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锗酸铋晶体光电导性质的研究
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作者 冯锡淇 程朝阳 +2 位作者 胡关钦 黄效仙 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期129-136,共8页
生长了六种掺杂锗酸铋(简称 BGO)晶体(分别掺 Fe、Cr、Mn、W、Pb 和 Ce)。在合适的测试条件下,测量了它们的光吸收系数、光电导参数和暗电导率,并与未掺杂样品进行了比较。计算出了样品的特征参量μφτ,为上述材料光折变性质的研究提... 生长了六种掺杂锗酸铋(简称 BGO)晶体(分别掺 Fe、Cr、Mn、W、Pb 和 Ce)。在合适的测试条件下,测量了它们的光吸收系数、光电导参数和暗电导率,并与未掺杂样品进行了比较。计算出了样品的特征参量μφτ,为上述材料光折变性质的研究提供了必不可少的数据。在此基础上,对 BG0∶Cr、BGO∶Fe 和BGO∶Mn 晶体的光折变机制进行了简略的讨论,认为 BGO∶Cr 中的光折变中心可能是:Cr^(3+)作为施主,Cr^(4+)作为电子陷阱;或 Cr^(4+)作为受主,Cr^(3+)为空穴陷阱。 展开更多
关键词 半导体 光电导 掺杂 锗酸铋 晶体
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