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电子回旋共振(ECR)等离子体的研究和应用 被引量:23
1
作者 宁兆元 任兆杏 《物理学进展》 CSCD 北大核心 1992年第1期38-62,共25页
近年来,在低气压、低温等离子体研究和应用中的一个重要发展是微波电子回旋共振放电。由于它是一种无极放电,能够在低气压下产生高密度、高电离度、大体积均匀的等离子体,所以在等离子体物理研究,表面处理和薄膜制备等应用中,成为一个... 近年来,在低气压、低温等离子体研究和应用中的一个重要发展是微波电子回旋共振放电。由于它是一种无极放电,能够在低气压下产生高密度、高电离度、大体积均匀的等离子体,所以在等离子体物理研究,表面处理和薄膜制备等应用中,成为一个十分引人注目的新领域。本文综述了ECR放电的基本物理过程和实验研究概况,介绍了ECR等离子体在表面处理、镀膜和离子源等方面应用的最新结果。 展开更多
关键词 ecr等离子体 微波放电 回旋共振
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微波ECR等离子体辅助反应蒸发沉积ITO膜 被引量:9
2
作者 程珊华 宁兆元 +3 位作者 薛青 金宗明 高伟建 李育峰 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第5期405-408,共4页
发展了一种新型的微波电子回旋共振等离子体(ECR)辅助反应蒸发沉积薄膜的方法,并且使用它成功地在低气压(10 ̄(-2)Pa)、低温基片(30~100℃)上,不作后处理,直接制备出了附着力强,透光率高于85%,方阻低于... 发展了一种新型的微波电子回旋共振等离子体(ECR)辅助反应蒸发沉积薄膜的方法,并且使用它成功地在低气压(10 ̄(-2)Pa)、低温基片(30~100℃)上,不作后处理,直接制备出了附着力强,透光率高于85%,方阻低于100Ω/□的ITO膜。 展开更多
关键词 ITO膜 微波 ecr等离子体 真空蒸发
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新型低温等离子体技术及应用 被引量:5
3
作者 王春安 闫俊虎 《广东技术师范学院学报》 2010年第3期22-25,共4页
等离子体尤其是低温等离子体由于其一系列特殊的性质,广泛应用于薄膜沉积、微电路干法刻蚀、材料表面改性等方面。本文介绍了目前经常采用的几种新型低温等离子体技术,电子回旋共振(ECR)等离子体、射频感应耦合(ICP)等离子体、以及螺旋... 等离子体尤其是低温等离子体由于其一系列特殊的性质,广泛应用于薄膜沉积、微电路干法刻蚀、材料表面改性等方面。本文介绍了目前经常采用的几种新型低温等离子体技术,电子回旋共振(ECR)等离子体、射频感应耦合(ICP)等离子体、以及螺旋波(HWP)等离子体。这几种等离子体由于无内电极放电无污染、等离子体密度高、能量转换率高、电离度高等优点必将在传统工艺的基础上得到更广泛的应用。 展开更多
关键词 低温等离子体 ecr等离子体 ICP等离子体 HWP等离子体
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ECR等离子体的磁电加热研究 被引量:7
4
作者 沈武林 马志斌 +2 位作者 谭必松 吴俊 汪建华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期478-482,共5页
在ECR等离子体装置上进行了磁电加热研究,利用离子灵敏探针(ISP)测量了磁电加热前后离子温度的变化,研究了电极环偏压、磁场强度、气压等参数对磁电加热过程以及加热效率的影响.结果表明:等离子体的整体加热是通过离子在电极环鞘层中的... 在ECR等离子体装置上进行了磁电加热研究,利用离子灵敏探针(ISP)测量了磁电加热前后离子温度的变化,研究了电极环偏压、磁场强度、气压等参数对磁电加热过程以及加热效率的影响.结果表明:等离子体的整体加热是通过离子在电极环鞘层中的磁电加热及被加热的离子沿径向的输运来完成的.轴心处离子温度随电极环偏压的升高呈非线性增加.磁电加热效率随偏压的增大而增大,在电极环偏压为1000V时,磁电加热效率为2%—2.5%,ECR等离子体中的离子温度能够提高20eV以上.磁场强度在磁电加热过程中对离子的限制和加热起到重要作用,当磁场强度在6.3×10-2—8.7×10-2T之间变化时,磁电加热的效率随磁场强度的增大而增大.气压在0.02—0.8Pa范围内,磁电加热的效率随气压的减小而增大. 展开更多
