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三辛基氧化膦修饰电极三元络合物体系测定痕量铀的研究 被引量:4
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作者 方禹之 柏竹平 金利通 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期307-311,共5页
本文用玻碳电极为基体制成三辛基氧化膦(TOPO)修饰电极,研究了在噻吩甲酰三氟丙酮(HTTA)存在的HAc-NaAc体系中,UO_2^(2+)离子在电极上形成三元络合物,并用阴极溶出伏安法测定了痕量UO_2^(2+)离子。在6.0×10^(-10)~1.5×10^(-8... 本文用玻碳电极为基体制成三辛基氧化膦(TOPO)修饰电极,研究了在噻吩甲酰三氟丙酮(HTTA)存在的HAc-NaAc体系中,UO_2^(2+)离子在电极上形成三元络合物,并用阴极溶出伏安法测定了痕量UO_2^(2+)离子。在6.0×10^(-10)~1.5×10^(-8)mol/L UO_2^(2+)的浓度范围内与溶出峰高呈良好的线性关系,检出限为1.0×10^(-10)mol/L。 展开更多
关键词 修饰电极 三辛基氧化膦 极谱
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