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FA/OⅡ型螯合剂对多层Cu布线CMP后BTA去除的研究
被引量：
2
1
作者
邓海文
檀柏梅
+3 位作者
张燕
高宝红
王辰伟
顾张冰
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期205-208,213,共5页
在化学机械抛光（CMP）过程中,加入苯并三氮唑（BTA）抑制Cu界面和布线条的腐蚀。但同时,会与Cu发生化学反应生成的Cu-BTA钝化膜是CMP后主要的清洗对象之一。采用FA/OⅡ型螯合剂作为清洗液的主要成分,采用接触角测试仪及原子力显微镜来...
在化学机械抛光（CMP）过程中,加入苯并三氮唑（BTA）抑制Cu界面和布线条的腐蚀。但同时,会与Cu发生化学反应生成的Cu-BTA钝化膜是CMP后主要的清洗对象之一。采用FA/OⅡ型螯合剂作为清洗液的主要成分,采用接触角测试仪及原子力显微镜来表征BTA的去除效果。通过改变FA/OⅡ型螯合剂的浓度完成一系列对比实验,确定最佳的清洗效果。通过对比实验得知,当清洗液中螯合剂的浓度为1.50×10^-4-200×10^-4时,此时清洗液的pH值〉10,能有效去除Cu-BTA钝化膜以及其它残留的有机物,接触角下降到29°,表面的粗糙度较低。
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关键词
CMP后清洗
FA/OⅡ螯合剂
cu
-
bta
钝化
膜
接触角
粗糙度
下载PDF
职称材料
题名
FA/OⅡ型螯合剂对多层Cu布线CMP后BTA去除的研究
被引量：
2
1
作者
邓海文
檀柏梅
张燕
高宝红
王辰伟
顾张冰
机构
河北工业大学电子信息工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期205-208,213,共5页
基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
河北省教育厅基金资助项目(QN2014208)
文摘
在化学机械抛光（CMP）过程中,加入苯并三氮唑（BTA）抑制Cu界面和布线条的腐蚀。但同时,会与Cu发生化学反应生成的Cu-BTA钝化膜是CMP后主要的清洗对象之一。采用FA/OⅡ型螯合剂作为清洗液的主要成分,采用接触角测试仪及原子力显微镜来表征BTA的去除效果。通过改变FA/OⅡ型螯合剂的浓度完成一系列对比实验,确定最佳的清洗效果。通过对比实验得知,当清洗液中螯合剂的浓度为1.50×10^-4-200×10^-4时,此时清洗液的pH值〉10,能有效去除Cu-BTA钝化膜以及其它残留的有机物,接触角下降到29°,表面的粗糙度较低。
关键词
CMP后清洗
FA/OⅡ螯合剂
cu
-
bta
钝化
膜
接触角
粗糙度
Keywords
post CMP cleaning
FA/O Ⅱ chelating agent
bta
removal
contact angle
surface roughness
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
FA/OⅡ型螯合剂对多层Cu布线CMP后BTA去除的研究
邓海文
檀柏梅
张燕
高宝红
王辰伟
顾张冰
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
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职称材料
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参考文献
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