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新型缓蚀剂对阻挡层为Ru/TaN的Cu图形片CMP的影响 被引量：5
1
作者 张雪 周建伟 +1 位作者 王辰伟 王超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第11期892-898,共7页
研究了新型缓蚀剂2,2′-{[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT)和抛光液pH值对铜图形片(以Ru/TaN为阻挡层)化学机械平坦化(CMP)性能的影响。实验结果表明,Cu的去除速率及静态腐蚀速率随着抛光液pH值的增高而增大,随着TT体积... 研究了新型缓蚀剂2,2′-{[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT)和抛光液pH值对铜图形片(以Ru/TaN为阻挡层)化学机械平坦化(CMP)性能的影响。实验结果表明,Cu的去除速率及静态腐蚀速率随着抛光液pH值的增高而增大,随着TT体积分数的升高而逐渐下降;TT对Cu去除速率和静态腐蚀速率的抑制效果随着抛光液pH值的升高而降低。缓蚀剂TT能够有效减小碟形坑及蚀坑的深度,对于铜图形片不同线宽的碟形坑及不同密度的蚀坑均有较好的修正效果,且能够自停止在阻挡层Ru/TaN薄膜,其CMP机理为TT与Cu形成Cu-TT钝化膜吸附在Cu表面,阻挡了Cu的进一步腐蚀,提高了CMP性能。 展开更多
关键词 Ru/TaN阻挡层 cu图形片 化学机械平坦化(CMP) 去除速率 静态腐蚀
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