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半导体激光器的M^2因子可以小于1 被引量：4
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作者 徐锦心 赵道木 +1 位作者 周国泉 王绍民 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期381-384,共4页
根据 Porras的非傍轴矢量矩理论 ,对双异质结半导体激光器的光束质量进行了研究 .结果表明 ,在有源层厚度 da远小于波长 λ的条件下 ,半导体激光器的 M2 因子可以小于 1 ,并且没有下限 .
关键词 双异质结 半导体激光器 非傍轴矢量短理论 光束质量因子 有源层厚度
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