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硫化时间对CuInS_2薄膜特性的影响(英文)
1
作者
王利刚
王延来
+2 位作者
姚伟
朱俊
徐金刚
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期805-807,共3页
磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2。采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性。结果表明:硫化时间为10min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶...
磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2。采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性。结果表明:硫化时间为10min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶程度随时间的增加变好,电阻率随硫化时间的增加而提高,薄膜的光学带隙位于1.42-1.55eV之间。
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关键词
CuInS
2
薄膜
硫化时间
光电特性
原文传递
题名
硫化时间对CuInS_2薄膜特性的影响(英文)
1
作者
王利刚
王延来
姚伟
朱俊
徐金刚
机构
内蒙古大学半导体光伏技术自治区重点实验室
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期805-807,共3页
基金
National Natural Science Foundation of China(51364025)
文摘
磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2。采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性。结果表明:硫化时间为10min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶程度随时间的增加变好,电阻率随硫化时间的增加而提高,薄膜的光学带隙位于1.42-1.55eV之间。
关键词
CuInS
2
薄膜
硫化时间
光电特性
Keywords
culns
2
thin
films
sulfurization
time
photoelectric
property
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硫化时间对CuInS_2薄膜特性的影响(英文)
王利刚
王延来
姚伟
朱俊
徐金刚
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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