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激光二极管抽运Nd∶YVO_4晶体五倍频213 nm深紫外激光器 被引量：9
1
作者 苏艳丽 何京良 +1 位作者 姜其畅 范秀伟 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1590-1592,共3页
报道了一种声光调Q激光二极管抽运Nd∶YVO4晶体腔外五倍频213nm深紫外全固态激光器。实验上分别利用KTP和两块BBO晶体产生532nm倍频绿光,266nm紫外四倍频以及基波与四倍频的混频,实现了从Nd∶YVO4近红外激光到213nm深紫外激光的频率变... 报道了一种声光调Q激光二极管抽运Nd∶YVO4晶体腔外五倍频213nm深紫外全固态激光器。实验上分别利用KTP和两块BBO晶体产生532nm倍频绿光,266nm紫外四倍频以及基波与四倍频的混频,实现了从Nd∶YVO4近红外激光到213nm深紫外激光的频率变换。在10.3W抽运功率下,获得平均输出功率3.1mW,脉宽7.5ns的213nm深紫外激光输出。 展开更多
关键词 激光技术 深紫外激光器 BBO晶体 五倍频 激光二极管抽运
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有源区掺杂的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化
2
作者 尹孟爽 张傲翔 +4 位作者 张鹏飞 贾李亚 王芳 刘俊杰 刘玉怀 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第3期170-175,共6页
为了改善深紫外激光二极管的性能,本文提出了有源区量子势垒n掺杂、p掺杂和n-p掺杂三种结构.利用Crosslight软件,对原始结构和有源区掺杂的三种结构进行仿真研究,比较四种结构的P-I特性曲线、V-I特性曲线、载流子浓度、辐射复合速率和... 为了改善深紫外激光二极管的性能,本文提出了有源区量子势垒n掺杂、p掺杂和n-p掺杂三种结构.利用Crosslight软件,对原始结构和有源区掺杂的三种结构进行仿真研究,比较四种结构的P-I特性曲线、V-I特性曲线、载流子浓度、辐射复合速率和能带图.仿真结果表明,有源区量子势垒n-p掺杂结构的性能更优,其阈值电压和阈值电流分别为4.40V和23.8mA;辐射复合速率达到1.64×10^(28)cm^(-3)/s;同一注入电流下电光转换效率达到42.1%,比原始结构增加了3.9%;改善了深紫外激光二极管的工作性能. 展开更多
关键词 ALGAN 有源区 量子势垒 掺杂 深紫外激光二极管
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基于空穴存储层的深紫外激光二极管性能优化
3
作者 王梦真 王瑶 +3 位作者 魏士钦 王芳 全智 刘玉怀 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2022年第23期186-191,共6页
为改善深紫外激光二极管(DUV-LD)有源区内空穴注入效率低的问题,在传统DUV-LD结构基础上引入空穴存储层(HRL),并将HRL改为Al摩尔分数从n区到p区递减的五阶梯HRL。用Crosslight公司的Lastip软件对该HRL进行数值研究,结果表明,该结构可以... 为改善深紫外激光二极管(DUV-LD)有源区内空穴注入效率低的问题,在传统DUV-LD结构基础上引入空穴存储层(HRL),并将HRL改为Al摩尔分数从n区到p区递减的五阶梯HRL。用Crosslight公司的Lastip软件对该HRL进行数值研究,结果表明,该结构可以获得更高的载流子辐射复合速率和更低的阈值电流。当五阶梯Al摩尔分数递减的HRL位于DUV-LD最后一层量子势垒和上波导层之间时,电子泄漏最小,器件性能得到明显改善。 展开更多
关键词 激光光学 深紫外激光二极管 空穴存储层 空穴注入效率 电子泄漏
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利用倒梯矩形电子阻挡层降低深紫外激光二极管的电子泄露 被引量：3
4
作者 王瑶 王梦真 +2 位作者 魏士钦 王芳 刘玉怀 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2021年第6期108-112,共5页
为了有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种新颖的具有倒梯矩形的电子阻挡层(EBL)结构.通过使用Crosslight软件将矩形,梯矩形和倒梯矩形三种不同的结构进行仿真研究,比较三种结构器件的能带图、辐射复合率、... 为了有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种新颖的具有倒梯矩形的电子阻挡层(EBL)结构.通过使用Crosslight软件将矩形,梯矩形和倒梯矩形三种不同的结构进行仿真研究,比较三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P-I以及V-I特性等,得出倒梯矩形EBL更能有效地抑制电子的泄露,从而改善了器件的光学和电学性能. 展开更多
关键词 深紫外激光二极管 ALGAN 倒梯矩形电子阻挡层 电子泄露
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具有单调组分渐变空穴存储层和对称组分渐变空穴阻挡层的深紫外激光二极管性能优化 被引量：1
5
作者 张傲翔 张鹏飞 +3 位作者 贾李亚 Muhammad Nawaz Sharif 王芳 刘玉怀 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2023年第7期281-287,共7页
为了优化深紫外激光二极管(DUV-LD)的电光转换效率与输出功率,提出了单调组分渐变空穴存储层(MCGHRL)和对称组分渐变空穴阻挡层(SCG-HBL)结构。使用Crosslight软件对采用基础结构、矩形空穴存储层(R-HRL)、MCG-HRL以及MCG-HRL和SCG-HBL... 为了优化深紫外激光二极管(DUV-LD)的电光转换效率与输出功率,提出了单调组分渐变空穴存储层(MCGHRL)和对称组分渐变空穴阻挡层(SCG-HBL)结构。使用Crosslight软件对采用基础结构、矩形空穴存储层(R-HRL)、MCG-HRL以及MCG-HRL和SCG-HBL的DUV-LD进行了仿真研究。结果表明,采用MCG-HRL和SCG-HBL能够更加有效地提升DUV-LD量子阱(QWs)内的空穴浓度,减少n型区的空穴泄露,增加QWs内的辐射复合率,降低其阈值电压与电阻,提升其电光转换效率与输出功率。 展开更多