关键词 ecr等离子体 磁电加热 离子温度
原文传递
ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理 被引量:6
5
作者 孙剑 吴嘉达 +3 位作者 钟晓霞 来冰 丁训民 李富铭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期1019-1023,共5页
利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .... 利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .结果表明 ,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层 . 展开更多
关键词 表面处理 ecr等离子体 单晶硅
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用于光刻的EUV光源 被引量:2
6
作者 赵环昱 赵红卫 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期12-16,共5页
对国际上普遍采用的两种EUV光源:放电等离子体源(DPP)和激光等离子体源(LPP)进行了多方面比较。给出了两种等离子体源各自优点及难以克服的困难。基于目前的测量结果,指出了ECR等离子体有潜力成为一种新型的极紫外辐射源。
关键词 光刻 极紫外光源 放电等离子 激光等离子体 ecr等离子体
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磁场位形对微波ECR等离子体电子参数的影响 被引量:5
7
作者 沈武林 马志斌 谭必松 《武汉工程大学学报》 CAS 2010年第9期53-57,共5页
测量了两种磁场位形中微波ECR等离子体的电子参数,研究了磁场位形对电子参数空间分布的影响,结果表明:发散场中电子温度在轴心和腔体边缘较大,在过渡的中间区域较小,而磁镜场中电子温度随径向半径R的增大单调减小;电子密度在两种磁场位... 测量了两种磁场位形中微波ECR等离子体的电子参数,研究了磁场位形对电子参数空间分布的影响,结果表明:发散场中电子温度在轴心和腔体边缘较大,在过渡的中间区域较小,而磁镜场中电子温度随径向半径R的增大单调减小;电子密度在两种磁场位形中随径向和轴向距离的增大均呈单调下降的趋势,磁镜场中的下降幅度大于发散场;在共振面附近,发散场中气压对电子温度的影响比在磁镜场中大,而气压对电子密度的影响在两种磁场位形中基本相似. 展开更多
关键词 ecr等离子体 发散场 磁镜场
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ECR中和器束流引出实验研究 被引量:4
8
作者 罗立涛 杨涓 +2 位作者 金逸舟 冯冰冰 汤明杰 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期395-400,共6页
在真空环境下,用采集板模拟离子作用将电子束从ECR中和器中引出,实验研究ECR中和器结构以及工作参数对引出电子束流和中和器性能的影响,从而确定最佳的ECR中和器结构和工作参数。实验结果表明:在最佳的ECR中和器结构组合条件下,气体流量... 在真空环境下,用采集板模拟离子作用将电子束从ECR中和器中引出,实验研究ECR中和器结构以及工作参数对引出电子束流和中和器性能的影响,从而确定最佳的ECR中和器结构和工作参数。实验结果表明:在最佳的ECR中和器结构组合条件下,气体流量0.8 m L·min-1、电子束引出偏压88.6 V时,可以引出103.8 m A的束流,推进剂利用效率和电子损耗分别为1.278 9和194.573 W·A-1,能满足ECR离子源离子引出束流的需要。 展开更多
关键词 氩气 偏置电压 实验设计 效率 电子束流 电子回旋共振 能量损耗 实验 流量 结构优化 等离子体 波长 ecr等离子体 中和器
