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相变型半导体存储器研究进展 被引量：20
1
作者 刘波 宋志棠 封松林 《物理》 CAS 北大核心 2005年第4期279-286,共8页
文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电... 文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品. 展开更多
关键词 半导体存储器 相变型 研究进展 抗电子干扰 FLASH 相变材料 结构设计 非易失性 工艺问题 研究现状 循环寿命 多级存储 耐高低温 制造工艺 SRAM dram 抗辐照 抗振动 器件
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企业外部技术获取:机理与案例分析 被引量：18
2
作者 程源 高建 《科学学与科学技术管理》 CSSCI 北大核心 2005年第1期43-47,共5页
企业所面临的重要挑战是如何有效地将内部研究开发和外部技术源有机结合起来。简要概述了国际上外部技术源的发展趋势;以韩国三星公司DRAM技术能力成长为例,研究了企业获取外部技术的机制;从技术知识不同属性层面,说明了外部技术知识的... 企业所面临的重要挑战是如何有效地将内部研究开发和外部技术源有机结合起来。简要概述了国际上外部技术源的发展趋势;以韩国三星公司DRAM技术能力成长为例,研究了企业获取外部技术的机制;从技术知识不同属性层面,说明了外部技术知识的可转移性与企业技术能力之间的关系,以及技术源从外部向内部转化的层次性。 展开更多
关键词 企业技术能力 外部技术 内部 技术知识 dram 获取 发展趋势 成长 层次性 有机结合
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微电子产业演化创新模式的分布规律——改进的A-U模型 被引量：14
3
作者 程源 杨湘玉 《科研管理》 CSSCI 北大核心 2003年第3期19-24,共6页
论文首先在对A—U模型的主要观点进行评析的基础上 ,系统地分析了微电子产业中DRAM产品的创新情况 ,继而探讨了产业演化过程中DRAM产品创新和工艺创新的分布模式 ,提出了改进的A -U模型 ,并对导致该分布的原因进行了分析。
关键词 微电子产业 A-U模型 产业演化 技术创新 随机动态存储器 创新模式 分布规律
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FRAM铁电存储器的应用 被引量：9
4
作者 赵培宇 李其华 《江汉大学学报（自然科学版）》 2004年第3期51-54,共4页
介绍了铁电存储器的特点,详细阐述了在51系统中应用铁电存储器的原理及接口技术,给出了应用实例.
关键词 FRAM铁电存储器 SRAM dram EPROM E^2PROM FLASH
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利用FPGA实现SDRAM控制器的设计 被引量：9
5
作者 刘云清 佟首峰 姜会林 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2005年第4期47-50,共4页
介绍了SDRAM的工作原理和使用方法。以一个数据通信中实际使用的SDRAM控制器为例,设计了用可编程逻辑器件(FPGA)实现SDRAM控制器的方法,给出了具体实现时需要注意的地方。
关键词 VHDL Sdram(Synchorous dram) Sdram控制器
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钛酸锶钡材料应用于超高密度动态随机存储器的研究 被引量：11
6
作者 朱小红 郑东宁 《物理》 CAS 北大核心 2004年第1期34-39,共6页
铁电钛酸锶钡材料具有十分优越的介电性能 :高的介电常数 ,较低的介电损耗 ,好的绝缘漏电性能 ;而且 ,通过调节材料中的Ba/Sr成分比 ,可改变材料的居里相变温度TC,以满足特定应用环境的温度需要 ,在超高密度集成的动态随机存储器 (DRAM... 铁电钛酸锶钡材料具有十分优越的介电性能 :高的介电常数 ,较低的介电损耗 ,好的绝缘漏电性能 ;而且 ,通过调节材料中的Ba/Sr成分比 ,可改变材料的居里相变温度TC,以满足特定应用环境的温度需要 ,在超高密度集成的动态随机存储器 (DRAM)方面表现出广阔的应用前景 .文章概括介绍了BaxSr1-xTiO3 薄膜材料在DRAM应用中已取得的最新研究进展 。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 铁电/介电薄膜 动态随机存储器 介电常数 介电损耗 居里相变温度 dram 半导体存储器 薄膜厚度 薄膜结构 薄膜沉积 介电弛豫
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空间太阳望远镜的星载固态存储器研制 被引量：12
7
作者 王芳 李恪 +1 位作者 苏林 耿立红 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期472-475,共4页
