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固结磨料金刚石锯丝制造技术 被引量:16
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作者 葛培琪 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2006年第6期12-13,27,共3页
随着晶体尺寸的增大和切片质量要求的提高,固结磨料金刚石线锯的研制引起高度重视。电镀金刚石线锯具有磨粒把持强度高、耐磨性好等特点,但锯丝制造周期长,制造成本高,可采用毡刷摩擦阴极表面等工艺提高电镀金刚石锯丝的生产率。树脂结... 随着晶体尺寸的增大和切片质量要求的提高,固结磨料金刚石线锯的研制引起高度重视。电镀金刚石线锯具有磨粒把持强度高、耐磨性好等特点,但锯丝制造周期长,制造成本高,可采用毡刷摩擦阴极表面等工艺提高电镀金刚石锯丝的生产率。树脂结合剂金刚石锯丝的制造工艺简单,成本低,但在树脂加热固化过程中易引起金属丝青脆,可在树脂中添加微细铜粉提高锯丝的强度。采用镍涂层为金刚石磨料,可以提高锯丝的金刚石把持强度。 展开更多
关键词 金刚石 线锯 晶体切割
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Ni-Cr合金真空钎焊金刚石的碳化物生长及位向关系 被引量:16
2
作者 卢金斌 席艳君 王志新 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期137-142,共6页
采用Ni-Cr合金在不同温度下进行钎焊单晶金刚石磨粒试验,使用SEM、EDS和XRD对Ni-Cr合金钎焊金刚石的碳化物生长及形貌进行分析。结果表明:真空钎焊过程中,在Ni-Cr合金完全熔化前,在合金前端有碳化物开始形核,并生成排列整齐的Cr3C2和无... 采用Ni-Cr合金在不同温度下进行钎焊单晶金刚石磨粒试验,使用SEM、EDS和XRD对Ni-Cr合金钎焊金刚石的碳化物生长及形貌进行分析。结果表明:真空钎焊过程中,在Ni-Cr合金完全熔化前,在合金前端有碳化物开始形核,并生成排列整齐的Cr3C2和无序的SiC,Cr3C2的生长方向与金刚石的外露晶面有一定的位向关系;合金完全熔化后,在金刚石表面生成两层碳化物,内层为排列整齐的Cr3C2,外层为无序的Cr7C3。 展开更多
关键词 真空钎焊 金刚石 碳化物 位向关系 晶面
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脉冲激光诱导液-固界面反应制备金刚石纳米晶 被引量:7
3
作者 王金斌 刘秋香 +2 位作者 杨国伟 胡国彬 游建强 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期323-325,共3页
采用液体水中激光熔蚀固体石墨靶的方法,制成品形较好的六方金刚石相和立方金刚石,还观察到一种柱状纳米金刚石晶体.
关键词 金刚石 纳米晶 液-固界面反应 脉冲激光
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超精密金刚石刀具研磨技术的研究 被引量:7
4
作者 刘志平 董丽华 +1 位作者 韩毅松 宋坚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期413-418,共6页
超精密金刚石刀具的两个基本精度要求是刀刃轮廓精度和刃口半径。金刚石晶体的定向和晶面选择是超精密金刚石刀具研磨技术的基础 ,而磨削速率、压力、研磨盘和研磨粉等则是影响研磨效率和研磨质量的几个主要工艺因素 ,本文分别对金刚石... 超精密金刚石刀具的两个基本精度要求是刀刃轮廓精度和刃口半径。金刚石晶体的定向和晶面选择是超精密金刚石刀具研磨技术的基础 ,而磨削速率、压力、研磨盘和研磨粉等则是影响研磨效率和研磨质量的几个主要工艺因素 ,本文分别对金刚石的晶体定向和晶面选择方法进行了简要介绍 ,并对影响研磨效率和研磨质量的几个主要工艺因素进行了实验研究 ;同时对研磨的刀具进行了切削加工实验 。 展开更多
关键词 单晶金刚石 晶体定向 研磨 刃口半径 超精密金刚石刀具
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化学气相沉积金刚石薄膜的晶体缺陷和杂质 被引量:11
5
作者 黄元盛 罗承萍 邱万奇 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2004年第1期5-9,共5页
化学气相沉积(CVD)金刚石的主要晶体缺陷为孪晶、层错和位错。杂质主要有非晶碳、石墨和氢等。文中对上述晶体缺陷及杂质的研究进行了回顾:这些缺陷和杂质可以存在于晶内或者晶界;缺陷密度、杂质含量与化学气相沉积的沉积条件有很大关系... 化学气相沉积(CVD)金刚石的主要晶体缺陷为孪晶、层错和位错。杂质主要有非晶碳、石墨和氢等。文中对上述晶体缺陷及杂质的研究进行了回顾:这些缺陷和杂质可以存在于晶内或者晶界;缺陷密度、杂质含量与化学气相沉积的沉积条件有很大关系;一般缺陷密度和杂质含量随甲烷浓度的增加而增加;杂质的存在也直接影响金刚石晶体缺陷的形成;并对CVD金刚石的五次孪晶的研究作了总结。这对以后CVD金刚石的晶体学研究具有较大的指导意义。 展开更多
关键词 金刚石 晶体缺陷 杂质