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微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置的研制 被引量:4
9
作者 王洋 雷明凯 张仲麟 《真空》 CAS 北大核心 1994年第6期19-23,共5页
本文介绍了一种新型的沉积装置──微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置。通过对装置性能的测试及沉积试验表明,该装置具有与离子束辅助沉积相类似的效果,但与离子束辅助沉积装置相比,该装置提高了成膜的沉积速度,降低了设备成... 本文介绍了一种新型的沉积装置──微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置。通过对装置性能的测试及沉积试验表明,该装置具有与离子束辅助沉积相类似的效果,但与离子束辅助沉积装置相比,该装置提高了成膜的沉积速度,降低了设备成本,为薄膜沉积提出了一条新途径. 展开更多
关键词 ecr等离子体 磁控溅射 离子轰击 离子束辅助沉积
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微波ECR氧等离子体参数测量 被引量:2
10
作者 谭必松 马志斌 吴振辉 《武汉工程大学学报》 CAS 2009年第5期51-53,共3页
利用双探针对微波ECR氧离子体参数进行了诊断研究,测量了等离子体的双探针伏安曲线并计算出电子温度和离子密度,分析了气压、微波功率、氧气流量等参数对等离子体参数的影响.结果表明:a.随着气压的升高,等离子体密度先增大后减小,电子... 利用双探针对微波ECR氧离子体参数进行了诊断研究,测量了等离子体的双探针伏安曲线并计算出电子温度和离子密度,分析了气压、微波功率、氧气流量等参数对等离子体参数的影响.结果表明:a.随着气压的升高,等离子体密度先增大后减小,电子温度逐渐减小.b.等离子密度随微波功率的增加先增加后达到饱和,电子温度受微波功率影响很小.c.随着氧气流量的增加,等离子体密度和电子温度都减小. 展开更多
关键词 ecr等离子体 朗谬尔双探针 电子温度 等离子体密度
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氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜的影响机理 被引量:3
11
作者 潘鑫 马志斌 +3 位作者 李国伟 曹为 王传新 付秋明 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期243-247,共5页
采用电子回旋共振(ECR)等离子体在不同的磁场位形和工作气压下刻蚀化学气相沉积(CVD)金刚石膜,运用双探针和离子灵敏探针法对等离子体进行了诊断,研究了等离子体参数对刻蚀效果的影响。结果表明:磁场由发散场向收敛场转变时,离子温度、... 采用电子回旋共振(ECR)等离子体在不同的磁场位形和工作气压下刻蚀化学气相沉积(CVD)金刚石膜,运用双探针和离子灵敏探针法对等离子体进行了诊断,研究了等离子体参数对刻蚀效果的影响。结果表明:磁场由发散场向收敛场转变时,离子温度、电子温度和等离子体密度都随之增大,刻蚀效果逐渐增强;当工作气压由低气压向高气压变化时,等离子体参数先增大后减小,CVD金刚石膜表面粗糙度降低程度也出现了相同的趋势。 展开更多
关键词 刻蚀 CVD金刚石 等离子体参数 ecr等离子体
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ECR离子源束流发射度的实验研究(英文) 被引量:1
12
作者 孙良亭 曹云 +8 位作者 冯玉成 李锦钰 赵红卫 张子民 王辉 马宝华 何伟 赵环昱 郭晓虹 《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 2005年第12期1179-1184,共6页
利用最新自行研制的电扫描发射度探测系统,在ECR离子源上进行了一系列关于ECR离子源引出束流发射度的研究.这套电扫描发射度探测系统安装在中国科学院近代物理研究所(兰州)的LECR3试验平台的束运线上.试验中,通过测量相关参数,研究了磁... 利用最新自行研制的电扫描发射度探测系统,在ECR离子源上进行了一系列关于ECR离子源引出束流发射度的研究.这套电扫描发射度探测系统安装在中国科学院近代物理研究所(兰州)的LECR3试验平台的束运线上.试验中,通过测量相关参数,研究了磁场、微波、掺气效应及负偏压效应等对引出束流发射度的影响.利用实验所得的结果与关于ECR等离子体和离子源束流发射度的半经验理论,分析推导了离子源各可调参数与ECR等离子体的直接关系,这为分析探索ECR离子源的工作机制提供了一定的参考依据. 展开更多
