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中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除效应
1
作者
张维连
徐岳生
李养贤
《电子科学学刊》
CSCD
1991年第5期556-560,共5页
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。
关键词
中子嬗变
掺杂
直拉硅
吸除效应
下载PDF
职称材料
题名
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除效应
1
作者
张维连
徐岳生
李养贤
机构
河北工学院
出处
《电子科学学刊》
CSCD
1991年第5期556-560,共5页
基金
国家自科科学基金
文摘
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。
关键词
中子嬗变
掺杂
直拉硅
吸除效应
Keywords
czochralski
silicon
(
czsi
)
Neutron
transmutation
doped
czsi
(NTD
czsi
)
Intrinsic
gettering
effect(IG)
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除效应
张维连
徐岳生
李养贤
《电子科学学刊》
CSCD
1991
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