空间太阳望远镜有五个载荷仪器 ,其每天产生的数据达 172 8GB ,数据流以固态存储器为核心在星上数据处理系统各单元间调度 ,完成缓存、压缩、存储和下传 .本文分析了对固态存储器的需求 ,建立了其状态机模型 ,并确定了总体设计方案 .根... 空间太阳望远镜有五个载荷仪器 ,其每天产生的数据达 172 8GB ,数据流以固态存储器为核心在星上数据处理系统各单元间调度 ,完成缓存、压缩、存储和下传 .本文分析了对固态存储器的需求 ,建立了其状态机模型 ,并确定了总体设计方案 .根据该方案用DSP和FPGA构成控制逻辑 ,用DRAM芯片阵列构成存储模块 。 展开更多
关键词 星载固态存储器 数据存储 状态机 ADSP21060 dram 空间太阳望远镜 控制逻辑 数据处理
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DRAM芯片的最新研制进展与发展趋势 被引量：11
8
作者 成立 王振宇 高平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期1-5,14,共6页
介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1μm特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取存储器(NVRAM),如FRAM、相变RAM、MRAM和BiCMOS技术的开发前景与发展趋势。
关键词 dram 动态随机存取存储器 数字集成电路 FRAM 相变RAM MRAM BICMOS 发展趋势
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多核系统共享内存资源分配和管理研究 被引量：12
9
作者 高珂 陈荔城 +1 位作者 范东睿 刘志勇 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第5期1020-1034,共15页
对于共享内存资源的多核系统来说,分配和管理有限的内存资源是一个非常重要且具有挑战性的问题.随着处理器核数的快速增长,不同线程间的访存请求对系统中共享内存的竞争也愈发激烈,由此导致的对系统性能和系统公平性的影响也更加显著.... 对于共享内存资源的多核系统来说,分配和管理有限的内存资源是一个非常重要且具有挑战性的问题.随着处理器核数的快速增长,不同线程间的访存请求对系统中共享内存的竞争也愈发激烈,由此导致的对系统性能和系统公平性的影响也更加显著.为了缓解这一问题,除了增加可用共享资源外,公平高效地管理和利用共享内存资源至关重要.在各类共享资源中,对系统性能影响最大的是共享Cache和DRAM.文中将这两级共享内存资源的分配和管理研究归结为三个重要方面,包括共享缓存分区、访存请求调度以及地址映射优化,并从优化系统吞吐率和公平性方面分析总结了一系列共享缓存分区策略,从缓解多线程对DRAM的竞争和相互干扰方面分析概括了一系列访存调度算法和地址映射策略.最后对共享内存资源未来的研究和发展做了总结和展望. 展开更多
关键词 多核系统 共享缓存 缓存分区 动态随机存储器 访存调度 地址映射
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基于FPGA的高速数据采集系统研制 被引量：9
10
作者 杨书杰 郭宗莲 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2008年第6期93-96,共4页
介绍了现场可编程门阵列FPGA(Field Programmable Gate Array)器件XCS30的主要特点、技术参数、内部结构和工作原理,阐述了其在电力系统高速数据采集系统中的应用实例。电力数据采集装置——馈线终端单元(FTU)需要监测多条线路的电压和... 介绍了现场可编程门阵列FPGA(Field Programmable Gate Array)器件XCS30的主要特点、技术参数、内部结构和工作原理,阐述了其在电力系统高速数据采集系统中的应用实例。电力数据采集装置——馈线终端单元(FTU)需要监测多条线路的电压和电流,实时性要求高,充分利用FPGA的并行处理能力,对输入信号实行同时采样、分时进行A/D转换,通过在FPGA片上构建的DRAM进行数据的快速传输。FPGA在系统中承担了较多的实时任务,使DSP芯片TMS320F2812可以在每个周期时间(20 ms)内完成所有线路的快速傅里叶计算,调用故障分析处理子程序。FPGA降低了DSP的负荷率,系统的可靠性得到了提高,实际产品应用于配电自动化系统时,故障定位迅速、准确。 展开更多
关键词 现场可编程门阵列 数字信号处理器 静态存储器 双口静态存储器
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(Ba,Sr)TiO_3铁电薄膜制备技术及其研究进展 被引量：2
11
作者 单连伟 丁碧妍 +2 位作者 付兴华 侯文萍 单志强 《桂林电子工业学院学报》 2003年第6期36-39,共4页
(Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜较传统的铁电材料有高介电常数、高击穿场强、快响应速度、居里温度可调等优点,在DRAM、微波调节器等领域具有广阔的发展前景,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过对铁电薄膜及其制备技术研究新... (Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜较传统的铁电材料有高介电常数、高击穿场强、快响应速度、居里温度可调等优点,在DRAM、微波调节器等领域具有广阔的发展前景,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过对铁电薄膜及其制备技术研究新进展的综合评述,就BST的微观结构、性能及应用,深入分析BST铁电薄膜主要制备技术的优缺点,指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究中应注意的问题。 展开更多
关键词 (Ba Sr)TiO3 铁电薄膜 制备方法 dram 微波调节器 钙钛矿型铁电固溶体 BST
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日本半导体产业发展得失以及对中国的启示 被引量：9
12
作者 李浩东 《中国经贸导刊》 2018年第17期16-19,共4页
本研究通过深入分析日本半导体产业的产业政策、产业方向和日美贸易摩擦对其的影响,总结日本半导体产业发展的成败得失,为中国更好地发展我国半导体产业提供五点启示:一是发展好半导体产业需要政府持续扶持。二是开放有利于半导体产业... 本研究通过深入分析日本半导体产业的产业政策、产业方向和日美贸易摩擦对其的影响,总结日本半导体产业发展的成败得失,为中国更好地发展我国半导体产业提供五点启示:一是发展好半导体产业需要政府持续扶持。二是开放有利于半导体产业发展。三是重视技术的同时,要认真研究市场趋势。四是及时调整产业结构,以适应新的产业发展。五是警惕美国通过贸易谈判遏制中国高科技产业发展。 展开更多
关键词 半导体 日本 dram 微处理器
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中国半导体存储器市场前景 被引量：9
13
作者 邢雁宁 《电子产品世界》 2016年第7期4-7,共4页
本文介绍了存储器芯片分类,国际存储芯片厂商的发展情况,及我国存储芯片供需情况。
关键词 存储器 市场 dram FLASH
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嵌入式系统中的内生存储器PUF研究综述
14
作者 陈帅 蔡敏 +1 位作者 杨志勇 曾集丰 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第9期7-16,共10页
物理不可克隆函数(Physical Unclonable Functions,PUF)可视为一种“芯片指纹”,具有轻量级、不可预测、难以克隆等特性,已经成为物联网硬件安全机制的重要组成部分。然而,传统PUF的实现需要在硬件层面增加FPGA或专用集成电路,会增加硬... 物理不可克隆函数(Physical Unclonable Functions,PUF)可视为一种“芯片指纹”,具有轻量级、不可预测、难以克隆等特性,已经成为物联网硬件安全机制的重要组成部分。然而,传统PUF的实现需要在硬件层面增加FPGA或专用集成电路,会增加硬件成本。对于数以亿计的现有物联网嵌入式设备,难以通过硬件改造来增加PUF安全属性。因此,从现有设备的硬件结构中挖掘固有PUF(Intrinsic PUF,IPUF)成为PUF研究与产业化的关键组成部分。本工作将对已有的IPUF,尤其是基于存储器的IPUF(Memroy based Intrinsic PUF,MIPUF)相关工作进行系统综述,并针对IPUF在现有系统中的可实现性及未来的发展方向进行讨论,以推动该技术的工程应用。 展开更多
关键词 PUF SRAM dram FLASH
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基于贝叶斯的钢筋混凝土梁模型修正方法 被引量：6
15
作者 宋彦朋 陈辉 黄斌 《土木工程与管理学报》 北大核心 2019年第4期126-132,139,共8页
本文提出了一个基于贝叶斯原理的钢筋混凝土梁有限元模型修正方法。针对钢筋混凝土梁模型修正中的方程病态问题及模态测试中测点信息不完整和模态信息不完备的实际情况,建立了适用于有限测点的目标函数和似然函数,且在目标函数中同时考... 本文提出了一个基于贝叶斯原理的钢筋混凝土梁有限元模型修正方法。针对钢筋混凝土梁模型修正中的方程病态问题及模态测试中测点信息不完整和模态信息不完备的实际情况,建立了适用于有限测点的目标函数和似然函数,且在目标函数中同时考虑了频率和振型信息。采用延迟拒绝自适应算法(DRAM)对待修正参数的后验概率进行了计算。数值算例表明本方法在仅使用低阶测量模态信息和不完整振型信息的情况下,仍能准确修正结构参数;实验算例表明,修正后的钢筋混凝土梁有限元模型的动力特性和测量结果一致,修正后的模型参数值和梁的轻微裂缝的位置及大小基本对应,说明了本文方法的有效性。 展开更多
关键词 钢筋混凝土梁 模型修正 贝叶斯估计 低阶模态 dram
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基于FPGA高速图像数据的存储及显示设计 被引量：8
16