关键词 ecr离子 发射度 ecr等离子体
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微波电子回旋共振等离子体放电特性研究 被引量:3
13
作者 张洪宾 陈俊芳 +3 位作者 符斯列 郭超峰 李炜 黄孟祥 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第2期48-52,共5页
为了深刻理解微波电子回旋共振(ECR)等离子体的物理机制、瞬态过程以及空间分布特性,首先利用光栅光谱仪对ECR氮等离子体发射光谱进行了研究,然后利用朗缪尔双探针测量了装置反应室内等离子体密度的空间分布,并分析了放电气压对等离子... 为了深刻理解微波电子回旋共振(ECR)等离子体的物理机制、瞬态过程以及空间分布特性,首先利用光栅光谱仪对ECR氮等离子体发射光谱进行了研究,然后利用朗缪尔双探针测量了装置反应室内等离子体密度的空间分布,并分析了放电气压对等离子体空间分布的影响.结果表明:ECR氮等离子体中主要发生的是碰撞激发、碰撞电离和碰撞离解等微观过程,且等离子体的主要成分是激发态的N2+;受磁场梯度影响的反应室上游区,等离子体分布不均匀,受等离子体密度梯度影响的下游区,等离子体则具有良好的均匀性;对于特定的微波功率(PW=400 W),放电气压存在一个最佳值(P=0.07 Pa). 展开更多
关键词 ecr等离子体 发射光谱 空间分布 朗缪尔双探针
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采用磁控管方式溅射的电子回旋共振等离子体沉积技术的研究 被引量:2
14
作者 汪建华 袁润章 +2 位作者 邬钦崇 任兆杏 喻宪辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期16-19,共4页
将磁控管方式溅射用于微波ECR等离子体沉积技术。在低气压和低温下沉积了高度C轴取向的ZnO薄膜,其膜的沉积速率比普通ECR溅射中所得到的速率大得多,并且在Φ12cm的膜区域内显示出良好的均匀性。
关键词 磁控管方式 溅射 ecr等离子体 氧化锌薄膜
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微波ECR等离子体装置的性能研究 被引量:2
15
作者 宋瑞海 张书锋 +2 位作者 张明志 田虎林 李绍飞 《真空与低温》 2014年第3期170-174,共5页
低轨道航天器的空间等离子体环境主要为低温、低密度、等离子体。文章详细叙述了等离子体对航天器的影响及其两个ECR微波等离子体校准装置的组成结构,并使用标准Langmuir探针对等离子体的参数进行实验测量和分析,得到了电子密度、电子... 低轨道航天器的空间等离子体环境主要为低温、低密度、等离子体。文章详细叙述了等离子体对航天器的影响及其两个ECR微波等离子体校准装置的组成结构,并使用标准Langmuir探针对等离子体的参数进行实验测量和分析,得到了电子密度、电子温度、空间电位和悬浮电位等参数,满足了电子密度106~108个/cm3,电子温度1~10 eV等低轨道航天器的空间等离子体参数要求。 展开更多
关键词 低轨道航天器 环境模拟器 ecr等离子体 等离子体参数
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微波ECR等离子体高速溅射装置的研制
16
作者 汪建华 袁润章 +1 位作者 邬钦崇 任兆杏 《华中理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期70-72,共3页
研制了一台高速率溅射的ECR等离子体沉积装置.采用微波真空波导及反常模式或输入技术,利用腔内双靶构成的电场镜,使高能γ电子在电场镜中振荡,从而获得高密度的等离子体.并且,导电膜能连续高速沉积,在2.7×10-2P... 研制了一台高速率溅射的ECR等离子体沉积装置.采用微波真空波导及反常模式或输入技术,利用腔内双靶构成的电场镜,使高能γ电子在电场镜中振荡,从而获得高密度的等离子体.并且,导电膜能连续高速沉积,在2.7×10-2Pa的低气压下,铜膜的沉积速率可达120nm/min. 展开更多