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金刚石表面化学镀Ni-P的研究 被引量:12
6
作者 刘世敏 李国彬 +1 位作者 吴玉会 李长龙 《河北工业大学学报》 CAS 2003年第3期65-68,共4页
对金刚石表面化学镀Ni—P工艺进行了研究,用X射线衍射仪进行了物相鉴定,结果表明:高P化学Ni—P镀层为非晶态,热处理后镀层转变为Ni_3P晶态结构。同时证明:Ni—P镀层与金刚石没有发生界面反应。扫描电镜分析表明:Ni-P镀层与金刚石之间的... 对金刚石表面化学镀Ni—P工艺进行了研究,用X射线衍射仪进行了物相鉴定,结果表明:高P化学Ni—P镀层为非晶态,热处理后镀层转变为Ni_3P晶态结构。同时证明:Ni—P镀层与金刚石没有发生界面反应。扫描电镜分析表明:Ni-P镀层与金刚石之间的结合状态良好。研究对镀液成分控制和施镀工艺进行了分析。 展开更多
关键词 金刚石 化学镀 界面 NI-P镀层 非晶态
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金刚石的晶体质量评定探究 被引量:12
7
作者 刘剑红 陈美华 +1 位作者 吴改 宫旎娜 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期559-564,共6页
分别选用辽宁瓦房店原生矿产出金刚石、湖南砂矿产出金刚石、CVD合成金刚石、高温高压合成金刚石各1颗,采用红外光谱、高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和正交偏光显微观察的分析方法,对其晶体质量进行了研究。通过比较金刚石1332.5 cm-1拉... 分别选用辽宁瓦房店原生矿产出金刚石、湖南砂矿产出金刚石、CVD合成金刚石、高温高压合成金刚石各1颗,采用红外光谱、高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和正交偏光显微观察的分析方法,对其晶体质量进行了研究。通过比较金刚石1332.5 cm-1拉曼本征峰的实际位移与理论位移,四颗金刚石均存在一定的内应力,高温高压合成金刚石的内应力小于其它三颗金刚石;金刚石拉曼本征峰的半高宽比对表明,四颗金刚石均存在较多晶格缺陷,其中湖南砂矿产出金刚石缺陷明显;采用双轴晶ω扫描方式测试了四颗金刚石{004}面的摇摆曲线,并估算其晶面族的晶面间距,结果显示高温高压合成金刚石{004}面的晶面间距大于其它三颗金刚石,可能是因孤氮所致;由金刚石摇摆曲线半高宽计算出内部平均位错密度值表明,高温高压合成金刚石最低,而瓦房店产出的金刚石内部平均位错密度最大,且含有亚晶界,这一结果与其异常双折射现象一致。 展开更多
关键词 金刚石 晶体质量 摇摆曲线 拉曼光谱 位错密度
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利用金刚石线锯切割硅晶体的实验研究 被引量:9
8
作者 侯志坚 葛培琪 +2 位作者 张进生 李绍杰 高玉飞 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2007年第5期14-16,共3页
本文综述了脆性材料的塑性转变理论、脆性材料塑性加工研究进展情况,进行了环形金刚石线锯丝切割硅晶体的实验。锯丝单方向连续运动,因而可以提高切割速度,锯丝运动速度为10 m/s和21 m/s两种。工件进给速度分别为8.4 mm/min,12.6 mm/min... 本文综述了脆性材料的塑性转变理论、脆性材料塑性加工研究进展情况,进行了环形金刚石线锯丝切割硅晶体的实验。锯丝单方向连续运动,因而可以提高切割速度,锯丝运动速度为10 m/s和21 m/s两种。工件进给速度分别为8.4 mm/min,12.6 mm/min和20 mm/min等三种。用扫描电镜检测切割表面并与往复式线锯切割表面进行比较。实验结果及理论分析表明:锯丝上单个磨粒切削深度极小,切割表面平整、无崩碎现象,表面粗糙度值达1.4μm^3μm,接近粗磨加工后的表面。进给速度增大,表面粗糙度有所增大;切削速度提高,表面粗糙度降低不明显,这与理论分析不一致,其原因是工艺系统振动、冲击所致。锯丝磨损、磨料脱落是降低切割表面质量的另一原因。 展开更多
关键词 金刚石锯丝 切割 硅晶体 粗糙度
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The Even-Odd and the Isoelectronicity Rules Applied to Single Covalent Bonds in Ionic, Double-Face-Centered Cubic and Diamond-Like Crystals 被引量:6
9
作者 Geoffroy Auvert Marine Auvert 《Open Journal of Physical Chemistry》 2016年第2期21-33,共13页
