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硫化时间对CuInS_2薄膜特性的影响(英文)
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作者 王利刚 王延来 +2 位作者 姚伟 朱俊 徐金刚 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期805-807,共3页
磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2。采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性。结果表明:硫化时间为10min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶... 磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2。采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性。结果表明:硫化时间为10min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶程度随时间的增加变好,电阻率随硫化时间的增加而提高,薄膜的光学带隙位于1.42-1.55eV之间。 展开更多
关键词 CuInS2薄膜 硫化时间 光电特性
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