关键词 ecr等离子体 半导 高速溅射装置 薄膜 微波
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真空波导磁场控制型ECR溅射法的实验研究 被引量:1
17
作者 汪建华 袁润章 +2 位作者 喻宪辉 邬钦崇 任兆杏 《武汉工业大学学报》 EI CSCD 1998年第3期1-3,共3页
微波电子回旋共振(delectroncyclotronresonance.ECR)等离子体溅射法是能在低温下制备高质量薄膜的最新镀膜技术.在该技术中,微波输入窗口易受金属粒子污染,导致微波在窗口反射,从而影响装置的正常工作。本文初步探讨了在ECR溅... 微波电子回旋共振(delectroncyclotronresonance.ECR)等离子体溅射法是能在低温下制备高质量薄膜的最新镀膜技术.在该技术中,微波输入窗口易受金属粒子污染,导致微波在窗口反射,从而影响装置的正常工作。本文初步探讨了在ECR溅射装置中.采用真空波导与共振腔连成一体,在连接处配置磁轭(纯铁).通过改变共振腔与波导连接处的磁场分布,能有效的避免微波窗口污染的技术途径,并较细致的研究了该装置的放电特性。 展开更多
关键词 ecr等离子体 溅射 真空波导 薄膜 制备
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电子回旋共振等离子体中TMG的离解氢对气相沉积氮化镓薄膜的影响 被引量:1
18
作者 符斯列 王春安 +1 位作者 丁罗城 秦盈星 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第4期409-413,共5页
氢在GaN薄膜制备工艺中扮演很重要的角色,氢主要有两个来源,一是载气氢,另一个来源是从TMG气源本身离解出来的氢产物。本文研究了电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)沉积GaN薄膜工艺中从TMG离解出来的氢产物及其对薄膜... 氢在GaN薄膜制备工艺中扮演很重要的角色,氢主要有两个来源,一是载气氢,另一个来源是从TMG气源本身离解出来的氢产物。本文研究了电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)沉积GaN薄膜工艺中从TMG离解出来的氢产物及其对薄膜生长环境的影响。实验分别采用N_2和TMG作为N源和Ga源,衬底为(0001)面α-Al_2O_3。实验的结果表明从TMG中离解出来的氢产物的数量会随着微波功率的增加而增加,特别是当微波功率大于500 W时离解氢的数量增加更明显,但是这种增加还不足以改变PECVD沉积GaN薄膜过程中本来的富镓生长环境。 展开更多
关键词 ecr等离子体 氮化镓 三甲基镓 离解氢
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等离子体溅射石英晶体表面成膜实现液体黏度测量的研究 被引量:1
19
作者 赵龙章 梁荣庆 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2002年第3期52-54,共3页
提出了用微波电子回旋共振等离子体溅射法 (ECR)在石英晶体表面制备出性能优异的TiN薄膜 ,研究了TiN薄膜的性能以及作为液体黏度检测时的频率偏离特性。该装置具有灵敏度高、动态性能好和操作方便的优点 。
关键词 ecr等离子体 石英晶 频率偏离 黏度测量
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微波ECR等离子体溅射沉积TiN薄膜的研究
20
作者 汪建华 邬钦崇 任兆杏 《武汉化工学院学报》 1997年第1期81-83,共3页
用微波电子回旋共振(ECR)等离子体溅射法在常温下制备出优质的TiN薄膜.采用静电探针技术,对ECR等离子体进行了诊断,研究了等离子体参数与装置运行参数之间的关系,探讨了等离子体参数对成膜工艺过程的影响.
关键词 ecr等离子体 溅射 氮化钛膜 薄膜
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