Although atom configuration in crystals is precisely known thanks to imaging techniques, there is no experimental way to know the exact location of bonds or charges. Many different representations have been proposed, ... Although atom configuration in crystals is precisely known thanks to imaging techniques, there is no experimental way to know the exact location of bonds or charges. Many different representations have been proposed, yet no theory to unify conceptions. The present paper describes methods to derive bonds and charge location in double-face-centered cubic crystals with 4 and 6 atoms per unit cell using two novel rules introduced in earlier works: the even-odd and the isoelectronicity rules. Both of these rules were previously applied to ions, molecules and some solids, and the even-odd rule was also tested on two covalent crystal structures: centered-cubic and single-face-centered cubic crystals. In the present study, the diamond-like structure was subjected to the isoelectronicity rule in order to derive Zinc-blende structures. Rock-salt-like crystals were derived from each other using both rules. These structures represent together more than 230 different crystals. Findings for these structures are threefold: both rules describe a very sure method to obtain valid single covalent-bonded structures;single covalent structures can be used in every case instead of the classical ionic model;covalent bonds and charges positions do not have any relation with the valence number given in the periodic table. 展开更多
关键词 Covalent Bond Even-Odd RULE Single Bond Chemical Structure crystal Solid Ionic crystal Face-Centered crystal diamond-LIKE
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CVD金刚石薄膜表面的缺陷研究 被引量:9
10
作者 周灵平 靳九成 +2 位作者 李绍禄 颜永红 朱正华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期126-131,共6页
用SEM方法观察分析了CVD金刚石薄膜表面的缺陷形貌和结构,直观的两种缺陷为孪晶和孔洞。孪晶反映了晶粒的不完整性,它的产生取决于气相中活性分子的浓度与生长表面活性位数目的比值,孪晶比率随碳源浓度升高和衬底温度的降低而... 用SEM方法观察分析了CVD金刚石薄膜表面的缺陷形貌和结构,直观的两种缺陷为孪晶和孔洞。孪晶反映了晶粒的不完整性,它的产生取决于气相中活性分子的浓度与生长表面活性位数目的比值,孪晶比率随碳源浓度升高和衬底温度的降低而增大;孔洞反映了膜的不致密性,其产生与膜生长速率和衬底表面初始成核密度切相关,孔洞密度随碳源浓度升高和衬底温度的升高而增大。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 缺陷 孪晶 表面形貌 CVD
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类球状再结晶石墨的形成 被引量:8
11
作者 郝兆印 贺义兴 +1 位作者 陈宇飞 王德荣 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期105-109,共5页
用高分辨电子显微镜观察到了催化剂合金中再结晶石墨形貌随温度、压力的变化,找到了金刚石晶体形成的证据。
关键词 金刚石 再结晶石墨 成核 温度 压力
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金刚石合成机制的研究 被引量:7