关键词 光学器件 激光技术 深紫外激光二极管 ALGAN 空穴存储层 空穴阻挡层
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利用W形空穴阻挡层降低AlGaN基深紫外激光二极管的空穴泄露
6
作者 贾李亚 张鹏飞 +3 位作者 张傲翔 王芳 刘俊杰 刘玉怀 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第5期105-110,共6页
本文设计了V形和W形的空穴阻挡层(HBL)结构,改善空穴在AlGaN基深紫外激光二极管(DUV-LD)n型区的泄露问题.使用Crosslight软件,将参考型矩形、V形和W形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究,分别比较了三种不同结构的DUV-LD能带、n区空穴浓度... 本文设计了V形和W形的空穴阻挡层(HBL)结构,改善空穴在AlGaN基深紫外激光二极管(DUV-LD)n型区的泄露问题.使用Crosslight软件,将参考型矩形、V形和W形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究,分别比较了三种不同结构的DUV-LD能带、n区空穴浓度、辐射复合率、电光转换效率、有源区载流子浓度等特性,结果表明,具有W形空穴阻挡层的DUV-LD拥有更高的空穴有效势垒高度、更高的辐射复合率、更低的空穴泄露以及更好的斜率效率,可以有效降低深紫外激光二极管在n型区的空穴泄露,提升其光学和电学性能. 展开更多
关键词 ALGAN 深紫外激光二极管 空穴阻挡层 空穴泄露
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利用山形空穴存储层结构对深紫外激光二极管的性能优化
7
作者 桑習恩 许愿 +3 位作者 尹孟爽 王芳 刘俊杰 刘玉怀 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第6期117-122,共6页
为了有效提高深紫外激光二极管的空穴注入效率和减少电子泄露,优化其性能,设计出了在基础矩形空穴存储层结构上改进后的山形空穴存储层和倒山形空穴存储层.使用Crosslight软件模拟仿真倒山形和山形空穴存储层结构的电子浓度、电子电流... 为了有效提高深紫外激光二极管的空穴注入效率和减少电子泄露,优化其性能,设计出了在基础矩形空穴存储层结构上改进后的山形空穴存储层和倒山形空穴存储层.使用Crosslight软件模拟仿真倒山形和山形空穴存储层结构的电子浓度、电子电流密度、能带图以及P-I特性曲线.结果显示山形空穴存储层激光器的光学和电学性能优于矩形和倒山形激光器,因此山形空穴存储层激光器能有效地增加有源区空穴注入和减少电子泄露,提高有源区载流子浓度和辐射复合速率,实现了激光器优越的光电性能. 展开更多
关键词 深紫外激光二极管 空穴存储层 空穴注入效率 电子泄露
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基于阱式阶梯电子阻挡层的深紫外激光二极管性能研究
8
作者 魏士钦 王瑶 +3 位作者 王梦真 王芳 刘俊杰 刘玉怀 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期62-68,共7页
为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种阱式阶梯电子阻挡层(EBL)结构。利用Crosslight软件对矩形、阶梯形和阱式阶梯形三种不同的结构分别进行了仿真研究,详细对比分析了三种结构器件的能带图、辐射复合率... 为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种阱式阶梯电子阻挡层(EBL)结构。利用Crosslight软件对矩形、阶梯形和阱式阶梯形三种不同的结构分别进行了仿真研究,详细对比分析了三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P−I以及V−I特性等,结果表明阱式阶梯EBL对电子的泄露抑制效果最好,从而使得器件的光学和电学性能得到优化。 展开更多
关键词 激光技术 深紫外激光二极管 ALGAN 阱式阶梯电子阻挡层 电子泄露
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具有M形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化
9
作者 张傲翔 王瑶 +3 位作者 王梦真 魏士钦 王芳 刘玉怀 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期583-590,共8页
为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在n型区的空穴泄露,优化其工作性能,提出了一种新颖的M形空穴阻挡层(HBL)结构。使用Crosslight软件对矩形、N形和M形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究和对比,发现M形空穴阻挡层结构能够更有效地降低n... 为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在n型区的空穴泄露,优化其工作性能,提出了一种新颖的M形空穴阻挡层(HBL)结构。使用Crosslight软件对矩形、N形和M形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究和对比,发现M形空穴阻挡层结构能够更有效地降低n型区的空穴泄露,增加量子阱内的辐射复合率,同时降低激光二极管的阈值电压与阈值电流,提升激光二极管的电光转换效率与输出功率,表明M形空穴阻挡层结构能够有效降低DUV-LD在n型区的空穴泄露并优化其工作性能。 展开更多
关键词 激光技术 深紫外激光二极管 ALGAN M形空穴阻挡层 空穴泄露
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