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恒电流电沉积法制备Cu-In薄膜 被引量:4
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作者 李健 朱洁 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期667-672,共6页
以金属Ti为阳极,不锈钢薄片和镀Mo玻璃为阴极,采用恒电流电沉积的方法制备了化学计量比为1:1、厚度为 1 μm且致密均匀的Cu-In薄膜.分析了镀液离子浓度、电流密度、络合剂含量及添加剂种类对薄膜成分及形貌的影响.在除电流密度外其它... 以金属Ti为阳极,不锈钢薄片和镀Mo玻璃为阴极,采用恒电流电沉积的方法制备了化学计量比为1:1、厚度为 1 μm且致密均匀的Cu-In薄膜.分析了镀液离子浓度、电流密度、络合剂含量及添加剂种类对薄膜成分及形貌的影响.在除电流密度外其它工艺条件相同的情况下,采用不同阴极材料为衬底沉积Cu-In薄膜时,薄膜形貌、成分无差别,且电流密度对薄膜的形貌和成分控制起着关键的作用.此外,在镀液离子低浓度范围内,及Cu/In离子浓度比不变的前提下,镀液中金属离子总浓度的改变不会影响镀层的成分和形貌;十二烷基硫酸钠和苯亚磺酸钠可作为理想的辅助添加剂,能改善薄膜形貌,使其表面均匀、规整.由该方法制备的Cu-In预置膜可以进一步硒化得到理想的CuInSe2薄膜. 展开更多
关键词 cu—In合金 电沉积 表面形貌 合金成分
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超声电沉积制备Cu-In合金膜 被引量:3
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作者 王延来 聂洪波 +1 位作者 果世驹 王义民 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期739-743,共5页
采用超声电沉积-热处理两步法和超声共沉积一步法在钼基底上制备了致密的Cu-In合金薄膜。分别用SEM,EDS和XRD分析了Cu/In双层膜以及Cu-In合金膜的表面形貌、成分及相组成。结果表明:采用不同的电沉积工艺参数可以调节合金膜的Cu/In比率... 采用超声电沉积-热处理两步法和超声共沉积一步法在钼基底上制备了致密的Cu-In合金薄膜。分别用SEM,EDS和XRD分析了Cu/In双层膜以及Cu-In合金膜的表面形貌、成分及相组成。结果表明:采用不同的电沉积工艺参数可以调节合金膜的Cu/In比率;超声电沉积可以得到晶粒细小、均匀致密的Cu,In以及Cu-In合金薄膜;两步法中超声电沉积得到的双层膜为CuIn和Cu或In相,经过热处理后转变为Cu11In9和Cu或In相;一步法超声共沉积得到的合金膜主要为CuIn相,根据Cu/In比率的不同,还会含有少量的Cu11In9或In相。 展开更多
关键词 超声电沉积 cu-In合金 表面形貌 cu/In比率
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共溅射法制备Cu-In合金膜及电学性能分析 被引量:1
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作者 马忠权 徐少辉 +2 位作者 郑毓峰 简基康 李冬来 《新疆大学学报(理工版)》 CAS 2002年第1期1-5,共5页
采用共溅射方法制备了 Cu-In合金膜 ,并讨论了 Cu-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对 Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响 .结果显示 ,Cu-In合金膜仅有单峰 ,多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变 .用费 -桑理论对 Cu-In合金薄膜... 采用共溅射方法制备了 Cu-In合金膜 ,并讨论了 Cu-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对 Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响 .结果显示 ,Cu-In合金膜仅有单峰 ,多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变 .用费 -桑理论对 Cu-In合金薄膜的电学性质进行了分析 ,临界厚度的讨论结果表明 ,溅射 3~ 4min是面电阻的转变点 。 展开更多
关键词 共溅射法 cu-In合金 电学性质 费-桑理论 临界厚度 结构 溅射时间 铜铟合金
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硒化共溅射Cu-In合金法制备CuInSe_2多晶薄膜 被引量:1
4
作者 徐少辉 马忠权 +2 位作者 李冬来 简继康 郑毓峰 《新疆大学学报(理工版)》 CAS 2001年第3期330-335,共6页
用共溅射方法和固态源硒化法 ,分别合成了 Cu- In合金膜和 Cu In Se2 (CIS)多晶薄膜 ,并用XRD,SEM和霍尔效应测量技术 ,分别测量了两种薄膜的结构、表面形貌及其电学性质 .分析结果显示 ,Cu- In合金膜仅有单峰 ,晶面间距约 2 .13A,CI... 用共溅射方法和固态源硒化法 ,分别合成了 Cu- In合金膜和 Cu In Se2 (CIS)多晶薄膜 ,并用XRD,SEM和霍尔效应测量技术 ,分别测量了两种薄膜的结构、表面形貌及其电学性质 .分析结果显示 ,Cu- In合金膜仅有单峰 ,晶面间距约 2 .13A,CIS薄膜的几个主峰与 PDF卡中的数据对应得很好 ,并且 (112 )峰有择优取向 .CIS样品的电学参数随着 Cu/ In比例和基片种类的不同而变化 ,面电阻从几个到几十个 Ω/□ ,面载流子浓度达 10 18/ cm2数量级 ,迁移率在 0 .1~ 3.0 cm2 / V.s之间 .并讨论了 Cu/ In比例对两种薄膜性质的影响 ,分析结果显示 ,In占总溅射面积的 3%是 Cu/In比例的转折点 .此时 ,CIS薄膜的结构、PN导电类型都有明显变化 。 展开更多