12
作者 陈启武 熊湘君 陈犁 《超硬材料工程》 CAS 2005年第1期26-30,共5页
孤立原子不存在轨道混合问题。碳原子在形成金刚石时,原子间互相影响,使电子运动状态发生变化,形成sp3的杂化轨道,C- C形成共价键。文章分析了金刚石合成的机理,论述和比较了片状触媒和粉状触媒合成金刚石的过程和差异,提出了“单间生... 孤立原子不存在轨道混合问题。碳原子在形成金刚石时,原子间互相影响,使电子运动状态发生变化,形成sp3的杂化轨道,C- C形成共价键。文章分析了金刚石合成的机理,论述和比较了片状触媒和粉状触媒合成金刚石的过程和差异,提出了“单间生长机制”的观点,认为在粉状触媒工艺中金刚石生长的环境条件优越,合成出的金刚石晶体均匀对称,品质良好。 展开更多
关键词 合成机制 粉状触媒 金刚石合成 合成金刚石 金刚石生长 金刚石晶体 混合问题 发生变化 运动状态 杂化轨道 片状触媒 生长机制 环境条件 碳原子 原子间 共价键 电子
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含硼金刚石单晶制备的研究进展 被引量:7
13
作者 李和胜 刘宪刚 +1 位作者 李木森 周贵德 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期944-947,共4页
向人造金刚石中掺杂硼元素可以使金刚石获得比普通金刚石更为优异的物理和机械性能,同时还可以使金刚石具有半导体特性。国内外在含硼金刚石薄膜领域的研究较为深入,相对而言,在含硼金刚石单晶方面的研究较少,尤其是关于制备方法的研究... 向人造金刚石中掺杂硼元素可以使金刚石获得比普通金刚石更为优异的物理和机械性能,同时还可以使金刚石具有半导体特性。国内外在含硼金刚石薄膜领域的研究较为深入,相对而言,在含硼金刚石单晶方面的研究较少,尤其是关于制备方法的研究。摸索总结出一种工艺简单、成本低廉、产品质量稳定的含硼金刚石制备方法对于丰富人造金刚石的品种,提高其品质,拓展其应用乃至从总体上提升我国人造金刚石行业的技术水平都有十分重要的意义。本文主要总结了目前国内外生产含硼金刚石单晶的七种方法,分析了他们各自的优缺点,同时简要介绍了作者所在课题组在含硼金刚石制备方法的研究方面所作的一些工作。本文指出了含硼金刚石单晶制备工艺进一步研究的方向和重点,同时对含硼金刚石单晶的应用前景作了展望。 展开更多
关键词 含硼金刚石 金刚石单晶 制备工艺
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超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展 被引量:6
14
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期1-14,共14页
以SiC/GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,超宽禁带半导体金刚石功率电子学将有可能成为下一代固态功率电子学的代表,受到研究人员的广泛关注。介绍了金刚石功率电子学的最新进展,如金刚石单晶、金... 以SiC/GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,超宽禁带半导体金刚石功率电子学将有可能成为下一代固态功率电子学的代表,受到研究人员的广泛关注。介绍了金刚石功率电子学的最新进展,如金刚石单晶、金刚石化学气相沉积同质和异质单晶外延、金刚石多晶外延、金刚石二极管、金刚石MOSFET、金刚石结型场效应晶体管、金刚石双极结型晶体管、金刚石逻辑电路、金刚石射频场效应晶体管和金刚石上GaN HEMT等。还介绍了金刚石材料的大尺寸、低缺陷和p型及n型掺杂等制备技术,金刚石新器件结构设计,金刚石新器件工艺,转移掺杂H端-金刚石沟道和金刚石/GaN界面热阻等研究成果。分析了金刚石功率电子学的发展由来、关键技术突破和发展态势。 展开更多
关键词 金刚石 单晶 多晶 金刚石二极管 金刚石场效应晶体管(FET) 射频(RF)FET 金刚石上GaN HEMT 功率电子学
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生长温度稳定性对两面顶细粒度金刚石性能的影响 被引量:8
15
作者 姚勇 杨缤维 寇自力 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2006年第1期43-46,共4页
在两面顶细粒度金刚石合成中采用PtRh30-PtRh6(双铂铑热电偶)测量温度,测得了合成芯块内部温度,得出了加热功率曲线与晶体生长温度的对应关系。根据多次实验结果,建立了生长温度稳定性具有显著差异的四种典型功率曲线;并分析了各曲线对... 在两面顶细粒度金刚石合成中采用PtRh30-PtRh6(双铂铑热电偶)测量温度,测得了合成芯块内部温度,得出了加热功率曲线与晶体生长温度的对应关系。根据多次实验结果,建立了生长温度稳定性具有显著差异的四种典型功率曲线;并分析了各曲线对应的温度变化趋势及幅度,四种曲线中温度变化幅度最大超过70℃,最小可控制在.10℃以内。对各曲线合成的金刚石进行了扫描电镜(SEM)及专门的产品指标对照分析,发现晶体生长温度越稳定晶体质量越好;将晶体生长温度控制在10℃以内,能使细粒度晶体质量的综合指标提高5%-10%。 展开更多