作者 郭柳柳 甄国涌 刘东海 《电子技术应用》 北大核心 2014年第11期75-77,84,共4页
设计了一种基于FPGA控制Nand Flash阵列实现高速流水线式存储的方案。设计利用FPGA作为主控制器,通过Camera Link输入通信接口将图像数据经过一/二级缓存写入Flash存储阵列中,并采用DMA传输技术将存储后的图像数据上传至计算机硬盘中作... 设计了一种基于FPGA控制Nand Flash阵列实现高速流水线式存储的方案。设计利用FPGA作为主控制器,通过Camera Link输入通信接口将图像数据经过一/二级缓存写入Flash存储阵列中,并采用DMA传输技术将存储后的图像数据上传至计算机硬盘中作进一步处理;同时,利用SDRAM显存实时刷新数据,FPGA构造相应的VGA信号,最终实现100 MB/s图像数据的实时显示。 展开更多
关键词 高速存储 实时显示 FLASH FPGA DMA Sdram
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基于DRAM、FPGA的专用LCD显示接口设计与实现 被引量：4
17
作者 黄平 吴景东 《微计算机信息》 北大核心 2007年第05Z期191-192,186,共3页
SOC、嵌入式智能设备已经越来越广泛地应用于工业控制现场取代原来相对复杂的工控PC机。对于生产嵌入式智能设备而言,有时从成本和实用性角度考虑需要自行设计显示接口,本文就800*600*256色工控用TFTLCD显示接口提供一个廉价的可行性解... SOC、嵌入式智能设备已经越来越广泛地应用于工业控制现场取代原来相对复杂的工控PC机。对于生产嵌入式智能设备而言,有时从成本和实用性角度考虑需要自行设计显示接口,本文就800*600*256色工控用TFTLCD显示接口提供一个廉价的可行性解决方案。 展开更多
关键词 嵌入式 dram FPGA/CPLD TFTLCD VHDL
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航海模拟器雷达接口的设计 被引量：4
18
作者 应士君 《上海海运学院学报》 1997年第2期29-33,共5页
在航海雷达模拟器系统中，雷达接口的设计直接影响到整个系统的性能。雷达接口的设计包括接口电路的设计和接口印刷板的设计两方面。本文首先提出图形方式的雷达接口电路的设计方案，然后定性分析印刷板设计中的干扰问题，并提出了相应... 在航海雷达模拟器系统中，雷达接口的设计直接影响到整个系统的性能。雷达接口的设计包括接口电路的设计和接口印刷板的设计两方面。本文首先提出图形方式的雷达接口电路的设计方案，然后定性分析印刷板设计中的干扰问题，并提出了相应的解决方法。最后对雷达接口的软件抗干扰措施进行了说明。 展开更多
关键词 模拟器 雷达导航 接口设备 航海 设计
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有机/聚合物电存储器及其作用机制 被引量：7
19
作者 刘举庆 陈淑芬 +4 位作者 陈琳 解令海 钱妍 凌启淡 黄维 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第22期3420-3432,共13页
有机电存储是近几年来有机电子学与信息存储交叉领域的研究热点.本文介绍了有机电存储器的基本概念与原理,分类论述了有机/无机纳米杂化电双稳态材料、有机/聚合物电双稳态材料以及有机金属配合物电双稳态材料的最新研究成果,讨论原型... 有机电存储是近几年来有机电子学与信息存储交叉领域的研究热点.本文介绍了有机电存储器的基本概念与原理,分类论述了有机/无机纳米杂化电双稳态材料、有机/聚合物电双稳态材料以及有机金属配合物电双稳态材料的最新研究成果,讨论原型动态随机存储器、一次写入多次读取存储器以及非易失性闪存存储器的实现,同时总结电开关与存储的形成机制,主要包括场致电荷转移机制、丝状电导机制、构象转变与相变机制、载流子俘获释放机制以及氧化还原机制,并展望今后的研究工作. 展开更多
关键词 电双稳态与开关 有机电存储材料 动态随机存储器 非易失性闪存 电荷转移与构象变化
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应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究 被引量：3
20
作者 王小宁 刘建设 +3 位作者 任天令 赵宏锦 邵天奇 刘理天 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第6期459-462,共4页
BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温10... BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温100kHz下,薄膜的介电常数为230。在3V的偏压下,薄膜的漏电流密度为1.6×10-7A/cm2。利用HCl/HF刻蚀溶液成功获得了分辨率达到微米量级的BST薄膜微图形。 展开更多
关键词 dram BST薄膜 制备 溶胶-凝胶法 刻蚀 动态随机存取存储器 复合钙钛矿 钛酸锶钡
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