关键词 共溅射 cu-In合金 硒化法 结构 电学性质 半导体材料 铜铟硒多晶薄
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低功率共溅射再硒化法制备CuInSe_2薄膜
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作者 李健 朱洁 何建平 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期130-134,共5页
采用Cu、In双靶,直流磁控溅射的方法制备Cu-In薄膜,然后采用固态源硒化的方法形成CuInSe_2(CIS)薄膜。采用SEM和EDX观察和分析了样品的表面形貌和成分,用XRD表征了薄膜的组织结构。分析了硒化中的反应过程并研究了热处理对改善薄膜质量... 采用Cu、In双靶,直流磁控溅射的方法制备Cu-In薄膜,然后采用固态源硒化的方法形成CuInSe_2(CIS)薄膜。采用SEM和EDX观察和分析了样品的表面形貌和成分,用XRD表征了薄膜的组织结构。分析了硒化中的反应过程并研究了热处理对改善薄膜质量的影响。结果表明,Cu-In预制膜主要以CuIn相形式存在。由CuIn相为主相的预制膜制成的CIS薄膜具有单一的CuInSe_2相黄铜矿结构,且其成分接近CuInSe_2化学计量比。 展开更多
关键词 共溅射 cu-In合金 硒化法 CIS
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扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响
6
作者 宋忠孝 鞠新华 徐可为 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期723-726,共4页
用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型... 用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN;ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ·cm,退火后降至正常的数个μΩ·cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149MPa. 展开更多
关键词 扩散阻挡层 cu-Zr合金 电阻率 残余应力
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扩散阻挡层与离子束轰击能量对Cu-Cr合金膜结合强度的影响
7
作者 宋忠孝 鞠新华 +1 位作者 徐可为 范多旺 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期4-6,共3页
用离子束辅助磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在TiN、CrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Cr合金膜.用滚动接触疲劳实验评价结合强度,结果发现:扩散阻挡层可明显提高结合强度;CrN上的Cu-Cr膜的结合强度最高;高能离子轰击得到的Cu-Cr合金膜... 用离子束辅助磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在TiN、CrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Cr合金膜.用滚动接触疲劳实验评价结合强度,结果发现:扩散阻挡层可明显提高结合强度;CrN上的Cu-Cr膜的结合强度最高;高能离子轰击得到的Cu-Cr合金膜具有更宽的过渡层而具有更高的结合强度. 展开更多
关键词 扩散阻挡层 cu-Cr合金 离子束辅助沉积
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磁控溅射再硒化法制备Cu(In,Al)Se2薄膜
8
作者 张谷一 孟飞 朱洁 《中国材料科技与设备》 2007年第4期53-54,57,共3页
本文采用磁控溅射的方法制备Cu-In-Al薄膜,然后固态源硒化制成Cu(In,Al)Se2薄膜。采用EDX分析薄膜的成分,SEM观察薄膜的表面形貌,XRD表征薄膜的组织结构。结果表明,由CuIn相为主相的预制膜制成的Cu(In,Al)Se2薄膜具有单一的... 本文采用磁控溅射的方法制备Cu-In-Al薄膜,然后固态源硒化制成Cu(In,Al)Se2薄膜。采用EDX分析薄膜的成分,SEM观察薄膜的表面形貌,XRD表征薄膜的组织结构。结果表明,由CuIn相为主相的预制膜制成的Cu(In,Al)Se2薄膜具有单一的黄铜矿结构,且随着Al含量的增加,晶面间距减小。 展开更多
关键词 cu-In-Al合金 硒化 cu(In A1)Se2薄
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磁控溅射制备Cu-Ta合金膜的研究 被引量:2
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作者 杨宁 朱雪婷 +2 位作者 尹兆益 吴大平 孙勇 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期791-796,共6页
室温下采用磁控共溅射法,在硅衬底上制备了Cu-Ta非晶合金膜,利用AFM(atomic force microscopy)分析观察了溅射功率及沉积时间对薄膜形貌的影响,讨论了溅射功率对薄膜硬度及弹性模量的影响.实验发现,溅射功率越大,薄膜的致密平整性越好;... 室温下采用磁控共溅射法,在硅衬底上制备了Cu-Ta非晶合金膜,利用AFM(atomic force microscopy)分析观察了溅射功率及沉积时间对薄膜形貌的影响,讨论了溅射功率对薄膜硬度及弹性模量的影响.实验发现,溅射功率越大,薄膜的致密平整性越好;溅射时间越长,薄膜的粗糙度越大,平整度越差.纳米压痕测试结果表明溅射功率越大薄膜的硬度及弹性模量越大,其机械性能越好. 展开更多
关键词 cu-Ta非晶合金 磁控溅射 原子力显微镜 表面形貌
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