关键词 两面顶 细粒度金刚石 温度稳定性 晶体质量
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金刚石晶体的两种结构 被引量:7
16
作者 吴元康 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1991年第2期127-133,共7页
金刚石具有两种晶格结构,除立方结构外,还有一种六方结构,在冲击法合成的金刚石中较为常见。TEM和X射线衍射分析表明,六方晶体由石墨经固态无扩散相变而成,并以单晶、多晶和两种晶格共存的共生晶体形式存在;多晶体和共生晶体中常存在织构。
关键词 金刚石 晶体 结构 立方 六角
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山东蒙阴金刚石的晶体形态和晶面特征 被引量:6
17
作者 王萍 李国昌 《矿产与地质》 1999年第4期253-256,共4页
为探讨山东蒙阴金刚石的形成条件,研究了胜利Ⅰ号金伯利岩筒的金刚石晶面及晶形特征,结果认为金刚石的形成温度范围为1000~1600℃,压力范围为40×108Pa~50×108Pa。
关键词 金刚石 晶体形态 晶面特征 山东
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山东蒙阴金刚石晶体特征及其形成条件 被引量:6
18
作者 吕青 夏立献 +2 位作者 肖丙建 王伟德 周登诗 《山东国土资源》 2018年第10期67-71,共5页
为探讨山东蒙阴金刚石的形成条件和生长过程,总结了前人对金刚石晶体形态、表面形貌、内部生长特征和包裹体的研究成果。结果表明,蒙阴金刚石晶体形态以平面八面体、阶梯状八面体、八面体与曲面菱形十二面体聚形和曲面菱形十二面体四类... 为探讨山东蒙阴金刚石的形成条件和生长过程,总结了前人对金刚石晶体形态、表面形貌、内部生长特征和包裹体的研究成果。结果表明,蒙阴金刚石晶体形态以平面八面体、阶梯状八面体、八面体与曲面菱形十二面体聚形和曲面菱形十二面体四类形态为主,晶体上常见与晶体的生长过程或与晶体形成后的塑性变形、溶蚀作用有关多种类型表面形貌,晶体内部可见两期生长或多期生长结构,晶体中常见的包裹体类型有石墨、橄榄石、铬铁矿、镁铝榴石、铬透辉石等。多样化的晶体特征指示了金刚石形成和生长过程中物理化学条件变化的复杂性。 展开更多
关键词 金刚石 晶体形态 晶面特征 矿物包裹体 山东蒙阴
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TNT爆轰生成纳米金刚石晶核生成和长大的估计 被引量:7
19
作者 恽寿榕 黄风雷 +5 位作者 周刚 高凤霞 陈权 马峰 陈鹏万 赵生 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期214-218,共5页
以实验测定的爆轰压力和比容等空间分布参数为依据,用简单理论估算温度和反应度,用晶粒均匀成核和长大理论估算了TNT爆轰游离碳在上述热力学条件下的金刚石成核和长大过程,估算的金刚石得率与实验值相符。
关键词 纳米级 金刚石 爆轰 晶粒成核 晶粒长大 TNT
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氩气对直流弧光放电PCVD金刚石薄膜晶体特征的影响 被引量:7
20
作者 张湘辉 汪灵 +1 位作者 龙剑平 常嗣和 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期130-134,共5页
本文采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,在YG6硬质合金基体上进行了不同氩气流量下金刚石薄膜的制备研究。采用SEM对金刚石薄膜的晶体特征进行了观察。结果表明,氩气对直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜的晶体特征有明显影响... 本文采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,在YG6硬质合金基体上进行了不同氩气流量下金刚石薄膜的制备研究。采用SEM对金刚石薄膜的晶体特征进行了观察。结果表明,氩气对直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜的晶体特征有明显影响。在CH4/H2恒定时(0.8%),硬质合金基体上制备的金刚石薄膜表面形貌随Ar流量增加而变化的规律,即从以(111)八面体晶面为主→(111)和(100)立方八面体混杂晶面→以(100)立方体晶面为主→菜花状的顺序转变;当Ar流量为420~700mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由1.5μm逐步增大到7μm;Ar流量为700~910mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由7μm急剧减小到纳米尺度,约50nm。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 晶体特征 直流弧光放电等离子体CVD
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