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平面型Gunn器件低温SiO_2和PSG的淀积
1
作者 徐建成 刘澎 陈定钦 《分析测试技术与仪器》 1996年第1期57-60,共4页
采用“夹层结构”的方法制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料，以及低温（４２０℃～４５０℃）淀积ＳｉＯ２的原理、工艺条件和可控硅电路．
关键词 低温淀积 畴雪崩器件 二氧化硅 PSG淀积
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平面型Gunn器件低温SiO_2淀积
2
作者 陈定钦 徐建成 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期352-354,共3页
采用“夹层结构”的方法，在制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料上，低温（４２０～４５０℃）淀积ＳｉＯ２；并叙述了原理、工艺条件及其重要结果。
关键词 半导体器件 砷化镓 处延生长 低温淀积
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