaporation. The crystallinity and EL characteristics of the samples are analyzed. It is found th... The SrS∶HoF 3 Electroluminescent (EL) thin films are prepared at the different substrate temperature by electron beam evaporation. The crystallinity and EL characteristics of the samples are analyzed. It is found that the main diffraction peak is (200) at the higher substrate temperature and the main diffraction peak is (111) at the lower substrate temperature. The blue emission intensity and EL brightness of the SrS∶HoF 3 thin films increase with the increase of the substrate temperature. Annealing the samples can change the cyrstal phase and strengthen the blue emission of EL thin film. 展开更多
关键词 elECTROLUMINESCENCE Substrate temperature SrS∶HoF 3 el thin film.
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蓝色薄膜电致发光的新材料ZnO(S):Ce^(3+)的发光特性 被引量:1
19
作者 于磊 娄志东 +2 位作者 徐春祥 滕枫 杨晓辉 《光电子技术》 CAS 1997年第2期94-97,共4页
介绍了新制备的TFEL发光材料ZnO(S):Ce2+,测量了它的PL和EL特性,结果显示:这种材料的TFEL为Ce3+的发光,有较好的颜色组成(446nm,493nm),可望用于监色TFEL。
关键词 电致发光 发光特性 发光材料 el 薄膜 PL 显示 蓝色
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PECVD工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池EL发黑的影响
20
作者 张福庆 王贵梅 +2 位作者 赵环 张军杰 朱少杰 《太阳能》 2021年第2期53-57,共5页
以采用PECVd工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池电致发光(EL)发黑的影响为研究对象进行了实验验证。结果表明,当背面氮化硅薄膜中底层膜的折射率较低时,会导致双面单晶硅太阳电池背电极位置的EL发黑;底层膜和中层膜的折射率... 以采用PECVd工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池电致发光(EL)发黑的影响为研究对象进行了实验验证。结果表明,当背面氮化硅薄膜中底层膜的折射率较低时,会导致双面单晶硅太阳电池背电极位置的EL发黑;底层膜和中层膜的折射率过高时,会导致双面单晶硅太阳电池的EL大面积发黑;上层膜边缘的折射率较高时,会导致双面单晶硅太阳电池的边缘位置EL发黑。对于双面单晶硅太阳电池而言,采用PECVd工艺制备背面氮化硅薄膜时制定合理的底层膜、中层膜,以及上层膜边缘的折射率范围,可以有效避免双面单晶硅太阳电池不良品的产生。 展开更多
关键词 单晶硅 双面太阳电池 PECVD 氮化硅薄膜 el发黑 折射率 开槽激光
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