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减少缺陷及提高铜层化学机械抛光平面度的探讨
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作者 Todd Buley Periya Gopalan Dave Ventura 《电子工业专用设备》 2006年第3期46-50,共5页
半导体器件上铜层化学机械抛光(CMP)的第一道工序一般需要使用一块硬抛光垫,在磨去阻挡层的工序中要用到软垫。在磨去阻挡层和电介质材料时,要把各家供应商的各种抛光液与这些抛光垫配合在一起使用。用于把铜大量地磨掉的硬垫,抛光后的... 半导体器件上铜层化学机械抛光(CMP)的第一道工序一般需要使用一块硬抛光垫,在磨去阻挡层的工序中要用到软垫。在磨去阻挡层和电介质材料时,要把各家供应商的各种抛光液与这些抛光垫配合在一起使用。用于把铜大量地磨掉的硬垫,抛光后的平面度很好,而在磨掉阻挡层工序中使用的软垫,它所产生的缺陷很少,这是由于它本身的结构而且由于它很软的缘故。随着半导体器件变得越来越小、线条宽度缩小,半导体技术更不允许金属出现损失,也更不允许化学机械抛光出现缺陷。这些参数最终会影响器件的性能和成品率。因此市场需要一种化学机械抛光垫,它能够提高铜阻挡层的平面度,具备软垫进行抛光时缺陷少的优点。介绍一种新的化学机械抛光垫技术,它使用了专门设计的聚合物材料,从而满足产业界的要求。 展开更多
关键词 缺陷 铜层 化学机械抛光 平面度
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